本实用新型专利技术属于LED器件技术领域，具体公开小尺寸LED芯片电极结构，包括芯片电极和焊接在芯片电极上的左焊线和右焊线，所述左焊线为设有三个拐角的且在空间上成三维立体的线弧结构，其包括直线段、向着远离芯片侧弯曲的第一弧线段，向着靠近芯片侧弯曲的第二弧线段以及在水平向延伸的过渡段和用于连接的左连接段，所述右焊线包括右向上延伸直线段、向下倾斜的倾斜线段、以及在水平向延伸的右连接段，所述第一拐角的高度与右焊线的顶点高度一致，所述直线段、第一弧线段、第二弧线段整体是向靠近芯片中心倾斜。该电极结构，能在更小的电极上进行焊线，有效提高了芯片发光面积占比，有效提高芯片的亮度，同时降低其生产成本。同时降低其生产成本。同时降低其生产成本。
【技术实现步骤摘要】
一种小尺寸LED芯片电极结构
[0001]本技术属于LED器件
，特别涉及一种小尺寸LED芯片电极结构。
技术介绍
[0002]目前，照明机种选用的LED芯片电极的直径主要集中在45μm以上，只有极少部分电极直径为40μm，40μm以下直径的晶片电极在焊线上存在技术难度，现在的生产厂家暂无法实现一定规模的量产。
[0003]现有LED单晶机种的焊线方式中，采用的晶片电极直径在40μm以上，线材直径在18μm以上，贴上铝基板的抗冷热冲击(-40℃/15min～100℃/15min)性能为200回合以上。
[0004]通常，相同工艺和尺寸的晶片电极直径越大，发光面积就越小，亮度越低，现有电极直径在晶片面积中占比较大，降低了晶片发光亮度，同时生产成本较高。
[0005]因此，研发一种能在更小的电极(35μm～40μm)上焊线、在相同晶片尺寸下提升了晶片发光面积占比，使晶片拥有了更高的亮度，降低了生产成本的小尺寸LED芯片电极结构迫在眉睫。
技术实现思路
[0006]本技术的目的是克服现有技术的不足，公开一种小尺寸LED芯片电极结构，该电极结构，能在更小的电极上进行焊线，有效提高了芯片发光面积占比，有效提高芯片的亮度，同时降低其生产成本。
[0007]为了达到上述技术目的，本技术是按以下技术方案实现的：
[0008]本技术所述的小尺寸LED芯片电极结构，包括芯片电极和焊接在芯片电极上的左焊线和右焊线，所述芯片电极的尺寸范围值为35μm～40μm，所述左焊线和右焊线均为线材为 15μm～18μm直径的银/铜线，所述左焊线为设有三个拐角的在空间上成三维立体的线弧结构，其包括直接连接在芯片上的左向上延伸直线段、向着远离芯片侧弯曲的第一弧线段，向着靠近芯片侧弯曲的第二弧线段以及在水平向延伸的过渡段和用于连接的左连接段，所述第一弧线段与第二弧线段之间的过渡连接点为第一拐角，所述第二弧线段与水平向延伸的过渡段之间的过渡连接点为第二拐角，所述过渡段和用于连接的左连接段之间的过渡连接点为第三拐角，所述右焊线包括右向上延伸直线段、经过顶点后向下倾斜的倾斜线段、以及在水平向延伸用于连接基板的右连接段，所述第一拐角的高度与右焊线的顶点高度一致，且所述第一拐角的高度依次高于第二拐角、第三拐角，所述左向上延伸直线段、第一弧线段、第二弧线段在水平面上其整体是向靠近芯片中心倾斜。
[0009]作为上述技术的进一步改进，所述芯片电极的表面距离第一拐角的距离是75μm～125μ m。
[0010]作为上述技术的更进一步改进，所述第一拐角距离第二拐角的高度为0μm～10μm。
[0011]作为上述技术的更进一步改进，第一弧线段在水平向上的投影距离是整个第一弧线段的长度和左向上延伸直线段长度之和的20％。
[0012]作为上述技术的更进一步改进，所述过渡段长度与左连接段长度相等。
[0013]作为上述技术的更进一步改进，所述左向上延伸直线段、第一弧线段、第二弧线段整体是向靠近芯片中心倾斜的倾角范围值是40度至60度。
[0014]在本技术中，所述右连接段长度为250μm～350μm。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0016](1)本技术所述的小尺寸LED芯片电极结构，由于使用小尺寸的35μm～40μm电极，在相同芯片尺寸下提升了芯片发光面积占比，使芯片拥有了更高的亮度，降低了生产成本；
