具有时变位错误率的存储器中的缺陷检测制造技术

本文描述了与具有时变位错误率的存储器系统的存储器组件中的缺陷检测相关的实施例。处理装置进行错误恢复流程(ERF)以恢复数据单元，所述数据单元包括数据和指示何时写入所述数据单元的写入时间戳。所述处理装置使用对应于所述读取操作的位错误率(BER)和所述数据单元中的所述写入时间戳来确定是否进行缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的缺陷。所述处理装置响应于所计算的W2R(基于所述写入时间戳)不期望所述BER条件来发起所述缺陷检测操作。所述处理装置能够使用ERF条件和所述写入时间戳来确定是否进行所述缺陷检测操作。所述处理装置响应于所计算的W2R(基于所述写入时间戳)不期望所述ERF条件来发起所述缺陷检测操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有时变位错误率的存储器中的缺陷检测
本公开的实施例总体上涉及存储器子系统，并且更具体地涉及具有时变位错误率的存储器子系统的存储器组件中的缺陷检测。
技术介绍
存储器子系统可以是存储系统，例如固态驱动器(SSD)或硬盘驱动器(HDD)。存储器子系统可以是存储器模块，例如双列直插存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)或非易失性双列直插存储器模块(NVDIMM)。存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。通常，主机系统可利用存储器子系统在存储器组件处存储数据并从存储器组件检索数据。附图说明通过下面给出的详细描述以及本公开的各个实施例的附图，将更全面地理解本公开。图1示出了根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的示范性计算环境。图2是根据本公开的一些实施例的使用对应于读取操作的位错误率(BER)或错误恢复流程(ERF)指示符以及写入时间戳来发起缺陷检测操作以检测存储器组件中的缺陷的示范性方法的流程图。图3是根据本公开的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统，其包括：/n存储器组件；和/n处理装置，其可操作地与所述存储器组件耦合，以：/n进行读取操作以读取数据单元，所述数据单元包括数据和指示所述数据单元何时被写入所述存储器组件的写入时间戳；/n检测错误恢复流程(ERF)条件，其中所述ERF条件响应于所述ERF响应于在所述读取操作中检测到一或多个错误来进行以恢复所述数据单元来检测；/n检测位错误率(BER)条件，其中所述BER条件响应于对应于所述读取操作的BER满足阈值标准来检测；/n使用所述读取操作的当前时间和所述写入时间戳来确定所述读取操作的写入到读取(W2R)延迟；/n确定所述W2R延迟期望所述BER条件还是所述ERF条件；和/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181210 US 16/215,2671.一种系统，其包括：
存储器组件；和
处理装置，其可操作地与所述存储器组件耦合，以：
进行读取操作以读取数据单元，所述数据单元包括数据和指示所述数据单元何时被写入所述存储器组件的写入时间戳；
检测错误恢复流程(ERF)条件，其中所述ERF条件响应于所述ERF响应于在所述读取操作中检测到一或多个错误来进行以恢复所述数据单元来检测；
检测位错误率(BER)条件，其中所述BER条件响应于对应于所述读取操作的BER满足阈值标准来检测；
使用所述读取操作的当前时间和所述写入时间戳来确定所述读取操作的写入到读取(W2R)延迟；
确定所述W2R延迟期望所述BER条件还是所述ERF条件；和
响应于所述W2R延迟不期望所述BER条件或所述ERF条件来发起缺陷检测操作。


2.根据权利要求1所述的系统，其中在由所述ERF恢复所述数据单元之后，所述处理装置进一步用于：
确定所述BER在所述数据单元由所述读取操作以初始读取电压水平读取时是否满足阈值标准；和
响应于所述BER满足所述阈值标准，发起所述缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的所述缺陷。


3.根据权利要求1所述的系统，其中在由所述ERF恢复所述数据单元之后，所述处理装置进一步用于：
确定是否在所述ERF中进行重读操作，其中所述重读操作是在进行所述ERF之前以与所述读取操作使用的初始读取电压水平不同的读取电压水平进行的；和
响应于在所述ERF中进行所述重读操作，发起所述缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的所述缺陷。


4.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：
确定所述BER在所述数据单元由所述读取操作以初始读取电压水平读取时是否满足所述阈值标准；
确定是否在所述ERF中进行重读操作，其中所述重读操作是以与所述初始读取电压水平不同的读取电压水平进行的；和
响应于所述BER满足所述阈值标准并响应于在所述ERF中进行所述重读操作，发起所述缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的所述缺陷。


5.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：
在进行所述ERF之前，以初始读取电压水平对多个存储器胞元进行所述读取操作以读取所述存储器组件中的所述数据单元；
作为所述ERF的一部分以第二读取电压水平对所述多个存储器胞元进行重读操作以恢复所述数据单元，其中所述第二读取电压水平不同于所述初始读取电压水平；和
在恢复所述数据单元之后，发起所述缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的所述缺陷。


6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：
检测使用初始读取电压水平从所述存储器组件的多个存储器胞元读取的所述数据单元中的一或多个错误；和
响应于在所述数据单元中检测到一或多个错误，作为所述ERF的一部分，以第二读取电压水平对所述多个存储器胞元进行重读操作以恢复所述数据单元，其中所述第二读取电压水平不同于所述初始读取电压水平；和
在恢复所述数据单元之后，发起所述缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的所述缺陷。


7.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：
获得所述写入时间戳；和
发出写入操作以将所述数据和所述写入时间戳作为所述数据单元写入所述存储器组件中。


8.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：
获得所述写入时间戳；
获得写入温度值，其指示写入所述数据单元时的温度；和
发出写入操作以将所述数据、所述写入时间戳和所述温度值作为所述数据单位写入所述存储器组件中。


9.一种方法，其包括：
以指定读取电压水平发出读取操作以读取存储器组件中的数据单元；
确定来自所述读取操作的所述数据单元由于错误而未成功解码；
进行错误恢复流程(ERF)以恢复所述数据单元，其中进行所述ERF包括以与所述指定读取电压水平不同的读取电压水平发出重读操作；
使用所述读取操作的当前时间和与所述数据单元相关地存储的写入时间戳来确定所述读取操作的写入到读取(W2R)延迟；
确定所述W2R延迟是否在为所述指定读取电压水平指定的W2R延迟范围内；和
响应于所述读取操作的所述W2R延迟在为所述指定读取电压水平指定的所述W2R延迟范围内，发起缺陷测试例程。


10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振刚，S·K·米拉瓦拉普，沈震雷，谢廷俊，C·S·光，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US