一种发光二极管、光电模块及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置。本发明专利技术通过控制发光二极管第二接触电极的条状部分与发光二极管表面几何中心的最小间距，既扩大顶针作业窗口，避免顶针顶破接触电极凸起区域而容易顶破导致芯片异常的问题，又通过设置第二焊盘电极上通过的位置，避免了因接触电极进行变化导致的电流变化而引起的发光二极管发光不均匀的问题。管发光不均匀的问题。管发光不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管、光电模块及显示装置


[0001]本专利技术涉及发光二极管制造
，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。LED芯片分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装芯片具有高电流、可靠和使用简便等优点，目前已得到大规模应用。
[0003]目前，部分倒装LED包括衬底和外延结构，而外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，位于第一半导体层之上，电连接至第一半导体层，至少包括第一焊盘电极和第一接触电极，第一接触电极与第一半导体层形成欧姆接触；第二电极，位于第二半导体层之上，电连接至第二半导体层，至少包括第二焊盘电极；绝缘层，位于第二半导体层之上，并覆盖第一接触电极，第一焊盘电极和第二焊盘电极形成在绝缘层上，第一焊盘电极和第二焊盘电极上均分别设置有贯穿绝缘层的两个通孔，焊盘电极通过通孔与第一/第二接触电极和第一/第二半导体层电连接。
[0004]发光二极管的倒装结构，即把正装芯片倒置，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出，基于这种倒装结构设计的发光二极管称为倒装型发光二极管。本领域技术人员为了一些目的，会调整发光二极管的结构，如图1所示，目前倒装芯片的接触电极的条状部分凸起区域落在顶针的作业区域，则在封装固晶时，顶针会直接顶在芯片正面，若顶针顶在指状电极凸起区域时，则容易顶破导致芯片异常(如图2所示)。申请人在申请号为2021100962764的专利中提出了，为了避免封装固晶时，顶针容易顶破接触电极凸起区域而容易顶破导致芯片异常的问题，改变接触电极条状部分的位置，以绕开顶针作业区域。又或是，出于其余目的，做出对接触电极条状部分结构或者位置的其它设计。
[0005]然而，在接触电极的结构形状或者位置发生一定改变的时候，发光二极管的内部电流将会发生异常，进而引起发光二极管发光不均匀的问题。