[0017](2)本技术采用了直径更小的线材作为焊线，生产成本大大降低；
[0018](3)本技术采用了在空间成立体结构的多拐角的焊线弧结构，有效保证其较好的热冲击性能。
附图说明
[0019]下面结合附图和具体实施例对本技术做详细的说明：
[0020]图1是本技术所属的小尺寸LED芯片电极结构示意图(俯视图)；
[0021]图2是本技术所属的小尺寸LED芯片电极结构示意图(侧视图)。
具体实施方式
[0022]如图1、图2所示，本技术所述的小尺寸LED芯片电极结构，包括芯片电极1和焊接在芯片电极1上的左焊线2和右焊线3，所述芯片电极1的尺寸范围值为35μm～40μm，所述左焊线2和右焊线3均为线材为15μm～18μm直径的银/铜线，所述左焊线2为设有三个拐角的在空间上成三维立体的线弧结构，其包括直接连接在芯片电极1上的左向上延伸直线段21、向着远离芯片电极侧弯曲的第一弧线段22，向着靠近芯片侧弯曲的第二弧线段23 以及在水平向延伸的过渡段24和用于连接的左连接段25，所述第一弧线段22与第二弧线段 23之间的过渡连接点为第一拐角10，所述第二弧线段23与水平向延伸的过渡段24之间的过渡连接点为第二拐角20，所述过渡段24和用于连接的左连接段25之间的过渡连接点为第三拐角30，所述右焊线3包括右向上延伸直线段31、经过顶点40后向下倾斜的倾斜线段32、以及在水平向延伸用于连接基板50的右连接段33，所述第一拐角10的高度与右焊线3的顶点40高度一致，且所述第一拐角10的高度依次高于第二拐角20、第三拐角30，所述左向上延伸直线段21、第一弧线段22、第二弧线段23在水平面上其整体是向靠近芯片中心倾斜。
[0023]在本技术中，所述芯片电极1的表面距离第一拐角10的高度距离H1是75μm～125 μm；所述第一拐角10距离第二拐角20的高度距离H2为0μm～10μm。
[0024]在本技术中，第一弧线段22在水平向上的投影距离L2是整个第一弧线段22的长度和左向上延伸直线段21长度之和的20％。
[0025]在本技术中，所述过渡段24长度L1与左连接段25长度相等。
[0026]在本技术中，所述左向上延伸直线段21、第一弧线段22、第二弧线段23在水平面上整体向靠近芯片中心倾斜的倾角范围值是40度至60度。
[0027]此外，所述右连接段33长度L3为250μm～350μm，增加了右焊线3与基板的焊接距离，焊接结构稳固，确保较好的电接触性能。
[0028]本技术并不局限于上述实施方式，凡是对本技术的各种改动或变型不脱离本技术的精神和范围，倘若这些改动和变型属于本技术的权利要求和等同技术范围之内，则本技术也意味着包含这些改动和变型。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种小尺寸LED芯片电极结构，其特征在于：包括芯片电极和焊接在芯片电极上的左焊线和右焊线，所述芯片电极的尺寸范围值为35μm～40μm，所述左焊线和右焊线均为线材为15μm～18μm直径的银/铜线，所述左焊线为设有三个拐角的在空间上成三维立体的线弧结构，其包括直接连接在芯片上的左向上延伸直线段、向着远离芯片侧弯曲的第一弧线段，向着靠近芯片侧弯曲的第二弧线段以及在水平向延伸的过渡段和用于连接的左连接段，所述第一弧线段与第二弧线段之间的过渡连接点为第一拐角，所述第二弧线段与水平向延伸的过渡段之间的过渡连接点为第二拐角，所述过渡段和用于连接的左连接段之间的过渡连接点为第三拐角，所述右焊线包括右向上延伸直线段、经过顶点后向下倾斜的倾斜线段、以及在水平向延伸用于连接基板的右连接段，所述第一拐角的高度与右焊线的顶点高度一致，且所述第一拐角的高度依次高于第二拐角、第三拐角，所述左向上延伸直线段、第一弧...
【专利技术属性】
技术研发人员：皮保清，袁超，韦升聪，石红丽，
申请(专利权)人：中山市木林森电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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