半导体结构及半导体结构制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构及半导体结构制作方法，属于半导体技术领域，以解决第二导电块与位线之间容易产生寄生电容及发生漏电的技术问题。本发明专利技术实施例的半导体结构包括基底、位线结构以及电容连接线，多个位线结构设置在基底上，相邻的位线结构之间形成有接触孔；电容连接线包括第一导电块和第二导电块，第一导电块和第二导电块依次填充在接触孔内，第一导电块的顶端设置有倒角结构，倒角结构与位线结构邻接，第二导电块底端与倒角结构配合。本发明专利技术实施例的半导体结构增大了第二导电块与位线结构之间的距离，防止第二导电块与位线结构之间产生寄生电容，且防止发生漏电，提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构制作方法


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件。动态随机存储器通常包括电容结构和晶体管结构，晶体管结构与电容结构相连，以通过晶体管结构读取存储在电容结构中的数据，或者将数据写入到电容结构中。
[0003]相关技术中，晶体管结构包括基底以及设置在基底上的位线结构，多个位线结构平行且间隔设置，位线结构内设置有位线，相邻位线结构之间填充有电容连接线，电容连接线的一端与基底内的晶体管结构连接，电容连接线的另一端与电容结构连接，以实现电容结构与晶体管结构之间的连接。电容连接线包括沿垂直于基底方向依次层叠设置的第一导电块和第二导电块，第二导电块与电容结构连接，第一导电块与基底内的晶体管结构连接。
[0004]然而，第二导电块与位线之间容易产生寄生电容，且容易发生漏电。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底、位线结构以及电容连接线；所述位线结构设置在所述基底上，所述位线结构在所述基底的顶面延伸；所述位线结构为多个，多个所述位线结构在所述基底的顶面上平行且间隔的设置，相邻的所述位线结构之间形成有接触孔；所述电容连接线包括第一导电块和第二导电块，所述第一导电块和所述第二导电块依次填充在所述接触孔内，所述第一导电块的顶端设置有倒角结构，所述倒角结构与所述位线结构邻接，所述第二导电块的底端与所述倒角结构配合。2.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述倒角结构为倒圆角。3.根据权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述倒角结构还具有过渡壁，所述过渡壁位于所述倒圆角的顶端，所述过渡壁与所述位线结构邻接，所述倒角结构与所述第一导电块为一体结构。4.根据权利要求3所述半导体结构，其特征在于，所述过渡壁顶端与所述第一导电块的顶端之间的距离为相邻位线结构之间距离的1/3
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1/2。5.根据权利要求3所述半导体结构，其特征在于，所述过渡壁、所述倒角结构以及所述第一导电块的顶端内均掺杂有掺杂粒子，以形成与所述第二导电块接触的接触层。6.根据权利要求5所述半导体结构，其特征在于，所述掺杂粒子包括磷离子或者砷离子。7.根据权利要求1
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6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电块包括导电辅助层和导电插塞，所述导电辅助层覆盖所述第一导电块的顶端、所述倒角结构的顶端以及所述接触孔的侧壁，导电插塞形成在所述导电辅助层上且填充所述接触孔。8.根据权利要求1
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6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构包括位线、绝缘块和绝缘侧壁，所述位线设置在所述基底的顶面上，所述位线在所述基底的顶面上延伸；所述绝缘块覆盖所述位线的顶端；所述绝缘侧壁覆盖所述位线的侧面，相邻的所述绝缘侧壁形成所述接触孔。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述位线顶端与所述基底的顶面之间的距离小于所述第一导电块的顶端与所述基底的顶面之间的距离。10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘侧壁内具有间隙，所述间隙内填充有绝缘填充物，所述绝缘填充物的材质与所述绝缘侧壁的材质不同。11.根据权利要求1
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6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括绝缘结构，所述绝缘结构形成于所述基底的顶面上，所述绝缘结构填充于相邻的所述位线结构之间，所述绝缘结构与所述位线结构围设成显露所述基底的所述接触孔。12....

【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，洪海涵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：