一种镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种镀膜装置。镀膜装置包括载板以及辅助部件，载板上开设有凹槽，辅助部件位于凹槽内，辅助部件与凹槽的内壁之间形成一用于放置基片的镀膜空间，且镀膜空间与基片的形状相适配。上述镀膜装置，辅助部件与凹槽的内壁之间形成一与基片的形状相适配的镀膜空间，不仅完整基片在镀膜时的边沿色差有所改善，而且非标准基片在镀膜时的边沿色差也有所改善，只需通过设置在凹槽内的辅助部件，由于辅助部件与凹槽的内壁之间形成合适的镀膜空间，如此，淀积氮化硅的边沿效益只会出现在辅助部件上，而不会影响基片，从而避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到基片表面的影响，有效改善在镀膜过程中边沿色差的问题。边沿色差的问题。边沿色差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜装置


[0001]本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种镀膜装置。

技术介绍

[0002]PECVD(等离子体增强化学气相淀积)是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而被称为等离子体增强化学气相淀积。采用PECVD方法进行镀膜，基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较小、不易龟裂。
[0003]在太阳能电池的生产过程中，通过PECVD工序在基片表面镀膜是重要的工序之一，这层膜可以降低电池对太阳光的反射，提高电池对太阳能能量的吸收。镀膜时，将基片放置在特制的镀膜装置上后再送入PECVD机台，并使用氮化硅气体对基片表面进行镀膜。在镀膜过程中，氮化硅容易发生堆积造成沉积的不均匀，从而导致基片边沿与中间存在色差。现有的镀膜装置虽然对完整基片在镀膜过程中边沿色差有所改善，然而在工艺生产中还有许多非标准基片，这些非标准基片在镀膜时依然存在边沿色差严重，影响基片外观，降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜装置，其特征在于，包括：载板，所述载板上开设有凹槽；以及辅助部件，位于所述凹槽内，所述辅助部件与所述凹槽的内壁之间形成一用于放置基片的镀膜空间，且所述镀膜空间与所述基片的形状相适配。2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于：所述镀膜装置包括多个长度不等的所述辅助部件，根据所述基片不同的形状选择不同的所述辅助部件设置在所述凹槽内。3.根据权利要求1或2所述的镀膜装置，其特征在于：所述辅助部件呈长条形。4.根据权利要求3所述的镀膜装置，其特征在于：所述辅助部件为硅片。5.根据权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于：每一所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亮，杨彦伟，邹颜，
申请(专利权)人：芯思杰技术深圳股份有限公司，
类型：新型
国别省市：