一种用于LED生长的图形化衬底、外延片和制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于LED生长的图形化衬底、外延片和制备方法。该衬底包括图形化蓝宝石衬底，图形化蓝宝石衬底的一侧表面形成有多个蓝宝石图形，异质层，位于图形化蓝宝石形成有蓝宝石图形的一侧表面，蓝宝石图形被包覆于异质层的内部，且蓝宝石图形的上表面与异质层的上表面齐平。本发明专利技术通过将蓝宝石c面经过研磨和抛光处理，使得外延层的材料只在蓝宝石c面成核生长，具有良好的平整度和可控的表面粗糙度，有利于获得低缺陷的外延层，进一步降低外延层位错密度，保证外延质量；并且通过外延层、蓝宝石衬底、异质层及空气的梯度折射率差异及蓝宝石衬底中形成的凸起结构降低全反射，增加光提取率，进而提高外量子效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于LED生长的图形化衬底、外延片和制备方法
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种用于LED生长的图形化衬底、外延片和制备方法。
技术介绍
发光二极管（LED，LightEmittingDiode）在近年得到迅速发展。LED具有体积小、效率高、寿命长、环保、节能等优点。例如，发射相同光通量的情况下，LED的耗电量约是白炽灯的1/10。因此，LED被誉为“照亮人类未来”的技术。随着第三代半导体材料氮化镓（GaN）在应用上的突破，红光、蓝光、白光、绿光、紫外发光二极管的相继问世，LED开始逐渐走入了人们的日常生活。目前，LED已经广泛用于普通照明、车灯、景观灯、路灯照明、液晶板背光源、手机背光源、数码相机闪光灯、显示屏、聚合物固化、杀菌消毒等领域。制约LED光电转换效率的一个重要因素就是晶体位错缺陷密度过高，所以提高GaN晶体质量、降低发光区域的非辐射复合，是提高GaN基LED光电转换效率的关键。由于GaN、AlN衬底成本太高，大部分LED异质外延生长在c面蓝宝石衬底上，但两层材料之间存在晶格失配与热失配。目前，蓝宝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于LED生长的图形化衬底，其特征在于，包括：/n图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底上形成有多个蓝宝石图形，所述蓝宝石图形具有平整上表面；/n异质层，位于所述图形化蓝宝石形成有所述蓝宝石图形的一侧表面，所述蓝宝石图形被包覆于所述异质层中，所述异质层的上表面裸露出所述蓝宝石图形的上表面，且所述蓝宝石图形的上表面与所述异质层的上表面齐平。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于LED生长的图形化衬底，其特征在于，包括：
图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底上形成有多个蓝宝石图形，所述蓝宝石图形具有平整上表面；
异质层，位于所述图形化蓝宝石形成有所述蓝宝石图形的一侧表面，所述蓝宝石图形被包覆于所述异质层中，所述异质层的上表面裸露出所述蓝宝石图形的上表面，且所述蓝宝石图形的上表面与所述异质层的上表面齐平。


2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述异质层的材料包括氧化物、氮化物、碳化物、单质中的至少一种。


3.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述蓝宝石图形的排布周期小于或等于4000nm。


4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述蓝宝石图形的顶部直径小于或等于底部直径。


5.一种用于LED生长的外延片，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的图形化衬底，还包括位于所述图形化衬底上的外延层。


6.一种用于LED生长的图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括：
对蓝宝石衬底的表面进行图案化，形成多个蓝宝石图形，所述蓝宝石图形具有平整上表面；
在所述蓝宝石衬底形成有所述蓝宝石图形的一侧表面沉积一层异质层；
对所述异质层进行减薄抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑桥，谢鹏程，米波，肖桂明，张小琼，陆前军，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44