【技术实现步骤摘要】
存储器测试装置及其测试方法
本专利技术涉及用于测试高度集成的存储器设备的缺陷的存储器测试装置和测试方法。
技术介绍
经常使用深亚微米(DSM)技术来设计和制造最先进的半导体芯片，并且随着存储器变得越来越嵌入式，较低的存储器成品率已对整体设备的成品率造成了重大影响。因此，可修复存储器正被利用来提高整体芯片的成品率。另外，随着半导体器件的集成度增加且功能变得更加复杂，正研究用于有效地对半导体器件进行测试的若干方法。特别地，一种被称为BIST的方法，代表：内置自测功能已被考虑用于有效地对嵌入在半导体器件内的存储器进行测试。用于测试嵌入式存储器的该方法可以使用实现了存储器测试算法的电路。
技术实现思路
本专利技术的各方面提供了具有提高的可测试性和调试能力的存储器测试电路、测试系统及其操作方法。本专利技术的各方面还提供了可以以低成本进行测试的存储器测试电路、测试系统及其操作方法。本专利技术的一个方面是提供一种连接到存储器设备的存储器测试装置的测试方法，该测试方法包括：接收测试命令，并且当该测...
【技术保护点】
1.一种使用存储器测试装置来测试存储器设备的方法，包括：/n响应于所述存储器测试装置接收到的第一测试命令，使用有限状态机FSM操作命令来测试所述存储器设备；以及/n响应于所述存储器测试装置接收到的第二测试命令和地址信息，对所述存储器设备内的测试区域执行自动操作测试。/n
【技术特征摘要】
20200211 KR 10-2020-00162001.一种使用存储器测试装置来测试存储器设备的方法，包括：
响应于所述存储器测试装置接收到的第一测试命令，使用有限状态机FSM操作命令来测试所述存储器设备；以及
响应于所述存储器测试装置接收到的第二测试命令和地址信息，对所述存储器设备内的测试区域执行自动操作测试。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器测试装置包括内置自测试电路BIST，所述内置自测试电路BIST被配置为接收所述第一测试命令和所述第二测试命令分别作为FSM操作命令和直接访问命令。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述BIST包括：
测试接口，对所述第一测试命令和所述第二测试命令做出响应；
命令FSM；
直接访问控制器；以及
多路复用器，被配置为接收在所述命令FSM的输出端和所述直接访问控制器的输出端处生成的信号。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述存储器设备对所述多路复用器生成的信号做出响应。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器设备包括主单元区域和选项单元区域；以及其中，所述FSM操作命令包括以下项中的至少一项：对所述选项单元区域的测试过程、对所述主单元区域的测试过程、以及对所述主单元区域的保留测试过程。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述命令FSM被配置为响应于所述FSM操作命令而生成被提供给所述存储器设备的存储器地址信息和至少一个数据模式。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，对所述主单元区域的测试过程包括以下项中的至少一项：
对所述主单元区域内的至少一个页面或扇区执行擦除操作；
将预设数据编程到所述主单元区域中；
从所述主单元区域读取数据；
将从所述主单元区域读取到的数据与目标数据进行比较；以及
以数据模式或反向数据模式测试所述主单元区域。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，对所述主单元区域的保留测试过程包括以下项中的至少一项：
从所述主单元区域中读取数据；
将从所述主单元区域中读取到的数据与目标数据进行比较；
以数据模式或反向数据模式测试所述主单元区域。
9.一种存储器测试装置，包括：
存储器设备；以及
内置自测试(BIST)模块，被配置为响应于从测试装备接收到的测试命令而访问所述存储器设备并在其中执行测试，所述BIST模块被配置为响应于有限状态机FSM操作命令生成针对存储器设备的地址，当所述测试命令是所述FSM操作命令时访问所述存储器设备并在所述存储器设备内执行测试过程，并且当所述测试命令是直接访问命令时，基于接收到的地址信息对所述存储器设备的测试区域执行自动操作测试。
10.根据权利要求9所述的存储器测试装置，其中，所述BIST模块包括：
命令FSM模块，被配置为执行至少一个测试过程以访问所述存储器设备并执行与所述FSM操作命令相对应的测试过程；以及
直接访问控制器，被配置为根据所述直接访问命令来执行所述自动操作测试。
11.根据权利要求10所述的存储器测试装置，其中，所述命令FSM模块包括：
第一地址生成器，被配置为生成用于访问所述存储器设备的访问地址；
操作模块，被配置...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔弘默，李惠秀，姜智守，金贤镒，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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