晶圆半导体产品、掩膜版与光刻机制造技术

本发明专利技术提供了一种晶圆半导体产品、掩膜版与光刻机，所述晶圆半导体产品包括多个呈点阵式的排列在晶圆半导体产品上的管芯曝光场，每一所述管芯曝光场包括多个管芯、多个第一划片道、多个第二划片道和至少一个精细对准目标标记，所述多个管芯呈点阵式排列，所述第一划片道形成在相邻的两行管芯之间，所述第二划片道形成在相邻的两列管芯之间，所述精细对准目标标记与所述多个管芯不重叠设置，且所述精细对准目标标记的宽度大于所述第一划片道或第二划片道的宽度。所述晶圆半导体产品通过将精细对准目标标记设置在管芯占有的区域，可以在保证对准的条件下，减小划片道的宽度，进而增加了管芯曝光场中有效管芯的数量，节约了成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆半导体产品、掩膜版与光刻机
本专利技术涉及芯片制造工艺
，尤其涉及一种晶圆半导体产品、掩膜版与光刻机。
技术介绍
在UltratechStepper光刻机(步进光刻机)的芯片光刻工艺之前，需要将光刻机与晶圆进行对准，其大概的对准步骤为：首先，机械手把晶圆旋转在晶圆工作台上，并将晶圆与晶圆工作台对准，使用第一掩膜版，通过第一掩膜版上的光学对准目标标记(OpticalAlignmentTargetMark，简称OATmark)，进行光学对准(简称OAT对准)。晶圆半导体产品上对应位置为光学对准场(OAT场)，一个晶圆半导体产品上的OAT场通常有两个甚至更多。在光刻机的校准系统进行OAT对准后，进行X(X坐标参数)/Y(Y坐标参数)/θ(X和Y方向之间的夹角参数)的粗校正。之后，步进光刻机移动到预设的第一个管芯曝光场的位置，使用第二掩膜版，通过第二掩膜版上的精细对准目标标记(AKmark)进行精对准，对准后，进行X/Y/θ的精校正。之后，对当前管芯曝光场进行曝光操作，并步进移至下一个管芯曝光场，重新进行精对准(AK对准)。AK标记(精细对准目标标记)通常是尺寸为0.2*0.2mm宽4um的十字标记，这就代表在划片道60um或更小时是无法放置下对位标记，要在划片道内放下对位标识需要增大划片道到200um。上述现有技术中的管芯布局结构虽然能够实现晶圆与掩膜版的对准，但由于其需要增大划片道的宽度，从而造成了晶圆面积的浪费，造成了生成的管芯数量的减少，增加了成本。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种晶圆半导体产品，所述晶圆半导体产品通过将精细对准目标标记设置在管芯占有的区域，可以在保证对准的条件下，减小划片道的宽度，进而增加了曝光场中有效管芯的数量，节约了成本。根据本专利技术的晶圆半导体产品，所述晶圆半导体产品包括多个呈点阵式的排列在晶圆半导体产品上的管芯曝光场，每一所述管芯曝光场包括多个管芯、多个第一划片道、多个第二划片道和至少一个精细对准目标标记，所述多个管芯呈点阵式排列，所述第一划片道形成在相邻的两行管芯之间，所述第二划片道形成在相邻的两列管芯之间，所述精细对准目标标记与所述多个管芯不重叠设置，且所述精细对准目标标记的宽度大于所述第一划片道或第二划片道的宽度。另外，根据本专利技术上述的晶圆半导体产品，还可以具有如下附加的技术特征：所述管芯曝光场还包括至少一条对准标记划片道，所述对准标记划片道设置在至少两行或两列相邻的管芯之间；其中，所述精细对准目标标记设置在所述对准标记划片道内，所述对准标记划片道的宽度大于所述第一划片道和/或所述第二划片道的宽度。所述对准标记划片道仅为一条，所述精细对准目标标记设置有至少一对，所述精细对准目标标记之间均不重叠设置，至少一对所述精细对准目标标记成一排或一列设置在所述一条对准标记划片道内；所述精细对准目标标记与所述对准标记划片道的宽度一致。所述管芯曝光场还包括至少一个虚拟管芯，所述虚拟管芯与所述管芯曝光场的管芯的大小相同，所述虚拟管芯与所述管芯曝光场中的多个管芯一起呈矩阵排布，相邻的两列或两行管芯之间的间距相等；所述虚拟管芯处不设置管芯，所述精细对准目标标记设置在所述虚拟管芯对应的区域。所述精细对准目标标记设置在所述虚拟管芯对应的区域与所述虚拟管芯邻接的第一划片道或第二划片道的区域内。所述虚拟管芯为2个，每个所述虚拟管芯所对应的区域至少设有一个所述精细对准目标标记，所述两个虚拟管芯以及对应的精细对准目标标记，沿所述晶圆半导体产品的中心轴对称设置。所述虚拟管芯位于所述晶圆半导体产品的边缘，且所述虚拟管芯的一部分外露出所述晶圆半导体产品，所述精细对准目标标记形成在所述晶圆半导体产品上。所述晶圆半导体产品还包括光学对准场，所述光学对准场设置在所述晶圆半导体产品上除所述管芯曝光场以外的区域，所述光学对准场包括至少一个光学对准目标标记，所述光学对准目标标记的对位精度低于所述精细对准目标标记的对位精度。本专利技术还提供了一种掩膜版，所述掩膜版包括光学对准目标标记曝光图案、精细对准目标标记曝光图案和多个管芯曝光图案，所述光学对准目标标记曝光图案用于曝光形成在晶圆半导体产品上的光学对准场的光学对准目标标记，所述精细对准目标标记曝光图案用于曝光形成在晶圆半导体产品上的管芯曝光场中的精细对准目标标记，所述管芯曝光图案用于曝光形成在晶圆半导体产品上的管芯曝光场的多个管芯；其中，所述光学对准目标标记曝光图案、所述精细对准目标标记曝光图案、以及所述多个管芯曝光图案之间均不重叠设置；所述光学对准目标标记图案的对位精度低于所述精细对准目标标记图案的对位精度，且所述精细对准目标标记曝光图案的宽度大于相邻两个所述管芯曝光图案之间的间距。本专利技术还提供了一种光刻机，所述光刻机包括第一掩膜版、如上所述的掩膜版作为的第二掩膜版、对准校正系统和曝光系统，所述第一掩膜版用于形成所述晶圆半导体产品的光学对准场，所述第二掩膜版用于形成所述晶圆半导体产品的管芯曝光场，所述对准校正系统根据所述第一掩膜版或第二掩膜版进行对准校正，所述曝光系统使用所述第一掩膜版或第二掩膜版进行曝光。根据本专利技术的晶圆半导体产品，所述晶圆半导体产品通过将精细对准目标标记设置在管芯占有的区域，可以在保证对准的条件下，减小划片道的宽度，进而增加了管芯曝光场中有效管芯的数量，节约了成本。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1是一种晶圆半导体产品的OAT场和管芯曝光场的结构示意图；图2是本专利技术的一个实施例的一种管芯排列及对准标记分布图；图3是本专利技术的一个实施例的另一种管芯排列及对准标记分布图；图4是本专利技术的一个实施例的另一种管芯排列及对准标记分布图；图5是图4中AK标记及管芯排列的局部放大图；图6是本专利技术的另一个实施例结合虚拟管芯的管芯曝光场的示意图；图7是本专利技术的又一个实施例的管芯曝光场的示意图；图8是本专利技术的又一个实施例的管芯曝光场的示意图；图9是本专利技术的又一个实施例的管芯曝光场的示意图；图10是本专利技术的另一个实施例的晶圆半导体产品的结构示意图；图11是本专利技术的另一个实施例的晶圆半导体产品的结构示意图；图12是本专利技术的另一个实施例的晶圆半导体产品的OAT场的结构示意图。其中：10、光学对准场；20、管芯曝光场；13、虚拟管芯；101、光学对准目标标记；200、精细对准目标标记场；201、管芯；202、精细对准目标标记；203、小横杠标记；300、划片道；301、第一划片道；302、第二划片道；303、对准标记划片道。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆半导体产品，包括多个呈点阵式的排列在晶圆半导体产品上的管芯曝光场，其特征在于，每一所述管芯曝光场包括：/n多个管芯，呈点阵式排列；/n多个第一划片道，形成在相邻的两行管芯之间；/n多个第二划片道，形成在相邻的两列管芯之间；以及/n至少一个精细对准目标标记，所述精细对准目标标记与所述多个管芯不重叠设置；/n其中，所述精细对准目标标记的宽度大于所述第一划片道或第二划片道的宽度。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆半导体产品，包括多个呈点阵式的排列在晶圆半导体产品上的管芯曝光场，其特征在于，每一所述管芯曝光场包括：
多个管芯，呈点阵式排列；
多个第一划片道，形成在相邻的两行管芯之间；
多个第二划片道，形成在相邻的两列管芯之间；以及
至少一个精细对准目标标记，所述精细对准目标标记与所述多个管芯不重叠设置；
其中，所述精细对准目标标记的宽度大于所述第一划片道或第二划片道的宽度。


