微发光二极管、微发光元件及显示器制造技术

本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件及显示器，该微发光二极管包括半导体堆叠层和绝缘层；半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；绝缘层至少覆盖半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁；位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。本申请利用半导体堆叠层来保护半导体堆叠层侧壁处的绝缘层，避免绝缘层中侧部与水平部的交点在对第一表面粗化过程中暴露在蚀刻流体下，从而避免位于半导体堆叠层侧壁处的绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的可靠性以及出光效率。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管、微发光元件及显示器
本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种微发光二极管、微发光元件及显示器。
技术介绍
微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点，是目前热门研究的下一代显示器光源。为了提高微发光二极管的出光效率，一般在微发光二极管的侧壁镀有绝缘层，且同时需对微发光二极管的出光面进行粗化，在对出光面粗化过程中，侧壁处的绝缘层因暴露在蚀刻流体下而受到损伤，导致绝缘层失效，并影响微发光二极管的出光效率。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种微发光二极管，其利用半导体堆叠层来保护侧壁处的绝缘层，避免侧壁处的绝缘层因暴露在蚀刻流体下受到损伤而导致绝缘层失效，以提高微发光二极管的出光效率。另一目的还在于提供一种微发光元件，以及一种显示器。第一方面，本申请实施例提供一种微发光二极管，其包括：半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；绝缘层，至少覆盖半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁；位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。在一种可能的实施方案中，侧部与水平部的交点位于半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。在一种可能的实施方案中，在半导体堆叠层的内部，交点与半导体堆叠层最外侧之间的距离D1等于或大于0.5μm。在一种可能的实施方案中，绝缘层由氧化钛制备而成；或者，绝缘层的材料之一为氧化钛。在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，第一部位于半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，第二部位于半导体堆叠层远离第一表面的一侧；第一部的宽度大于第二部的宽度。在一种可能的实施方案中，第一部的厚度等于或大于0.5μm。在一种可能的实施方案中，绝缘层覆盖半导体堆叠层的第二表面、以及第二部的侧壁。在一种可能的实施方案中，第一部的侧壁覆盖有保护层。在一种可能的实施方案中，第一表面除粗糙部之外的区域覆盖有保护层；保护层所覆盖第一表面的区域的宽度D2等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。在一种可能的实施方案中，保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝的一种或多种。在一种可能的实施方案中，保护层的厚度为100～20000埃。在一种可能的实施方案中，微发光二极管的宽度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；微发光二极管的长度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。第二方面，本申请实施例提供一种微发光元件，其包括：基板；至少一个微发光二极管，每个微发光二极管包括：半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；绝缘层，至少覆盖半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁；位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。在一种可能的实施方案中，基板包括金属基板、蓝宝石衬底、玻璃、硅衬底、碳化硅衬底或者支撑膜。在一种可能的实施方案中，侧部与水平部的交点位于半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。在一种可能的实施方案中，在半导体堆叠层的内部，交点与半导体堆叠层最外侧之间的距离D1等于或大于0.5μm。在一种可能的实施方案中，绝缘层由氧化钛制备而成；或者，绝缘层的材料之一为氧化钛。在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，第一部位于半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，第二部位于半导体堆叠层远离第一表面的一侧；第一部的宽度大于第二部的宽度。在一种可能的实施方案中，第一部的厚度等于或大于0.5μm。在一种可能的实施方案中，绝缘层覆盖半导体堆叠层的第二表面、以及第二部的侧壁。在一种可能的实施方案中，第一部的侧壁覆盖有保护层。在一种可能的实施方案中，第一表面除粗糙部之外的区域覆盖有保护层；保护层所覆盖第一表面的区域的宽度D2等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。第三方面，本申请实施例提供一种显示器，其包括：基板；至少一个微发光二极管，每个微发光二极管包括：半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；绝缘层，至少覆盖半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁；位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。与现有技术相比，本申请的有益效果至少如下：1)本申请中位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，且侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部，即利用半导体堆叠层来保护半导体堆叠层侧壁处的绝缘层，避免侧部与水平部的交点在对第一表面粗化过程中暴露在蚀刻流体下，从而避免位于半导体堆叠层侧壁处的绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的可靠性以及出光效率。2)本申请中保护层覆盖部分第一表面以及半导体堆叠层侧壁除绝缘层之外的区域，即利用保护层来进一步保护半导体堆叠层侧壁处的绝缘层，避免绝缘层在对第一表面粗化过程中暴露在蚀刻流体下，从而避免绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的出光效率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图2为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图3为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图4为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图5为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图6为根据本申请实施例示出的一种微发光元件的结构示意图；图7为根据本申请实施例示出的一种微发光元件的结构示意图；图8～图14为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管处于不同制备阶段的结构示意图。图示说明：10半导体堆叠层；11粗糙部；12平台部；13第一部；14第二部；20绝缘层；30第一电极；31第二电极；40保护层；50基板；60生长衬底；70牺牲层；80转移基板。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”和“外”等指示的方位或位置关系为基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：/n半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；/n绝缘层，至少覆盖所述半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁；位于半导体堆叠层侧壁的所述绝缘层包括侧部和水平部，所述侧部与所述水平部的交点落在所述半导体堆叠层的内部。/n

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：
半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；
绝缘层，至少覆盖所述半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁；位于半导体堆叠层侧壁的所述绝缘层包括侧部和水平部，所述侧部与所述水平部的交点落在所述半导体堆叠层的内部。


2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述侧部与所述水平部的交点位于所述半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。


3.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，在所述半导体堆叠层的内部，所述交点与所述半导体堆叠层最外侧之间的距离D1等于或大于0.5μm。


4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层由氧化钛制备而成；或者，所述绝缘层的材料之一为氧化钛。


5.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，所述第一部位于所述半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，所述第二部位于所述半导体堆叠层远离第一表面的一侧；所述第一部的宽度大于所述第二部的宽度。


6.根据权利要求5所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一部的厚度等于或大于0.5μm。


7.根据权利要求5所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层覆盖所述半导体堆叠层的第二表面、以及所述第二部的侧壁。


8.根据权利要求5所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一部的侧壁覆盖有保护层。


9.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一表面除粗糙部之外的区域覆盖有保护层；所述保护层所覆盖第一表面的区域的宽度D2等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。


10.根据权利要求8或9所述的微发光二极管，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝的一种或多种。


11.根据权利要求8或9所述的微发光二极管，其特征在于，所述保护层的厚度为100～20000埃。


12.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管的宽度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；
所述微发光二极管的长度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。


13.一种微发光元件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政，李佳恩，杨硕，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35