一种防伪标志的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种防伪标志的制备方法，该方法是用厚度为５～３０μ的高分子薄膜为原料，将该薄膜与一镂空有防伪图案的模板相重合，用离子加速器或核材料裂变碎片有控制地辐射，产生核径迹图案，再用紫外光照射氧化，最后用酸或碱蚀刻，形成防伪图案。本发明专利技术制备的防伪图案可用肉眼观察，也可用显微镜观察图案中圆孔的直径大小及孔密度，进一步微观识别真伪。而制备时必须具备核技术及尖端设备，无法轻易仿制，因而具有理想的防伪效果。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属核技术应用
在商品经济活动中，不时出现假冒伪劣商品。每个企业为了维护商品信誉和经济利益，纷纷采用各种防伪标志。传统的防伪标志，一般采用特殊纸张，特殊油墨印制防伪图案，或者采用热敏等特殊材料制作图案，或者采用激光全息照相技术在金属箔上刻制防伪图案。这些技术所需材料及设备易于得到，技术较简单，有制备能力的单位和个人很多，伪造容易，难于确实起到防伪效果，需要寻找新的防伪技术。本专利技术的目的是设计，利用核径迹技术制备防伪标志，利用高能重离子，辐射高分子薄膜，使高分子薄膜上的核径迹构成特殊图案，经化学蚀刻，使径迹进而成为微米亚微米级大小的园孔，显现出易于识别的精美防伪图案。这种技术涉及高级核技术及设备，个人不可能具备，有这种能力的单位也极少。因而能杜绝仿制，使制成的防伪标志能真正起到可靠的防伪效果。本专利技术设计的防伪标志的制备方法，包括下列各步骤(1)在一模板上刻出防伪图案，将图案部分镂空，或将图案背景部分镂空；(2)选取厚度为5～30μ的高分子薄膜，将此薄膜与模板相合；(3)以高能重离子从模板一侧向模板辐照，控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104～108/CM2；(4)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化，氧化时间1～30分钟，以增加核径迹化学活性；(5)用酸或碱对高分子薄膜进行蚀刻，蚀刻时间为5～30分钟，使径迹上的孔径范围为0.1μ＜d＜10μ，薄膜上即形成防伪标志。本专利技术的防伪标志，也可以用另一种方法制备，该方法包括下列各步骤(1)选取厚度为5～30μ的高分子薄膜；(2)用高能离子加速器对高分子薄膜进行辐照，通过离子聚焦控制扫描，在薄膜上产生所需防伪标志的核径迹，控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104～108/CM2；(3)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化，氧化时间1～30分钟；(4)用酸或碱对高分子薄膜进行蚀刻，蚀刻时间为5～30分钟，使径迹上的孔径范围为0.1μ＜d＜10μ，薄膜上即形成防伪标志。本专利技术采用核径迹技术，制备新型防伪标志，由特殊园孔构成防伪图案，可用肉眼直接观察或用彩色墨水轻轻涂抹，立即显出清晰图案，也可用显微镜观察图案中园孔的直径大小及孔密度等，以作更进一步的微观识别真伪。而制备技术及设备，必须具备核技术及尖端设备，无法轻易仿制，因而制备的防伪标志，具有理想的防伪效果。 附图说明图1是本专利技术制备防伪标志的方法原理图，该方法中利用U-235裂变碎片形成径迹图案。图2是本专利技术设计的另一种方法原理图，该方法中利用离子加速器形成径迹图案。图1和图2中，1是是U235镀板，2是模板，3是高分子薄膜，4是离子加速器，5是离子光学系统。本专利技术中所用的高能，可以从高能离子加速器获得，也可以从U-235等材料裂变碎片获得。所用的高分子薄膜的材料为聚丙烯、聚酯或聚碳酸酯。用以对高分子薄膜进行蚀刻的酸为硫酸，碱为氢氧化钠或氢氧化钾。下面介绍本专利技术的实施例。实施例1用厚度为10μ的聚酯薄膜，与一块镂空有防伪图案的模板相重合，用铀-235裂变碎片辐照，使薄膜上的核径迹孔密度为106/CM2，用紫外光照射15分钟，经氧化后，用5当量浓度的氢氧化钾溶蚀刻10分钟，蚀刻温度为50℃，使核径迹孔径为3.0μ，干燥后即为防伪标志成品。实施例2用厚度为12μ的聚碳酸酯薄膜，用氪离子加速器加速到1.8兆电子伏特时辐射薄膜，通过离子聚焦控制扫描，在薄膜上形成所需防伪图案，使图案核径迹密度为105/CM2，再用紫外光照射20分钟，经氧化，用6当量浓度的氢氧化钠溶液蚀刻15分钟，蚀刻温度为60℃，使核径迹孔径为5.0μ，干燥后即为防伪标志成品。