一种SRAM电磁抗扰度的片上测量方法和系统技术方案

本发明专利技术公开了一种SRAM电磁抗扰度的片上测量方法和系统，利用电磁干扰检测模块的信号的周期性不受封装影响的特点，将内部电源Pad的干扰幅度转换成周期性的信号，通过检测该信号的频率就可以表征电源电压干扰幅度ARFI。并且通过功能测试模块就可以产生SRAM读、写操作的测试向量，并且判断SRAM受扰的失效情况。主要还会提供一个反馈信号，控制环形振荡器的开关状态，降低环形振荡器的功耗，将SRAM不同工作状态读或者写分开进行抗扰度测试，互不影响。

【技术实现步骤摘要】
一种SRAM电磁抗扰度的片上测量方法和系统
本专利技术涉及集成电路测试领域，更具体地，涉及一种SRAM电磁抗扰度的片上测量方法和系统。
技术介绍
测试标准IEC62132主要用于150KHz至1GHz的集成电路抗扰度测试，分为辐射抗扰度和传导抗扰度两种测试方法，其中直接功率注入法是比较常用的抗扰度测试方法。目前对集成电路芯片的抗扰度DPI(直接功率注入)测试方法如图1所示：根据芯片功能得出失效判据，在芯片电源VDD引脚上注入电磁干扰，应用示波器观察与测试相关的信号，并且使用前向注入功率来表征电磁抗扰度。数字存储示波器具有强大的信号实时处理和分析功能，并且可存储波形。目前已有将示波器集成在片上进行测量和数据处理的案例，图2为数字示波器的原理框图。此外，现有的SRAM(静态随机存取存储器)抗扰度测试中，利用MBIST模块来产生SRAM的测试向量以及检测SRAM受干扰失效情况。现有的SRAM抗扰度测试采用的是DPI测试方法，该方法测量的数据为注入的前向功率。但是对于研究集成电路受电磁干扰的失效情况来说，更关注于芯片内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SRAM电磁抗扰度的片上测量方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：在SRAM所处的芯片设计时，在芯片片内加入功能测试模块和电磁干扰检测模块；/nS2：所述功能测试模块包括MBIST故障检测子模块和EMI测试子模块，MBIST故障检测子模块用于检测SRAM在生产制造过程中的固有故障，EMI测试子模块用于产生SRAM的测试向量以及检测SRAM受干扰失效情况并提供反馈信号至电磁干扰检测模块中，控制电磁干扰检测模块的工作状态；/nS3：将相同的正弦波干扰注入到SRAM和电磁干扰检测模块中，当电磁干扰检测模块接收到所述反馈信号时，所述电磁干扰检测模块将干扰幅值转换成周期信号输出至芯片片外；/...

【技术特征摘要】
1.一种SRAM电磁抗扰度的片上测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在SRAM所处的芯片设计时，在芯片片内加入功能测试模块和电磁干扰检测模块；
S2：所述功能测试模块包括MBIST故障检测子模块和EMI测试子模块，MBIST故障检测子模块用于检测SRAM在生产制造过程中的固有故障，EMI测试子模块用于产生SRAM的测试向量以及检测SRAM受干扰失效情况并提供反馈信号至电磁干扰检测模块中，控制电磁干扰检测模块的工作状态；
S3：将相同的正弦波干扰注入到SRAM和电磁干扰检测模块中，当电磁干扰检测模块接收到所述反馈信号时，所述电磁干扰检测模块将干扰幅值转换成周期信号输出至芯片片外；
S4：在芯片片外比较有正弦波干扰注入时电磁干扰检测模块输出信号的频率和无正弦波干扰注入时电磁干扰检测模块输出信号的频率，得到SRAM电磁抗扰度。


2.根据权利要求1所述的SRAM电磁抗扰度的片上测量方法，其特征在于，所述功能测试模块中的EMI测试工作模式子模块，用于产生SRAM读、写操作的测试向量，并且判断SRAM失效情况。


3.根据权利要求2所述的SRAM电磁抗扰度的片上测量方法，其特征在于，所述功能测试模块在每次SRAM读或写操作完成到最后一个地址位置时，提供一个反馈信号。


4.根据权利要求1所述的SRAM电磁抗扰度的片上测量方法，其特征在于，所述电磁干扰检测模块包括第一门控环形振荡器、分频器和时间数字转换器，其中：
所述第一门控环形振荡器的控制端与所述功能测试模块的反馈信号连接，所述第一门控环形振荡器的电源端与所述正弦波干扰连接，所述第一门控环形振荡器的输出端与分频器的输入端连接，所述分频器的输出端与时间数字转换器的输入端连接，所述时间数字转换器将周期时间测量转换为数字量输出。


5.根据权利要求4所述的SRAM电磁抗扰度的片上测量方法，其特征在于，所述第一门控环形振荡器包括若干非门，所述若干非门首尾连接，形成环形电路，所述非门的由所述功能测试模块的反馈信号控制开关状态，所述若干非门的输出端均与反相器负载连接，反相器负载的另一端与分频器的输入端连接。


6.根据权利要求5所述的SRAM电磁抗扰度的片...

【专利技术属性】
技术研发人员：粟涛，徐小清，张志文，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44