微型发光二极管及微型发光二极管显示设备制造技术

本发明专利技术提供一种微型发光二极管，适于配置且电性连接于电路基板上，微型发光二极管包括磊晶结构、至少一第一电极、第二电极及绝缘层。磊晶结构包括依序堆栈的第一半导体层、发光层及第二半导体层。至少一第一电极电性连接于第一半导体层，且从第一半导体层旁沿着磊晶结构的至少一侧面延伸至第二半导体层与电路基板之间。第二电极位于第二半导体层的下方且电性连接于第二半导体层。绝缘层至少设置于至少一第一电极与磊晶结构的发光层之间及至少一第一电极与第二半导体层之间。本发明专利技术另提供一种微型发光二极管显示设备。微型发光二极管显示设备。微型发光二极管显示设备。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管及微型发光二极管显示设备


[0001]本专利技术涉及一种微型发光二极管及微型发光二极管显示设备，尤其涉及一种具有较佳接合良率的微型发光二极管及微型发光二极管显示设备。

技术介绍

[0002]目前，垂直式发光二极管与倒装式发光二极管为常见的两种发光二极管的形式。垂直式发光二极管的两电极位于相对的两侧，由于其中一个电极需要通过打线接合至电路板，接合良率受到限制。倒装式发光二极管则需要在磊晶层上形成导通孔或平台(mesa)，来使其中一个半导体层电性连接于电极，当发光二极管缩小至微米等级的微型发光二极级，应用于显示设备上时，整体尺寸难以缩减。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种微型发光二极管，其可兼具垂直式发光二极管与倒装式发光二极管的优点。
[0004]本专利技术的一种微型发光二极管，适于配置且电性连接于电路基板上，微型发光二极管包括磊晶结构、至少一第一电极、第二电极及绝缘层。磊晶结构包括依序堆栈的第一半导体层、发光层及第二半导体层。至少一第一电极电性连接于第一半导体层，且从第一半导体层旁沿着磊晶结构的至少一侧面延伸至第二半导体层与电路基板之间。第二电极位于第二半导体层的下方且电性连接于第二半导体层。绝缘层至少设置于至少一第一电极与磊晶结构的发光层之间及至少一第一电极与第二半导体层之间。
[0005]在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管还包括导电层，设置于第一半导体层上且接触于第一半导体层，且至少一第一电极接触且电性连接于导电层。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的导电层对电路基板的投影完全覆盖磊晶结构、至少一第一电极及绝缘层对电路基板的投影。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的导电层对电路基板的投影范围小于磊晶结构、至少一第一电极及绝缘层对电路基板的投影范围。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的导电层对磊晶结构的投影覆盖磊晶结构的80％以上的面积。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的导电层对电路基板的投影面积与磊晶结构对电路基板的投影面积的比率介于80％至110％之间。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的导电层的厚度小于各第一电极的厚度。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管还包括第一出光层，设置在导电层上，且导电层位于第一出光层与第一半导体层之间，导电层的折射率大于第一出光层的折射率。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管还包括第二出光层，设置在第一出光层上，且第一出光层位于第二出光层与导电层之间，第一出光层的折射率大于第二出
光层的折射率。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述的各第一电极对电路基板的投影面积大于等于第二电极对电路基板的投影面积。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的至少一第一电极对磊晶结构的投影面积等于第二电极对磊晶结构的投影面积。
[0015]在本专利技术的一实施例中，上述的至少一第一电极包括多个第一电极，至少一侧面包括多个侧面，这些第一电极沿着磊晶结构的这些侧面延伸至第二半导体层的下方。
[0016]在本专利技术的一实施例中，上述的至少一第一电极对电路基板的投影未重叠于磊晶结构对电路基板的投影。
[0017]在本专利技术的一实施例中，上述的至少一第一电极直接接触第一半导体层。
[0018]在本专利技术的一实施例中，上述的至少一第一电极延伸至第一半导体层上。
[0019]本专利技术的一种显示设备，包括显示面板以及多个上述的微型发光二极管，叠置于显示面板的下方。
[0020]基于上述，本专利技术的微型发光二极管的第一电极从第一半导体层旁沿着磊晶结构的至少一侧面延伸至第二半导体层与电路基板之间，且第二电极位于第二半导体层的下方。因此，相较于垂直式发光二极管，本专利技术的微型发光二极管的第一电极及第二电极位于磊晶结构的同一侧，可直接接合至电路基板上，而不需打线，有效提升接合良率。此外，相较于倒装式发光二极管，本专利技术的微型发光二极管通过第一电极从第一半导体层旁沿着磊晶结构的至少一侧面延伸至第二半导体层的下方的设计，而不需在磊晶结构上制作导通孔或是平台，而可具有较小的尺寸。换句话说，本专利技术的微型发光二极管可兼顾垂直式发光二极管与倒装式发光二极管的优势。
