温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体器件及方法。公开了用于半导体器件的改进的内部间隔件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：衬底；多个半导体沟道结构，在衬底之上；栅极结构，在该多个半导体沟道结构之上，该栅极结构在多个半导体沟道结构中的相邻的半导体沟...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。