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本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构制作方法，属于半导体技术领域，以解决第二导电块与位线之间容易产生寄生电容及发生漏电的技术问题。本发明实施例的半导体结构包括基底、位线结构以及电容连接线，多个位线结构设置在基底上，相邻的位线结构之间形...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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