温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在实施例中，一种存储器件包括：位于衬底上方的第一介电层；位于该第一介电层上方的字线，该字线包括第一主层和第一粘合层，该第一粘合层沿该第一主层的底面、顶面和第一侧壁延伸；位于该字线上方的第二介电层；延伸穿过该第二介电层和第一介电层的第一位线；...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。