本发明专利技术涉及硅锭制造技术领域，且公开了一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，通过复位塞活动套接在复位管的内部，使得当多晶硅放置在复位型载料板和固定式载料板的顶部，此时调节三角槽的外形呈三角且顶部的宽度大于底部的宽度，并且调节三角槽与固定式载料板和复位型载料板相对应，使得复位型载料板和固定式载料板从呈交错布置的方式变化为对应布置的方式，此时复位型载料板和固定式载料板所形成的网格距离较大，使得多晶硅熔化后的液体能够通过复位型载料板和固定式载料板并沿着斜面储液槽内壁的斜面进入到储液装置的内部，避免液态多晶硅向下流动时受到的阻力过高使得在高温下与石英发生反应导致变质的问题，提高了该装置熔化过程中的稳定性。熔化过程中的稳定性。熔化过程中的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉
[0001]本专利技术涉及硅锭制造
，具体为一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉。
技术介绍
[0002]单质硅时生产芯片中必不可少的材料之一，而单质硅需要从多晶硅中进行提纯，现有运用最为广泛的提纯技术就是从熔融状态下的多晶硅通过直拉法进行提纯，并且这种技术中最为关键的步骤就是堆多晶硅的熔化，通过将高频高压交变电通入线圈产生高温来对炉内的多晶硅进行加热，可以很轻松的使炉内的多晶硅达到熔点，由于多晶硅具有非常优秀的隔热性，使得多晶硅的熔融速度较慢，所以操作员会将温度数值设置在一个较高的水平下，从而提高多晶硅的熔融速度，这也是目前使用最为广泛的方式。
[0003]由于多晶硅的熔点和与石英材质的加热炉发生反应的临界温度点较为接近，温度一旦控制不好就极易发生熔融状态的多晶硅与石英发生反应导致液态的多晶硅受到污染使得后续的提纯步骤无法进行，并且参与熔融的多晶硅也无法再次使用，导致资源的浪费，若采取加热至多晶硅熔点又会使多晶硅的整个熔融过程非常的漫长，使得生产效率降低，对此，本申请文件提出一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，旨在解决上述所提出的问题。
技术实现思路
[0004]针对
技术介绍
中提出的现有用于多晶硅提纯的电磁加热炉在使用过程中存在的不足，本专利技术提供了一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，具备即可高温加速多晶硅熔融速度也可避免熔融状态下的多晶硅与石英材质的熔炉发生反应的优点，解决了传统设备易出现熔融状态下的多晶硅与石英材质的熔炉发生反应的问题。
[0005]本专利技术提供如下技术方案：一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，包括外壳，其特征在于：所述外壳内腔的底部固定安装有支撑柱，所述支撑柱的顶部固定安装有圆形加热板，所述外壳内腔底部且位于支撑柱外侧的位置上固定安装有支撑座，所述支撑座的顶部固定安装有支撑环，所述支撑环的顶部放置有储液装置，所述储液装置的内部活动套接有承载装置，所述外壳内壁且位于承载装置上方的位置上固定安装有双管型加热器，所述外壳外表面且位于双管型加热器上方的位置上固定安装有入料口，所述储液装置的内部固定套接有姿态调整装置。
[0006]优选的，所述储液装置包括斜面储液槽，所述斜面储液槽的内壁设置为斜面，所述斜面储液槽的顶部固定安装有行程套筒，所述行程套筒的内壁上开设有行程槽且行程槽的内部活动套接有承载装置，所述行程槽的顶部固定安装有触发开关，所述触发开关的输出端通过信号连接的方式与双管型加热器的输入端相连接，所述行程槽的底部且位于斜面储液槽外侧的位置上固定安装有复位管。
[0007]优选的，所述承载装置包括防漏板，所述防漏板的外表面固定套接有固定式载料板，所述防漏板的底部固定安装有限位环，所述防漏板外表面且位于固定式载料板和限位环之间的位置上活动套接有复位型载料板，所述复位型载料板与固定式载料板之间呈交错
式布置，所述固定式载料板的外表面固定安装有外固定架，所述外固定架的底部固定安装有复位塞且复位塞的数量为六个并以环形阵列的方式分布，所述复位塞活动套接在复位管的内部。
[0008]优选的，所述姿态调整装置包括调节环形板，所述调节环形板的顶部开设有调节三角槽，所述调节三角槽的外形呈三角且顶部的宽度大于底部的宽度，所述调节三角槽与固定式载料板和复位型载料板相对应。
[0009]优选的，所述双管型加热器由两层环形电磁加热板构成，所述双管型加热器外侧位于行程套筒的外侧且双管型加热器内侧位于防漏板的内侧。
[0010]本专利技术具备以下有益效果：
