根据本公开的一个实施方式的发光元件设置有：半导体层，具有第一表面和第二表面，并且从第一表面侧由依次的第一导电类型层、有源层和第二导电类型层的叠层形成；第一介电层，设置在半导体层的第二表面侧上并且具有开口；第一电极，在半导体层的第一表面侧上电耦接至第一导电类型层；以及第二电极，设置在第一介电层上并且经由开口电耦接至第二导电类型层。层上并且经由开口电耦接至第二导电类型层。层上并且经由开口电耦接至第二导电类型层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件和图像显示装置
[0001]本公开涉及一种沿半导体的堆叠方向发光的发光元件以及包括该发光元件的图像显示装置。
技术介绍
[0002]近年来，通过收集诸如发光二极管(LED)的多个发光元件而配置的照明装置或图像显示装置已变得流行。其中，使用LED用作显示像素的LED显示器作为轻且薄的显示器而受到关注，并且已经进行了诸如提高发光效率的各种改进。
[0003]例如，专利文献1公开了一种包括堆叠了半导体层和接触层的配置的发光元件。该半导体层具有第一导电类型层、有源层和第二导电类型层。通过在接触层上设置包括具有预定折射率的透明材料的绝缘层，发光元件提高了正向上的光提取效率，该接触层形成在光提取表面侧。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本未经审查专利申请公开号2016
‑
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技术实现思路
[0007]顺便提及，在构成照明装置或显示装置的发光元件中，需要与导电电极的连通性和光提取效率之间的兼容性。
[0008]希望提供一种允许与导电电极的连通性和光提取效率之间的兼容性的发光元件和图像显示装置。
[0009]根据本公开的一个实施方式的发光元件包括：半导体层，具有第一表面和第二表面，并且包括从第一表面侧依次堆叠的第一导电类型层、有源层和第二导电类型层；第一介电层，设置在半导体层的第二表面侧上并且具有开口；第一电极，在半导体层的第一表面侧上电耦接至第一导电类型层；以及第二电极，设置在第一介电层上并且经由开口电耦接至第二导电类型层。
[0010]根据本公开的一个实施方式的图像显示装置包括上述根据一个实施方式的发光元件作为多个发光元件。
[0011]在根据本公开的一个实施方式的发光元件和根据本公开的一个实施方式的图像显示装置中，具有开口的第一介电层设置在半导体层的第二表面侧上，在该半导体层中堆叠有第一导电类型层、有源层和第二导电类型层，并且第二导电类型层与设置在第一介电层上的第二电极经由开口彼此电耦接。因此，例如可以在增大设置在例如发光元件上的外部配线与第二电极之间的位置偏差的余量的同时，减小第二电极的形成区域。
附图说明
[0012]图1A包括示出根据本公开的第一实施方式的发光元件的配置的示例的示意性截
面图(A)和示意性平面图(B)。
[0013]图1B是示出根据本公开的第一实施方式的发光元件的配置的另一示例的示意性截面图。
[0014]图1C是示出根据本公开的第一实施方式的发光元件的配置的另一示例的示意性截面图。
[0015]图2A是示出外部配线与图1所示的发光元件的耦接的示例的示意性平面图。
[0016]图2B是示出图2A所示的发光元件和外部配线的配置的示意性截面图。
[0017]图3A是示出外部配线与图1所示的发光元件的耦接的另一示例的示意性平面图。
[0018]图3B是示出图3A所示的发光元件和外部配线的配置的示意性截面图。
[0019]图4A是示出包括多个图1所示的发光元件的发光单元的配置的示例的透视图。
[0020]图4B是示出图4A所示的发光单元的截面配置的示意图。
[0021]图5包括示出通常的发光元件的配置的示例的示意性截面图(A)和示意性平面图(B)。
[0022]图6包括示出根据本公开的第二实施方式的发光元件的配置的示例的示意性截面图(A)和示意性平面图(B)。
[0023]图7A是示出根据本公开的第三实施方式的发光元件的配置的示例的示意性截面图。
[0024]图7B是示出图7A所示的发光元件的示意性平面图。
[0025]图8是示出根据本公开的变型例的发光元件的配置的示例的示意性平面图。
[0026]图9是示出作为应用例的设置有图1等所示的发光元件的显示装置的配置的示例的透视图。
[0027]图10是示出图9所示的显示装置的布局的示例的示意图。
[0028]图11A是示出作为应用例的照明装置的示例的平面图。
[0029]图11B是示出图11A所示的照明装置的透视图。
[0030]图12A是示出作为应用例的照明装置的另一示例的平面图。
[0031]图12B是示出图12A所示的照明装置的透视图。
[0032]图13A是示出作为应用例的照明装置的另一示例的平面图。
[0033]图13B是示出图13A所示的照明装置的透视图。
具体实施方式
[0034]在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方式。以下描述是本公开的具体示例，但是本公开不限于以下实施方式。另外，本公开不限于附图中所示的组成元件的布置、尺寸、尺寸比例等。应当注意，按照以下顺序给出描述。
[0035]1.第一实施方式(介电层设置在第二导电类型层上并且第二导电类型层与第二电极通过设置在介电层上的开口彼此电耦接的示例)