2.如权利要求1所述的一种晶圆半导体产品，其特征在于，所述管芯曝光场还包括至少一条对准标记划片道，所述对准标记划片道设置在至少两行或两列相邻的管芯之间；
其中，所述精细对准目标标记设置在所述对准标记划片道内，所述对准标记划片道的宽度大于所述第一划片道和/或所述第二划片道的宽度。


3.如权利要求2所述的一种晶圆半导体产品，其特征在于，所述对准标记划片道仅为一条，所述精细对准目标标记设置有至少一对，所述精细对准目标标记之间均不重叠设置，至少一对所述精细对准目标标记成一排或一列设置在所述一条对准标记划片道内；所述精细对准目标标记与所述对准标记划片道的宽度一致。


4.如权利要求1所述的一种晶圆半导体产品，其特征在于，所述管芯曝光场还包括至少一个虚拟管芯，所述虚拟管芯与所述管芯曝光场的管芯的大小相同，所述虚拟管芯与所述管芯曝光场中的多个管芯一起呈矩阵排布，相邻的两列或两行管芯之间的间距相等；
所述虚拟管芯处不设置管芯，所述精细对准目标标记设置在所述虚拟管芯对应的区域。


5.如权利要求4所述的一种晶圆半导体产品，其特征在于，所述精细对准目标标记设置在所述虚拟管芯对应的区域与所述虚拟管芯邻接的第一划片道或第二划片道的区域内。


6.如权利要求4所述的一种晶圆半导体产品，其特征在于，所述虚拟管芯为2个，每个所述虚拟管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘钙，王国峰，杨忠武，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45