[0011]1、本专利技术通过复位塞活动套接在复位管的内部，使得当多晶硅放置在复位型载料板和固定式载料板的顶部，此时由于承载装置顶部的负重增加使得承载装置沿图2中竖直向下的方向上移动，此时通过调节三角槽的外形呈三角且顶部的宽度大于底部的宽度，并且调节三角槽与固定式载料板和复位型载料板相对应，使得复位型载料板和固定式载料板从呈交错布置的方式变化为对应布置的方式，此时复位型载料板和固定式载料板所形成的的网格距离较大，使得多晶硅熔化后的液体能够通过复位型载料板和固定式载料板并沿着斜面储液槽内壁的斜面进入到储液装置的内部，避免液态多晶硅向下流动时受到的阻力过高使得在高温下与石英发生反应导致变质的问题，提高了该装置熔化过程中的稳定性，当随着熔化的进行，承载装置顶部的负重逐渐减小，此时承载装置会在复位塞的复位效果下沿图2竖直向上的方向上移动，从而使复位型载料板和固定式载料板逐渐恢复至交错布置的方式，从而避免多晶硅因熔化后体积减小并直接从固定式载料板和复位型载料板之间所形成的的网格中漏出并直接进入到储液装置的内部导致后续提纯的步骤无法进行的问题，提高了熔化过程中多晶硅位置的稳定性。
[0012]2、本专利技术通过双管型加热器外侧位于行程套筒的外侧且双管型加热器内侧位于防漏板的内侧，使得双管型加热器在被施加高频交流电并产生大量热量后可以对承载装置上方的多晶硅的内侧和外侧同时进行加热，提高了多晶硅的熔化效率，由于承载装置上方多晶硅融化后的液体会进入到储液装置中，使得双管型加热器所设置的温度可以高于原有设备的加热温度，从而进一步提高了多晶硅的熔化速度，同时也避免了过高的温度使熔化后的液体多晶硅与石英材质的构件发生反应导致变形的问题，最大程度的提高了该设备熔化多晶硅的效率。
[0013]3、本专利技术通过支撑柱的顶部固定安装有圆形加热板，使得圆形加热板能够对斜面储液槽的底部进行单独的加热，流入至储液装置内部的多晶硅液体能够在斜面储液槽的加热效果下维持自身体态的状态，保证后续提纯的步骤能够顺利进行，同时，这种加热方式使得斜面储液槽内壁的温度要低于底部的温度，使得温度过高的多晶硅液体在与斜面储液槽内壁接触的过程中会经过一次降温处理，避免液态多晶硅温度过高直接与斜面储液槽的内壁发生反应导致变质的问题，提高了储液装置内部多晶硅状态的稳定性。
[0014]4、触发开关的输出端通过信号连接的方式与双管型加热器的输入端相连接，使得承载装置上方的多晶硅完全熔化并熔化后的液体流入储液装置的内不时，此时承载装置的负重完全消失并在复位塞的作用下完全复位使得外固定架的顶部与触发开关接触，使得触发开关发出信号并控制双管型加热器进行关闭，从而最大程度上降低该设备耗电量，降低
了该装置的使用成本，同时，当多晶硅从支撑柱被加入到承载装置的上方并发生运后外固定架会与触发开关脱离接触从而使双管型加热器再次进入工作状态，且该过程不需要人工参与，提高了该装置的自动化程度。
附图说明
[0015]图1为本专利技术结构示意图；
[0016]图2为本专利技术结构剖面示意图；
[0017]图3为本专利技术结构储液装置示意图；
[0018]图4为本专利技术结构储液装置剖面示意图；
[0019]图5为本专利技术结构承载装置示意图；
[0020]图6为本专利技术结构承载装置剖面示意图；
[0021]图7为本专利技术结构姿态调整装置示意图。
[0022]图中：1、外壳；2、支撑柱；3、圆形加热板；4、支撑座；5、支撑环；6、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)内腔的底部固定安装有支撑柱(2)，所述支撑柱(2)的顶部固定安装有圆形加热板(3)，所述外壳(1)内腔底部且位于支撑柱(2)外侧的位置上固定安装有支撑座(4)，所述支撑座(4)的顶部固定安装有支撑环(5)，所述支撑环(5)的顶部放置有储液装置(6)，所述储液装置(6)的内部活动套接有承载装置(7)，所述外壳(1)内壁且位于承载装置(7)上方的位置上固定安装有双管型加热器(8)，所述外壳(1)外表面且位于双管型加热器(8)上方的位置上固定安装有入料口(9)，所述储液装置(6)的内部固定套接有姿态调整装置(10)。2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，其特征在于：所述储液装置(6)包括斜面储液槽(61)，所述斜面储液槽(61)的内壁设置为斜面，所述斜面储液槽(61)的顶部固定安装有行程套筒(62)，所述行程套筒(62)的内壁上开设有行程槽(63)且行程槽(63)的内部活动套接有承载装置(7)，所述行程槽(63)的顶部固定安装有触发开关(64)，所述触发开关(64)的输出端通过信号连接的方式与双管型加热器(8)的输入端相连接，所述行程槽(63)的底部且位于斜面储液槽(61)外侧的位置上固定安装有复位管(65)。3.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹明贵，
申请(专利权)人：曹明贵，
类型：发明
国别省市：
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