温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及晶体管栅极及形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，在第一纳米结构周围；第二高k栅极电介质，在第二纳米结构周围；以及栅极电极，在第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。