【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器装置及其制造方法
[0001]本专利技术有关于一种存储器装置，且特别是有关于一种动态随机存取存储器装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]随着电子产品日渐小型化的趋势，对于存储器装置亦有逐渐小型化的需求。然而，随着存储器装置的小型化，提高产品的效能及良率变得更为困难。
[0003]举例而言，在现有的动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)的制造方法中，电容单元是形成于多层绝缘结构的孔洞中。在后续移除多层绝缘结构的过程中，电容单元的底部容易受到损伤，进而使后续的刻蚀液很容易经过损伤的电容单元而渗入其下方的绝缘层或接触结构。如此一来，会使绝缘层、导电接触插塞，甚至更底下的基板中的元件受到损伤，进而大幅降低动态随机存取存储器装置的良率。
[0004]为了改善上述问题，可增加电容单元的底电极结构的厚度。然而，底电极结构呈杯状，随着底电极结构的厚度变厚，在多层绝缘结构的孔洞的内径大小固定的情况下，将导致底电极结构与设置于底电极结构上的介电层的接触面积变...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器装置，其特征在于，包括：一基板；一层间介电层，形成于所述基板上，其中所述层间介电层具有多个电容单元容置通孔，且各所述电容单元容置通孔贯穿所述层间介电层，其中所述层间介电层包括：一第一支撑层，形成于所述基板上；一复合介电层，形成于所述第一支撑层上，所述复合介电层包括交替地堆叠的至少一第一绝缘层及至少一第二绝缘层，其中各所述电容单元容置通孔在所述第二绝缘层中形成一第一开口，且在所述第一绝缘层中形成与所述第一开口相通的一第二开口，其中所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度；及一第二支撑层，形成于所述复合介电层上；以及多个电容单元，形成于所述电容单元容置通孔中，其中所述电容单元的顶部高于所述层间介电层的顶表面，且所述电容单元的顶部定义出一凹陷区。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，还包括：一第一导电层，形成于所述基板与所述层间介电层之间，所述第一导电层具有与所述电容单元容置通孔相通的多个第三开口，所述电容单元还形成于所述第三开口中；以及一第二导电层，形成于所述电容单元上且填满所述凹陷区，其中所述第二导电层具有一平坦的顶表面。3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，还包括多个接触结构，形成于所述第一导电层下方，其中，所述电容单元包括多个底电极结构，所述底电极结构顺应性地形成于所述电容单元容置通孔的表面以及所述第三开口的表面，所述底电极结构的顶部高于所述层间介电层的顶表面，且各所述接触结构通过位于各所述接触结构上方的所述第一导电层与所述底电极结构的其中一者电连接，其中，所述接触结构不与位于所述第三开口中的所述底电极结构重叠。4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，各所述电容单元容置通孔包括所述底电极结构的其中二者。5.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，所述电容单元还包括：一介电层，顺应性地形成于所述底电极结构的表面与所述层间介电层的顶表面；一顶电极结构，顺应性地形成于所述介电层的表面，其中所述顶电极结构的顶部定义出所述凹陷区，且所述凹陷区位于形成于不同的所述电容单元容置通孔的两个所述底电极结构的顶部之间。6.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，所述第二导电层的材料不同于所述顶电极结构的材料。7.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，所述顶电极结构的材料包括氮化钛、氮化钛硅。8.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，所述第二导电层的材料包括硅锗、硅锗硼化合物。9.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，所述第一支撑层具有
一第一厚度，所述第二支撑层具有一第二厚度，且所述第二厚度相对于所述第一厚度的比率为1.5-10.0。10.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器装置，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氧化物，且所述第二绝缘层的材料为...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴哲秀，陈明堂，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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