晶圆半导体产品及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆半导体产品及其制作方法，所述晶圆半导体产品包括光学对准场以及多个管芯曝光场，所述光学对准场包括至少一个光学对准目标标记；所述多个管芯曝光场，呈点阵式的排列在晶圆半导体产品上除所述光学对准场以外的区域；其中，每一所述管芯曝光场包括多个管芯以及第二精细对准目标标记；所述光学对准目标标记的对位精度低于所述第二精细对准目标标记的对位精度，所述光学对准场的个数仅为一个。通过减少光学对准场的数量，减少了光学对准场的数量，在相同晶圆面积下可布设更多的管芯曝光场，提升了有效管芯的布局数量，降低了平均每个管芯的成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆半导体产品及其制作方法
本专利技术涉及芯片制造工艺
，尤其涉及一种晶圆半导体产品及其制作方法。
技术介绍
在UltratechStepper光刻机(步进光刻机)的芯片光刻工艺之前，需要将光刻机与晶圆进行对准，其大概的对准步骤为：首先，机械手把晶圆旋转在晶圆工作台上，并将晶圆与晶圆工作台对准，使用第一掩模版，通过第一掩膜版上的光学对准目标标记(OpticalAlignmentTargetMark，简称OATmark)，进行光学对准(简称OAT对准)。晶圆半导体产品上对应位置为光学对准场(OAT场)，一个晶圆半导体产品上的OAT场通常有两个甚至更多。在光刻机的校准系统进行OAT对准后，进行X(X坐标参数)/Y(Y坐标参数)/θ(X和Y方向之间的夹角参数)的粗校正。之后，步进光刻机移动到预设的第一个管芯曝光场的位置，使用第二掩膜版，通过第二掩膜版上的精细对准目标标记(AKmark)进行精对准，对准后，进行X/Y/θ的精校正。之后，对当前管芯曝光场进行曝光操作，并步进移至下一个管芯曝光场，重新进行精对准(AK对准)。>上述现有技术中的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆半导体产品，其特征在于，包括：/n光学对准场，由一第一掩膜版曝光形成，所述光学对准场包括至少一个光学对准目标标记；以及/n多个管芯曝光场，呈点阵式的排列在晶圆半导体产品上除所述光学对准场以外的区域，由一第二掩膜版依次曝光形成；/n其中，每一所述管芯曝光场包括：/n多个管芯；以及/n第二精细对准目标标记；/n其中，所述多个管芯与所述第二精细对准目标标记不重叠设置，所述光学对准目标标记的对位精度低于所述第二精细对准目标标记的对位精度，所述光学对准场的个数仅为一个。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆半导体产品，其特征在于，包括：
光学对准场，由一第一掩膜版曝光形成，所述光学对准场包括至少一个光学对准目标标记；以及
多个管芯曝光场，呈点阵式的排列在晶圆半导体产品上除所述光学对准场以外的区域，由一第二掩膜版依次曝光形成；
其中，每一所述管芯曝光场包括：
多个管芯；以及
第二精细对准目标标记；
其中，所述多个管芯与所述第二精细对准目标标记不重叠设置，所述光学对准目标标记的对位精度低于所述第二精细对准目标标记的对位精度，所述光学对准场的个数仅为一个。


2.根据权利要求1所述的晶圆半导体产品，其特征在于，所述光学对准场为完整场，所述光学对准场位于所述晶圆半导体产品的中央区域内。


3.根据权利要求1所述的晶圆半导体产品，其特征在于，所述光学对准场为完整场，所述光学对准场为一长方形区域；所述光学对准场内包括至少两个光学对准目标标记，两个所述光学对准目标标记分别设置在靠近所述光学对准场的两个短边位置处。


4.根据权利要求1所述的晶圆半导体产品，其特征在于，所述光学对准场为不完整场，所述光学对准场位于所述晶圆半导体产品的边缘，且所述光学对准场的一部分外露出所述晶圆半导体产品；所述光学对准目标标记形成在所述晶圆半导体产品上。


5.根据权利要求1所述的晶圆半导体产品，其特征在于，所述光学对准场还包括至少一个第一精细对准目标标记，所述光学对准目标标记的对位精度低于所述第一精细对准目标标记的对位精度。


6.根据权利要求5所述的晶圆半导体产品，其特征在于，所述光学对准场被划分为设置所述光学对准目标标记的第一区域以及除所述第一区域之外的第二区域，其中，所述第二区域设置有多个管芯；所述第一精细对准目标标记设置在所述第二区域内；所述第一精细对准目标标记和所述多个管芯在所述第二区域内相互之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国峰，潘钙，杨忠武，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45