附图说明
[0021]图1A是依照本专利技术的一实施例的一种显示设备的剖面示意图；
[0022]图1B是依照本专利技术的一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图；
[0023]图1C是图1B的俯视示意图；
[0024]图2是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图；
[0025]图3A是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图；
[0026]图3B是图3A的俯视示意图；
[0027]图3C是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
[0028]图4A是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图；
[0029]图4B是图4A的俯视示意图；
[0030]图4C是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
[0031]图5是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图；
[0032]图6A是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图；
[0033]图6B是图6A的俯视示意图；
[0034]图7至图12是依照本专利技术的其他实施例的多种微型发光二极管的剖面示意图。
[0035]附图标记说明
[0036]10:显示设备；
[0037]20:显示面板；
[0038]32:电路基板；
[0039]34:第一接垫；
[0040]36:第二接垫；
[0041]100、100a～100m:微型发光二极管；
[0042]110:磊晶结构；
[0043]112:第一半导体层；
[0044]114:发光层；
[0045]116:第二半导体层；
[0046]120、120h:绝缘层；
[0047]130、130d、130e、130g:导电层；
[0048]140、140a、140b、140c、140f、140j、140k:第一电极；
[0049]142、142b:第二电极；
[0050]145:奥姆接触层；
[0051]150:第一出光层；
[0052]152:第二出光层。
具体实施方式
[0053]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0054]图1A是依照本专利技术的一实施例的一种显示设备的剖面示意图。请参阅图1A，本实施例的显示设备10包括显示面板20以及多个微型发光二极管100，这些微型发光二极管100配置于显示面板20的上且电性连接显示面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管，适于配置且电性连接于电路基板上，其特征在于，所述微型发光二极管包括：磊晶结构，包括依序堆栈的第一半导体层、发光层及第二半导体层；至少一第一电极，电性连接于所述第一半导体层，且从所述第一半导体层旁沿着所述磊晶结构的至少一侧面延伸至所述第二半导体层与所述电路基板之间；第二电极，位于所述第二半导体层的下方且电性连接于所述第二半导体层；以及绝缘层，至少设置于所述至少一第一电极与所述磊晶结构的所述发光层之间及所述至少一第一电极与所述第二半导体层之间。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括:导电层，设置于所述第一半导体层上且接触于所述第一半导体层，且所述至少一第一电极接触且电性连接于所述导电层。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述导电层对所述电路基板的投影完全覆盖所述磊晶结构、所述至少一第一电极及所述绝缘层对所述电路基板的投影。4.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述导电层对所述电路基板的投影范围小于所述所述磊晶结构、所述至少一第一电极及所述绝缘层对所述电路基板的投影范围。5.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述导电层对所述磊晶结构的投影覆盖所述磊晶结构的80％以上的面积。6.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述导电层对所述电路基板的投影面积与所述磊晶结构对所述电路基板的投影面积的比率介于80％至110％之间。7.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述导电层的厚度小于各所述第一电极的厚度。8.根据权利要求2所述的微型发...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗玉云，史诒君，吴柏威，蔡昌峯，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：