[0036]1‑
1.发光元件的配置
[0037]1‑
2.发光单元的配置
[0038]1‑
3.工作和效果
[0039]2.第二实施方式(第二电极具有单层结构的示例)
[0040]3.第三实施方式(凹凸结构设置在第二电极周围的示例)
[0041]4.变型例(第二电极布置在光提取表面的对角线上的示例)
[0042]5.应用例
[0043]<1.第一实施方式>
[0044]图1A的(A)示意性地示出根据本公开的第一实施方式的发光元件(发光元件10)的截面配置，并且图1A的(B)示意性地示出图1A的(A)所示的发光元件10的平面配置。注意，图1A的(A)表示沿图1A的(B)中所示的I
‑
I线截取的截面。发光元件10是LED芯片，并且例如适合用作被称为所谓的LED显示器的图像显示装置(例如，显示装置2(参见图9))的显示像素。
[0045]发光元件10具有半导体层11(半导体层)，在该半导体层11中，第一导电类型层12、有源层13、以及例如包括第二导电类型层14和第二导电类型层15的两层按此顺序堆叠。第一导电类型层12的下表面是半导体层11的背表面(表面S1；第一表面)，并且第二导电类型层15的上表面是半导体层11的光提取表面(表面S2；第二表面)。如图1A的(A)所示，发光元件10的侧表面(表面S3)具有与每层的堆叠方向(Y轴方向)相交的倾斜表面。具体地，发光元件10的截面为倒梯形形状。发光元件10在半导体层11的表面S1侧具有第一电极21，并且在半导体层11的表面S2侧具有第二电极22。在本实施方式的发光元件10中，介电层19(第一介电层)设置在半导体层11的第二导电类型层15上，并且第二导电类型层15与第二电极22通过设置在介电层19上的开口19H彼此电耦接。在半导体层11的侧表面(表面S3)和半导体层11的下表面(表面S1)上，设置堆叠有介电层16、金属层17和介电层1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，包括：半导体层，具有第一表面和第二表面，并且包括从第一表面侧依次堆叠的第一导电类型层、有源层和第二导电类型层；第一介电层，设置在所述半导体层的第二表面侧上并且具有开口；第一电极，在所述半导体层的所述第一表面侧上电耦接至所述第一导电类型层；以及第二电极，设置在所述第一介电层上并且经由所述开口电耦接至所述第二导电类型层。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极具有平面形状，所述平面形状具有长边方向和短边方向并且具有大于1的纵横比。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极具有所述开口介于所述第二电极之间的基本对称的结构。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极包括：连接部，覆盖所述开口并且电耦接至所述第二导电类型层；以及延伸部，在彼此相对的方向上延伸，所述连接部在所述延伸部之间。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述连接部具有基本圆形的形状，并且所述延伸部以小于所述连接部的直径的宽度各自延伸。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极包括：接触部，设置在所述第二导电类型层上并且具有周边，所述周边的至少一部分被所述第一介电层覆盖；以及焊盘部，设置在所述第一介电层上，并延伸到所述开口的内部并且耦接至所述接触部。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述半导体层具有凹凸结构，所述凹凸结构位于形成所述第二电极的区域的外部。8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，从所述半导体层的侧表面向所述半导体层的所述第一表面设置有金属层。9.根据权利要求8所述的发光元件，其中，所述金属层与第二介电层一起形成层压膜，并且从所述半导体层的所述侧表面经由所述第二介电层向所述半导体层的所述第一表面设置有所述金属层。10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，外部配线耦接至所述第二电极。11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述第二电极具有平面形状，所述平面形状具有长边方向和短边方向，并且所述外部配线被布置成与所述第二电极的长边方向相交。12.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第一电极包括：接触部，设置在所述第一导电类型层上并且具有周边，所述周边的至少一部分被第二介电层覆盖，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥山浩之，汐先政贵，野泽伸介，古川直树，菅原伸浩，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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