【技术实现步骤摘要】
移除方法、积层体、形成方法、聚酰亚胺树脂及剥离液
本专利技术涉及一种移除光致抗蚀剂的方法，且特别是涉及一种包括聚酰亚胺树脂形成的膜层的层合板的移除光致抗蚀剂的方法、形成金属图案的方法以及方法中使用的剥离液。
技术介绍
聚酰亚胺(polyimide，简称：PI)是由二酐与二胺经聚合反应而形成的热固型高分子聚合物，其具有优异的热稳定性、耐化学腐蚀性、机械特性及电特性，因此常用作成形材料、电子材料、光学材料等，而广泛地应用于各种领域。聚酰亚胺也可应用于形成金属图案的工序中。然而，由聚酰亚胺形成的薄膜经高温工序后具有难溶于溶剂中的问题。举例来说，形成金属图案的工序中常使用剥离法(lift-off)来形成金属图案，当由聚酰亚胺形成的薄膜难溶于剥离液时，可能使用以形成金属图案的光致抗蚀剂不易剥除而残留在使用所述薄膜的装置中，进而影响所述装置的效能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种可形成具有良好的剥离性的聚酰亚胺树脂、移除光致抗蚀剂的方法、层合板、形成金属图案的方法及剥离液。本专利技术的一种移除光致...
【技术保护点】
1.一种移除光致抗蚀剂的方法，包括：/n于基板上形成离型层，所述离型层具有彼此相对的第一表面与第二表面，其中所述离型层的所述第一表面与所述基板接触；/n于所述离型层的所述第二表面上形成光致抗蚀剂层；以及/n移除所述离型层以及所述光致抗蚀剂层，/n其中所述离型层是由聚酰亚胺树脂所形成，所述聚酰亚胺树脂是由四羧酸二酐类、二胺类以及苯酚胺类进行聚合反应而获得，其中所述二胺类包括羟基氟化二胺类、苯甲酸二胺类以及氨基四甲基二硅氧烷类。/n
【技术特征摘要】
1.一种移除光致抗蚀剂的方法，包括：
于基板上形成离型层，所述离型层具有彼此相对的第一表面与第二表面，其中所述离型层的所述第一表面与所述基板接触；
于所述离型层的所述第二表面上形成光致抗蚀剂层；以及
移除所述离型层以及所述光致抗蚀剂层，
其中所述离型层是由聚酰亚胺树脂所形成，所述聚酰亚胺树脂是由四羧酸二酐类、二胺类以及苯酚胺类进行聚合反应而获得，其中所述二胺类包括羟基氟化二胺类、苯甲酸二胺类以及氨基四甲基二硅氧烷类。
2.根据权利要求1所述的移除光致抗蚀剂的方法，其中所述二胺类还包括苯醚二胺类。
3.根据权利要求1所述的移除光致抗蚀剂的方法，其中用于移除所述离型层以及所述光致抗蚀剂层的剥离液为乙二醇与二乙二醇单丁醚的混合物。
4.根据权利要求1所述的移除光致抗蚀剂的方法，其中所述聚酰亚胺树脂具有通式(1)所表示的结构，
通式(1)中，p为2～30的整数，Z为亚烷基。
5.根据权利要求4所述的移除光致抗蚀剂的方法，其中所述Z为亚甲基。
6.根据权利要求1所述的移除光致抗蚀剂的方法，其中所述光致抗蚀剂层为负型光致抗蚀剂层。
7.一种层合板，包括：
基板；
离型层，具有彼此相对的第一表面与第二表面，其中所述离型层的所述第一表面与所述基板接触；以及
光致抗蚀剂层，具有彼此相对的第三表面与第四表面，其中所述光致抗蚀剂层的所述第三表面与所述离型层的所述第二表面接触，
其中所述光致抗蚀剂层的所述第三表面的边缘与所述离型层的所述第二表面的边缘之间具有间距。
8.根据权利要求7所述的层合板，其中所述间距为1μm～35μm。
9.根据权利要求7所述的层合板，其中所述光致抗蚀剂层沿着所述基板、所述离型层以及所述光致抗蚀剂层的积层方向的剖面为倒锥形。
10.根据权利要求7所述的层合板，其中所述离型层的厚度为0.1μm～10μm。
11.根据权利要求7所述的层合板，其中所述离型层是由聚酰亚胺树脂所形成，所述聚酰亚胺树脂是由四羧酸二酐类、二胺类以及苯酚胺类进行聚合反应而获得，其中所述二胺类包括羟基氟化二胺类、苯甲酸二胺类以及氨基四甲基二硅氧烷类。
12.根据权利要求11所述的层合板，其中所述二胺类还包括苯醚二胺类。
13.根据权利要求7所述的层合板，其中所述离型层是由聚酰亚胺树脂所形成，所述聚酰亚胺树脂具有通式(2)所表示的结构或通式(3)所表示的结构，
通式(2)及通式(3)中，m为5～150的整数，n为5～150的整数，Ar1为四价有机基，Ar2为二价有机基团，Ar3为二价芳基，R1为羟基或羧基。
14.根据权利要求13所述的层...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨子瑾，林勇宇，赖积佑，钟明哲，张哲玮，
申请(专利权)人：新应材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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