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本发明涉及一种防伪标志的制备方法，该方法是用厚度为５～３０μ的高分子薄膜为原料，将该薄膜与一镂空有防伪图案的模板相重合，用离子加速器或核材料裂变碎片有控制地辐射，产生核径迹图案，再用紫外光照射氧化，最后用酸或碱蚀刻，形成防伪图案。本发明制备...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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