发光元件和图像显示装置制造方法及图纸

根据本公开的一个实施方式的发光元件设置有：半导体层，具有第一表面和第二表面，并且从第一表面侧由依次的第一导电类型层、有源层和第二导电类型层的叠层形成；第一介电层，设置在半导体层的第二表面侧上并且具有开口；第一电极，在半导体层的第一表面侧上电耦接至第一导电类型层；以及第二电极，设置在第一介电层上并且经由开口电耦接至第二导电类型层。层上并且经由开口电耦接至第二导电类型层。层上并且经由开口电耦接至第二导电类型层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件和图像显示装置


[0001]本公开涉及一种沿半导体的堆叠方向发光的发光元件以及包括该发光元件的图像显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，通过收集诸如发光二极管(LED)的多个发光元件而配置的照明装置或图像显示装置已变得流行。其中，使用LED用作显示像素的LED显示器作为轻且薄的显示器而受到关注，并且已经进行了诸如提高发光效率的各种改进。
[0003]例如，专利文献1公开了一种包括堆叠了半导体层和接触层的配置的发光元件。该半导体层具有第一导电类型层、有源层和第二导电类型层。通过在接触层上设置包括具有预定折射率的透明材料的绝缘层，发光元件提高了正向上的光提取效率，该接触层形成在光提取表面侧。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本未经审查专利申请公开号2016
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技术实现思路

[0007]顺便提及，在构成照明装置或显示装置的发光元件中，需要与导电电极的连通性和光提取效率之间的兼容性。
[0008]希望提供一种允许与导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，包括：半导体层，具有第一表面和第二表面，并且包括从第一表面侧依次堆叠的第一导电类型层、有源层和第二导电类型层；第一介电层，设置在所述半导体层的第二表面侧上并且具有开口；第一电极，在所述半导体层的所述第一表面侧上电耦接至所述第一导电类型层；以及第二电极，设置在所述第一介电层上并且经由所述开口电耦接至所述第二导电类型层。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极具有平面形状，所述平面形状具有长边方向和短边方向并且具有大于1的纵横比。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极具有所述开口介于所述第二电极之间的基本对称的结构。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极包括：连接部，覆盖所述开口并且电耦接至所述第二导电类型层；以及延伸部，在彼此相对的方向上延伸，所述连接部在所述延伸部之间。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述连接部具有基本圆形的形状，并且所述延伸部以小于所述连接部的直径的宽度各自延伸。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极包括：接触部，设置在所述第二导电类型层上并且具有周边，所述周边的至少一部分被所述第一介电层覆盖；以及焊盘部，设置在所述第一介电层上，并延伸到所述开口的内部并且耦接至所述接触部。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述半导体层具有凹凸结构，所述凹凸结构位于形成所述第二电极的区域的外部。8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，从所述半导体层的侧表面向所述半导体层的所述第一表面设置有金属层。9.根据权利要求8所述的发光元件，其中，所述金属层与第二介电层一起形成层压膜，并且从所述半导体层的所述侧表面经由所述第二介电层向所述半导体层的所述第一表面设置有所述金属层。10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，外部配线耦接至所述第二电极。11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述第二电极具有平面形状，所述平面形状具有长边方向和短边方向，并且所述外部配线被布置成与所述第二电极的长边方向相交。12.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第一电极包括：接触部，设置在所述第一导电类型层上并且具有周边，所述周边的至少一部分被第二介电层覆盖，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥山浩之，汐先政贵，野泽伸介，古川直树，菅原伸浩，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：