技术实现思路

[0006]为了解决上述
技术介绍
中提到的接触电极结构形状或者位置发生变化后，发光二极管的内部电流将会发生异常，从而导致的电流变化引起发光二极管发光相对不均匀的问题，本专利技术提供一种发光二极管，包括：
[0007]衬底；
[0008]衬底上的外延结构，包括在衬底上由下至上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
[0009]第一电极和第二电极，其中所述第一电极电连接至第一半导体层，所述第二电极电连接至第二半导体层；所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第二电极至少包括第
二焊盘电极和第二接触电极，第二接触电极位于第二半导体层之上，所述第二接触电极至少两个，其中一个第二接触电极具有条状部分；
[0010]绝缘层，位于所述第二半导体层之上，并覆盖所述第二接触电极，所述第二焊盘电极形成在所述绝缘层上，且设置有贯穿所述绝缘层的第一通孔和第二通孔；
[0011]所述第二焊盘电极通过所述第一通孔与所述具有条状部分的第二接触电极电连接，通过所述第二通孔与其它的第二接触电极电连接；
[0012]从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：
[0013]所述发光二极管具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一短边、第一长边、第二短边和第二长边，所述的第一短边相对于第一长边和第二长边更短；
[0014]第一焊盘电极相对于第二焊盘电极更靠近第一短边；
[0015]所述第一通孔与第一短边的距离小于第二通孔与第一短边的距离，所述第一通孔与第一长边的距离小于第二通孔与第一长边的距离，所述的条状部分与发光二极管表面几何中心具有一定的最小间距，所述的最小间距大于0。
[0016]在上述技术方案的基础上，优选地，所述其中一个第二接触电极包括点状部分和条状部分，所述第一通孔位于所述第二接触电极的点状部分上，所述的第二接触电极的条状部分形状是直线或者是曲线或者是不同延申方向的直线组合或者是曲线或者是直线和曲线组合。
[0017]在上述技术方案的基础上，优选地，从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：
[0018]定义一条中心线平行于第一长边和第二长边，且位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第一通孔位于中心线与第一长边之间，并且第一通孔与第一短边之间的距离大于第一通孔与第二短边之间的距离，所述最小间距位于第一长边和第二长边之间。
[0019]在上述技术方案的基础上，优选地，从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：
[0020]所述第二接触电极的条状部分点状部分开始延申出去，延申方向是：先逐渐靠近第一长边和第一短边，再靠近第二长边和第一短边。
[0021]在上述技术方案的基础上，优选地，从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：
[0022]所述第二接触电极的条状部分自点状部分开始延申出去，延申方向是:先平行于第一长边延申，再弯曲靠近第二长边和第一短边。
[0023]在上述技术方案的基础上，优选地，从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：
[0024]所述第二接触电极的条状部分平行于第一长边延申至末端。
[0025]在上述技术方案的基础上，优选地，所述第一通孔和第二通孔均位于中心线与第一长边之间；所述第二通孔与中心线之间的最短距离小于第一通孔与中心线之间的最短距离。
[0026]在上述技术方案的基础上，优选地，从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：
[0027]定义一条中心线平行且等距地位于第一长边和第二长边之间的中间位置；
[0028]所述第一通孔位于中心线与第一长边之间，第二通孔就位于中心线上或者第一通孔和第二通孔位于中心线的两侧。
[0029]在上述技术方案的基础上，优选地，所述第二接触电极的条状部分弯曲时的弯曲点与第一长边的距离为发光二极管本体第一短边尺寸的0～1/3，所述第二接触电极的末端与第一长边的距离为发光二极管第一短边尺寸的1/3～2/3。
[0030]在上述技术方案的基础上，优选地，从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：
[0031]所述一个第二接触电极的条状部分与发光二极管表面几何中心的最小间距大于等于25μm。
[0032]在上述技术方案的基础上，优选地，所述条状部分与发光二极管表面几何中心的最小间距大于等于35μm。
[0033]在上述技术方案的基础上，优选地，所述第二接触电极的条状部分长度为所述发光二极管本体第一长边的30％～60％。
[0034]在上述技术方案的基础上，优选地，所述第一通孔和第二通孔的孔径小于所述第一短边长度的一半。
[0035]在上述技术方案的基础上，优选地，第一电极包括第一焊盘电极和第一接触电极；所述第一焊盘电极形成在所述绝缘层上，且所述绝缘层具有贯穿的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其包括：衬底；衬底上的外延结构，包括在衬底上由下至上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极和第二电极，其中所述第一电极电连接至第一半导体层，所述第二电极电连接至第二半导体层；所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第二电极至少包括第二焊盘电极和第二接触电极，第二接触电极位于第二半导体层之上，所述第二接触电极至少两个，其中一个第二接触电极具有条状部分；绝缘层，位于所述第二半导体层之上，并覆盖所述第二接触电极，所述第二焊盘电极形成在所述绝缘层上，且设置有贯穿所述绝缘层的第一通孔和第二通孔；所述第二焊盘电极通过所述第一通孔与所述具有条状部分的第二接触电极电连接，通过所述第二通孔与其它的第二接触电极电连接；从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述发光二极管具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一短边、第一长边、第二短边和第二长边，所述的第一短边相对于第一长边和第二长边更短；第一焊盘电极相对于第二焊盘电极更靠近第一短边；所述第一通孔与第一短边的距离小于第二通孔与第一短边的距离，所述第一通孔与第一长边的距离小于第二通孔与第一长边的距离，所述的条状部分与发光二极管表面几何中心具有一定的最小间距，所述的最小间距大于0。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述其中一个第二接触电极包括点状部分和条状部分，所述第一通孔位于所述第二接触电极的点状部分上，所述的第二接触电极的条状部分形状是直线或者是曲线或者是不同延申方向的直线组合或者是直线和曲线组合。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：定义一条中心线平行于第一长边和第二长边，且位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第一通孔位于中心线与第一长边之间，并且第一通孔与第一短边之间的距离大于第一通孔与第二短边之间的距离，所述最小间距位于第一长边和第二长边之间。4.根据权利要求3所述的发光二级管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述第二接触电极的条状部分点状部分开始延申出去，延申方向是：先逐渐靠近第一长边和第一短边，再靠近第二长边和第一短边。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述第二接触电极的条状部分自点状部分开始延申出去，延申方向是:先平行于第一长边延申，再弯曲靠近第二长边和第一短边。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述第二接触电极的条状部分平行于第一长边延申至末端。
7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一通孔和第二通孔均位于中心线与第一长边之间；所述第二通孔与中心线之间的最短距离小于第一通孔与中心线之间的最短距离。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：定义一条中心线平行且等距地位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第一通孔位于中心线与第一长边之间，第二通孔就位于中心线上或者第一通孔和第二通孔位于中心线的两侧。9.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何安和，林素慧，曾江斌，卢超，黄敏，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：