【技术实现步骤摘要】
半导体器件及方法
本公开总体涉及半导体器件及方法。
技术介绍
半导体器件被用于各种电子应用中，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式制造半导体器件：在半导体衬底之上依次沉积材料的绝缘层或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻来图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件集成到给定面积中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应当解决的其他问题。
技术实现思路
根据本公开的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；多个半导体沟道结构，位于所述衬底之上；栅极结构，位于所述多个半导体沟道结构之上，其中，所述栅极结构在所述多个半导体沟道结构中的相邻的半导体沟道结构之间延伸；源极/漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述源极/漏极区域与所述多个半导体沟道结构接触；以及内部间隔件，插入在所述源极/漏极区域和所述栅极结构之间，所述内部间隔件包括：第一内部间隔件层...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n多个半导体沟道结构，位于所述衬底之上；/n栅极结构，位于所述多个半导体沟道结构之上，其中，所述栅极结构在所述多个半导体沟道结构中的相邻的半导体沟道结构之间延伸；/n源极/漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述源极/漏极区域与所述多个半导体沟道结构接触；以及/n内部间隔件，插入在所述源极/漏极区域和所述栅极结构之间，所述内部间隔件包括：/n第一内部间隔件层，与所述栅极结构和所述源极/漏极区域接触，所述第一内部间隔件层包括硅和氮；以及/n第二内部间隔件层，与所述第一内部间隔件层和所述源极/漏极区域接触，所述第二内部间隔件层包括硅、氧和氮，所述...
【技术特征摘要】
20200130 US 62/967,933;20200727 US 16/940,2261.一种半导体器件，包括：
衬底；
多个半导体沟道结构，位于所述衬底之上；
栅极结构，位于所述多个半导体沟道结构之上，其中，所述栅极结构在所述多个半导体沟道结构中的相邻的半导体沟道结构之间延伸；
源极/漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述源极/漏极区域与所述多个半导体沟道结构接触；以及
内部间隔件，插入在所述源极/漏极区域和所述栅极结构之间，所述内部间隔件包括：
第一内部间隔件层，与所述栅极结构和所述源极/漏极区域接触，所述第一内部间隔件层包括硅和氮；以及
第二内部间隔件层，与所述第一内部间隔件层和所述源极/漏极区域接触，所述第二内部间隔件层包括硅、氧和氮，所述第二内部间隔件层具有比所述第一内部间隔件层更低的介电常数。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部间隔件的第一侧壁与所述源极/漏极区域接触，所述第一侧壁在截面图中具有W形。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一内部间隔件层包括碳氮化硅，其中，所述第一内部间隔件层具有5％至20％的碳原子百分比，并且其中，所述第一内部间隔件层具有25％至45％的氮原子百分比。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一内部间隔件层包括氮化硅，并且其中，所述第一内部间隔件层具有从35％至50％的氮原子百分比。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二内部间隔件层包括碳氮氧化硅，其中，所述第二内部间隔件层具有25％至60％的氧原子百分比，其中，所述第二内部间隔件层具有小于10％的碳原子百分比，并且其中，所述第二内部间隔件层具有10％至50％的氮原子百分比。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二内部间隔件层包括氮氧化硅，其中，所述第二内部间隔件层具有25％至60％的氧原子百分比，并且其中，所述第二内部间件隔层具有10％至50％的氮原子百分比。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一内部间隔件层具有6.0至7.3的介电常数，并且其中，所述第二内部间隔件层具有4.2至6.0的...
【专利技术属性】
技术研发人员：林文凯，张哲豪，徐志安，卢永诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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