集成芯片制造技术

本公开多种实施例涉及集成芯片。集成芯片包括第一半导体鳍状物，自半导体基板垂直凸起。第二半导体鳍状物，自半导体基板垂直凸起，其中第二半导体鳍状物与第一半导体鳍状物在第一方向中分开，且其中第一半导体鳍状物的第一最顶部表面高于第二半导体鳍状物的第二最顶部表面。纳米结构堆叠，位于第二半导体鳍状物上并与第二半导体鳍状物垂直分开，其中纳米结构堆叠包括垂直堆叠的多个半导体纳米结构。一对第一源极/漏极区，位于第一半导体鳍状物上，其中第一源极/漏极区位于第一半导体鳍状物的上侧部分的两侧上。一对第二源极/漏极区，位于第二半导体鳍状物上，其中第二源极/漏极区位于纳米结构堆叠的两侧上。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片
本公开实施例涉及集成芯片，更特别涉及含有装置效能改善的半导体装置(如逆变器)的集成芯片。
技术介绍
集成电路制造产业在最近几十年经历指数成长。随着集成电路演进，可减少最小结构尺寸及/或减少半导体装置构件之间的空间，以减少半导体装置的尺寸(如互补式金属氧化物半导体逆变器的面积)，其可增加装置密度(比如整合至给定面积中的半导体装置数目)。然而随着半导体装置尺寸持续缩小，越来越难以改善半导体装置的装置效能(比如增加切换速度、减少电流不平衡、减少读取/写入时间、或类似效能)，而不负面影响装置密度。因此集成电路制造产业亟须改善半导体装置的装置效能，而不会负面影响装置密度的进展。
技术实现思路
本公开一些实施例提供集成芯片。集成芯片包括第一半导体鳍状物，自半导体基板垂直凸起。第二半导体鳍状物，自半导体基板垂直凸起，其中第二半导体鳍状物与第一半导体鳍状物在第一方向中分开，且其中第一半导体鳍状物的第一最顶部表面高于第二半导体鳍状物的第二最顶部表面。纳米结构堆叠，直接位于第二半导体鳍状物上并与第二半导体鳍状物垂直分开，其中纳米结构堆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n一第一半导体鳍状物，自一半导体基板垂直凸起；/n一第二半导体鳍状物，自该半导体基板垂直凸起，其中该第二半导体鳍状物与该第一半导体鳍状物在一第一方向中分开，且其中该第一半导体鳍状物的一第一最顶部表面高于该第二半导体鳍状物的一第二最顶部表面；/n一纳米结构堆叠，直接位于该第二半导体鳍状物上并与该第二半导体鳍状物垂直分开，其中该纳米结构堆叠包括垂直堆叠的多个半导体纳米结构；/n一对第一源极/漏极区，位于该第一半导体鳍状物上，其中该第一源极/漏极区位于该第一半导体鳍状物的一上侧部分的两侧上；以及/n一对第二源极/漏极区，位于该第二半导体鳍状物上，其中该第二源极/漏极区位于该...

【技术特征摘要】
20200319 US 16/823,7921.一种集成芯片，包括：
一第一半导体鳍状物，自一半导体基板垂直凸起；
一第二半导体鳍状物，自该半导体基板垂直凸起，其中该第二半导体鳍状物与该第一半导体鳍状物在一第一方向中分开，且其中该第一半导体鳍状物的一第一最顶部表面高于该第二半导体鳍状物的一第二最顶部表面；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志豪，张尚文，曹敏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71