实施例3用厚度为15μ的聚丙烯薄膜，与形状为防伪标志的模板相重合，用铀-235裂变碎片辐照，使薄膜上的核径迹孔密度为107/CM2，用紫外光照射20分钟，经氧化后，用18当量浓度的硫酸蚀刻10分钟，蚀刻温度为80℃，使核径迹孔径为2.0μ，干燥后即为防伪标志成品。权利要求1.，其特征在于该方法包括下列各步骤(1)在一模板上刻出防伪图案，将图案部分镂空，或将图案背景部分镂空；(2)选取厚度为5～30μ的高分子薄膜，将此薄膜与模板相合；(3)以高能重离子从模板一侧向模板辐照，控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104～108/CM2；(4)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化，氧化时间1～30分钟；(5)用酸或碱溶液对高分子薄膜进行蚀刻，蚀刻温度40～80℃之间，蚀刻时间为5～30分钟，使径迹上的孔径范围为0.1μ＜d＜10μ，薄膜上即形成防伪标志。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于其中所述的高分子薄膜的膜材料为聚丙烯、聚脂和聚碳酸酯中的任何一种。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于其中所述的用以蚀刻的酸为硫酸，碱为氢氧化钠或氢氧化钾。4.，其特征在于该方法包括下列各步骤(1)选取厚度为5～30μ的高分子薄膜；(2)用高能离子加速器对高分子薄膜进行辐照，通过离子聚焦控制扫描，在薄膜上产生所需防伪标志的核径迹，控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104～108/CM2；(3)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化，氧化时间1～30分钟；(4)用酸或碱对高分子薄膜进行蚀刻，蚀刻时间为5～30分钟，使径迹上的孔径范围为0.1μ＜d＜10μ，薄膜上即形成防伪标志。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于其中所述的高分子薄膜的膜材料为聚丙烯、聚脂和聚碳酸酯中的任何一种。6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于其中所述的用以蚀刻的酸为硫酸，碱为氢氧化钠或氢氧化钾。全文摘要本专利技术涉及，该方法是用厚度为5～30μ的高分子薄膜为原料，将该薄膜与一镂空有防伪图案的模板相重合，用离子加速器或核材料裂变碎片有控制地辐射，产生核径迹图案，再用紫外光照射氧化，最后用酸或碱蚀刻，形成防伪图案。本专利技术制备的防伪图案可用肉眼观察，也可用显微镜观察图案中圆孔的直径大小及孔密度，进一步微观识别真伪。而制备时必须具备核技术及尖端设备，无法轻易仿制，因而具有理想的防伪效果。文档编号G09F3/00GK1159040SQ9612070公开日1997年9月10日 申请日期1996年11月22日 优先权日1996年11月22日专利技术者张泉荣, 严玉顺, 王守忠, 张伟, 王国欣, 樊诗国 申请人:清华大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防伪标志的制备方法，其特征在于该方法包括下列各步骤：（１）在一模板上刻出防伪图案，将图案部分镂空，或将图案背景部分镂空；（２）选取厚度为５～３０μ的高分子薄膜，将此薄膜与模板相合；（３）以高能重离子从模板一侧向模板辐照，控制 辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为１０↑［４］～１０↑［８］／ＣＭ↑［２］；（４）对高分子薄膜进行紫外光照射氧化，氧化时间１～３０分钟；（５）用酸或碱溶液对高分子薄膜进行蚀刻，蚀刻温度４０～８０℃之间，蚀刻时间为５～ ３０分钟，使径迹上的孔径范围为０．１μ＜ｄ＜１０μ，薄膜上即形成防伪标志。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张泉荣，严玉顺，王守忠，张伟，王国欣，樊诗国，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]