真空室制造技术

本实用新型专利技术涉及等离子体增强化学气相沉积技术领域，具体公开一种真空室，包括上部电极、真空室壁、气体扩散器、固定装置和绝缘块，上部电极、固定装置和气体扩散器设置在真空室壁的内侧，上部电极、固定装置和气体扩散器依次固定连接，绝缘块设置在固定装置、上部电极和真空室壁之间，绝缘块用于封堵上部电极和真空室壁之间的空隙，绝缘块由弹性绝缘材料制成，绝缘块上靠近固定装置的一端设置有避让部。本实用新型专利技术的真空室工作稳定，不良率低，可靠性高。靠性高。靠性高。

【技术实现步骤摘要】
真空室


[0001]本技术涉及等离子体增强化学气相沉积
，尤其涉及一种真空室。

技术介绍

[0002]等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)是在沉积室利用辉光放电使气体电离后在衬底上进行化学反应沉积的一种薄膜制备方法，其对基体的结构和物理性质影响小、膜的厚度及成分均匀性好、膜层的附着力强，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。目前，PECVD一般是借由将特定组分的气体引入包含有基板的真空室的方式来完成，为了实现气流的均匀分布，在真空室的顶部设有上部电极和固定装置，气体扩散器通过固定装置固定在上部电极处，气体扩散器上设有大量的气体通道，使从真空室顶部输入的气体被均匀扩散在气体扩散器下方，气体被电离后生成的等离子体从而也分散在基板上方的各个位置。
[0003]但由于气体扩散器及固定装置通常具有较大的尺寸，由于反应过程的温度较高，用于固定气体扩散器的固定装置也需要承受较高的温度，固定装置在高温下会发生一定程度的膨胀变形，固定装置膨胀容易在固定装置的转角处集中，导致该处与绝缘块发生干涉，而固定装置在回复常温时则会收缩到原始形状，使得固定装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空室，其特征在于，包括上部电极、真空室壁、气体扩散器、固定装置和绝缘块，所述上部电极、所述固定装置和所述气体扩散器设置在所述真空室壁的内侧，所述上部电极、所述固定装置和所述气体扩散器依次固定连接，所述绝缘块设置在所述固定装置、所述上部电极和所述真空室壁之间，所述绝缘块用于封堵所述上部电极和所述真空室壁之间的空隙，所述绝缘块由弹性绝缘材料制成，所述绝缘块上靠近所述固定装置的一端设置有避让部。2.根据权利要求1所述的真空室，其特征在于，所述避让部的一侧设置有凹槽。3.根据权利要求2所述的真空室，其特征在于，所述避让部设置有远离所述固定装置的转角处的斜面，所述凹槽的槽壁平面与所述避让部的斜面平行。4.根据权利要求2所述的真空室，其特征在于，所述凹槽的数量为至少两个，每个所述凹槽间隔设置。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章华，
申请(专利权)人：乐金显示光电科技中国有限公司，
类型：新型
国别省市：