晶体管栅极及形成方法技术

本公开涉及晶体管栅极及形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，在第一纳米结构周围；第二高k栅极电介质，在第二纳米结构周围；以及栅极电极，在第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极在第一纳米结构和第二纳米结构之间的部分包括：第一p型功函数金属；阻挡材料，在第一p型功函数金属之上；以及第二p型功函数金属，在阻挡材料之上，该阻挡材料将第一p型功函数金属与第二p型功函数金属实体分离。

【技术实现步骤摘要】
晶体管栅极及形成方法
本公开总体涉及晶体管栅极及形成方法。
技术介绍
半导体器件被用于各种电子应用中，例如，个人计算机、手机、数码相机、和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底上方按顺序沉积绝缘或电介质层、导电层、和半导体材料层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多元件集成到给定区域中。但是，随着最小特征尺寸的减小，出现了应该解决的其他问题。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在所述第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，在所述第一纳米结构周围；第二高k栅极电介质，在所述第二纳米结构周围；以及栅极电极，在所述第一高k栅极电介质和所述第二高k栅极电介质之上，其中，所述栅极电极在所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的部分包括：第一p型功函数金属；阻挡材料，在所述第一p型功函数金属之上；以及第二p型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n第一纳米结构；/n第二纳米结构，在所述第一纳米结构之上；/n第一高k栅极电介质，在所述第一纳米结构周围；/n第二高k栅极电介质，在所述第二纳米结构周围；以及/n栅极电极，在所述第一高k栅极电介质和所述第二高k栅极电介质之上，其中，所述栅极电极在所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的部分包括：/n第一p型功函数金属；/n阻挡材料，在所述第一p型功函数金属之上；以及/n第二p型功函数金属，在所述阻挡材料之上，所述阻挡材料将所述第一p型功函数金属与所述第二p型功函数金属实体分离。/n

【技术特征摘要】
20200515 US 63/025,349;20200729 US 16/942,3101.一种半导体器件，包括：
第一纳米结构；
第二纳米结构，在所述第一纳米结构之上；
第一高k栅极电介质，在所述第一纳米结构周围；
第二高k栅极电介质，在所述第二纳米结构周围；以及
栅极电极，在所述第一高k栅极电介质和所述第二高k栅极电介质之上，其中，所述栅极电极在所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的部分包括：
第一p型功函数金属；
阻挡材料，在所述第一p型功函数金属之上；以及
第二p型功函数金属，在所述阻挡材料之上，所述阻挡材料将所述第一p型功函数金属与所述第二p型功函数金属实体分离。


2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述阻挡材料包括钨。


3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一p型功函数金属和所述第二p型功函数金属各自包括氮化钛。


4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一p型功函数金属具有第一厚度，所述第一纳米结构与所述第二纳米结构间隔开第一距离，并且所述第一厚度与所述第一距离的比率在0.05至0.2的范围内。


5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一高k栅极电介质包括氟。


6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述第一高k栅极电介质中的氟浓度在0.5％至10％的范围内。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李欣怡，洪正隆，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71