存储器件和方法技术

在实施例中，一种存储器件包括：位于衬底上方的第一介电层；位于该第一介电层上方的字线，该字线包括第一主层和第一粘合层，该第一粘合层沿该第一主层的底面、顶面和第一侧壁延伸；位于该字线上方的第二介电层；延伸穿过该第二介电层和第一介电层的第一位线；以及设置在该第一位线与字线之间的数据存储带，该数据存储带沿字线的第二侧壁延伸。本发明专利技术的实施例还涉及形成存储器件的方法。还涉及形成存储器件的方法。还涉及形成存储器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
存储器件和方法


[0001]本专利技术的实施例涉及存储器件和方法。

技术介绍

[0002]做为示例，半导体存储器用于包括无线电、电视、手机和个人计算设备等电子应用的集成电路中。半导体存储器包括两种主要类别。一种是易失性存储器；另一种是非易失性存储器。易失性存储器包括随机存取存储器(RAM)，可以将其进一步分为两个子类别，静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。SRAM和DRAM均为易失性的，因为它们在不加电时会丢失存储的信息。
[0003]另一方面，非易失性存储器可以将数据存储在其上。一种非易失性半导体存储器是铁电随机存取存储器(FeRAM或FRAM)。FeRAM的优点包括写入/读取速度快和体积小。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的一个方面，提供了一种形成存储器件的方法，包括：在多层堆叠中蚀刻第一沟槽，多层堆叠包括交替的介电层和牺牲层；用第一导电部件替换由第一沟槽暴露的牺牲层的第一部分；在第一沟槽中形成第一数据存储带和第一半导体带；在形成第一数据存储带和第一半导体带之后，在多层堆叠中刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成存储器件的方法，包括：在多层堆叠中蚀刻第一沟槽，所述多层堆叠包括交替的介电层和牺牲层；用第一导电部件替换由所述第一沟槽暴露的所述牺牲层的第一部分；在所述第一沟槽中形成第一数据存储带和第一半导体带；在形成所述第一数据存储带和所述第一半导体带之后，在所述多层堆叠中刻蚀第二沟槽；用第二导电部件替换由所述第二沟槽暴露的所述牺牲层的第二部分；以及在所述第二沟槽中形成第二数据存储带和第二半导体带。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一沟槽中沉积第一介电层，所述第一半导体带设置在所述第一介电层与所述第一数据存储带之间；以及在所述第二沟槽中沉积第二介电层，所述第二半导体带设置在所述第二介电层与所述第二数据存储带之间。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：形成第一介电插塞和第二介电插塞，所述第一介电插塞延伸穿过所述第一介电层和所述第一半导体带，所述第二介电插塞延伸穿过所述第二介电层和所述第二半导体带；形成第一位线和第二位线，所述第一位线延伸穿过所述第一介电层，所述第二位线延伸穿过所述第二介电层；以及形成第一源极线和第二源极线，所述第一源极线延伸穿过所述第一介电层，所述第二源极线延伸穿过所述第二介电层，所述第一介电插塞设置在所述第一源极线与所述第一位线之间，所述第二介电插塞设置在所述第二源极线与所述第二位线之间。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一数据存储带接触每个所述第一导电部件，所述第二数据存储带接触每个所述第二导电部件。5.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述第一沟槽中沉积第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾汉中，林仲德，杨丰诚，林孟汉，王圣祯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：