转换被测晶圆缺陷坐标制造技术

一种对缺陷进行定位的方法，包括：　　　　提供被测器件的检查图像，包含潜在缺陷的检出坐标；　　　　将检查图像转换成预定图像格式的第一图像；　　　　提供被测器件的ＣＡＤ数据；　　　　将ＣＡＤ数据转换成预定图像格式的第二图像；　　　　将第一和第二图像对准；　　　　将潜在缺陷的检出坐标转换成ＣＡＤ坐标；以及　　　　根据ＣＡＤ坐标的函数定位缺陷。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般性地涉及半导体制造领域。本专利技术尤其涉及半导体检查和测量。
技术介绍
检查和测量是半导体制造的重要领域。测量可以被定义为精确量化不同材料的物理、空间、或电特性的能力。大量的测量工具被日常用于对半导体制造过程的质量进行监视。检查涉及观察和量化缺陷的能力，检查工具包含用于这些目的各种光学仪器。在亚微米应用中，广泛使用例如扫描电子显微镜(SEM)这样的检查设备。随着几何尺寸越变越小，观察晶圆和光罩(reticle)(掩模)缺陷的能力就变得更富有挑战性，且代价高昂。现有晶圆和掩模检查工具发现的是仅当其位置被推定时才能够处置的缺陷。通常，工程师们花费许多小时或许多天尝试确定缺陷的位置，以便能够将这些缺陷对成品率的影响进行分类和判断。因此，常常不是针对其位置，而是针对其大小来对缺陷进行处置。于是，需要一种用于缺陷定位的方法和设备，其使工程缺陷降低工作量最低，并且提高例如成品率这样的测量预期。
技术实现思路
需要下列实施例。当然，本专利技术并不限于这些实施例。根据本专利技术的一个实施例，利用被测器件的CAD数据对被测器件上的缺陷进行定位。提供被测器件的检查图像，并确定被测器件上潜在缺陷的坐标。然后将检查图像转换成预定图像格式。接着使用被测器件的CAD数据产生第二图像，此图像也具有该预定图像格式。然后将CAD导出的图像和该器件导出的图像进行对准，并且晶圆上潜在缺陷的坐标被转换成CAD坐标。接着，为了对与检出晶圆缺陷相应的光罩缺陷进行定位，使用CAD坐标浏览光罩。根据本专利技术另一方面，一种设备包含用于固定被测晶圆的工作台(stage)，与工作台相连并用于产生被测晶圆的检查图像和产生被测晶圆中检出的缺陷的工作台坐标的缺陷检测设备，被测晶圆的CAD数据，被连接以控制工作台、图像和缺陷检测设备的控制单元，以及与控制单元、图像和缺陷检测设备相连的同步单元，用于根据被测晶圆的检查图像和CAD数据的函数将被测晶圆的缺陷的工作台坐标转换成晶圆掩模坐标。当结合下面的描述和附图一起进行考虑时，将会更好地认识和理解本专利技术的这些和其它的实施例。然而，应当理解的是，以图解方式给出下面的描述，虽然其表明本专利技术的各种实施例和大量特定细节，然而并不是对本专利技术的限制。可以在不偏离本专利技术的实质的前提下在本专利技术的范围内进行许多替代、修改、附加和/或重构，而且本专利技术包含所有这样的替代、修改、附加和/或重构。附图说明伴随并构成说明书一部分的附图被包含进来以描述本专利技术的一些方面。通过参照附图中图解的示例性、因而非限定性的实施例，将使和本专利技术一起提供的专利技术、系统构成和操作的更加清楚的构思变得更加易于理解，其中同样的参考数字(如果它们在多于一幅图中出现的话)表示同样或类似的要素。结合这里提出的描述，参照这些附图中的一幅或多幅附图可以更好地理解本专利技术。应当注意的是，附图中所图解的那些特征不必按比例画出。图1是晶圆的图像，其图解了本专利技术的一个方面。图2是光罩的图像，其图解了本专利技术的一个方面。图3是在不同光罩区上的重复缺陷扩散的图像，其图解本专利技术的图4是半导体检查设备的方框图，其代表本专利技术的实施例。图5是转换方法的流程图，其代表本专利技术的实施例。图6是同步的CAD和晶圆图像，其图解本专利技术的一个方面。具体实施例方式下面参照附图中所图解的和下面描述中详细说明的非限定实施例，更全面地阐述本专利技术及其各种特征和有利细节。应当理解，仅通过图解方式而非通过限制来给出的详细描述和特定的例子，虽然其指示本专利技术的特定实施例。通过此公布，本领域的普通技术人员会明白在基本专利技术构思的实质和/或范围内的各种替代、修改、附加和/或重构。在检查制造设备中的晶圆期间，重复缺陷或异常可能随时显现出来。重复缺陷是在晶圆的每个光罩区重复的缺陷，其可以源于例如光罩掩模或板的问题。当晶圆缺陷从一个光罩区重复到另一个光罩区时，检查工具可以标定这样的缺陷并将它们存储在缺陷文件中。缺陷文件含有每个潜在的检出缺陷的工作台X-Y坐标。利用复查站中的缺陷文件，可以将复查工具驱动到该晶圆(wafer)或小片(die)中发现的、该缺陷或丢失特征的位置。不幸的是，缺陷文件中的重复的位置从一个重复缺陷到另一个不同光罩区的重复缺陷可偏移大约5至15微米。这个偏移可能源于例如工具间的工作台不一致或机械公差，使得难以在晶圆和光罩掩模之间转换缺陷位置。本专利技术可以包含用于通过利用在检查图像上覆盖的计算机辅助设计(CAD)布局来确定半导体特征等等的绝对X-Y位置的方法和/或设备。这些特征可以是例如缺陷或异常。本专利技术可包含通过将绝对CAD X-Y坐标附加到缺陷文件中，对缺陷或丢失特征进行标记。在一个实施例中，CAD布局和检查图像可以自动同步。当复查工具上的工作台移动通过小片时，特定层的覆盖CAD图像可以一前一后地移动。这种自动同步方法既可以得到在检查工具屏幕上所见的图像，也可以获得生成的CAD图像。在另一个实施例中，可为操作员提供检查图像和在同一屏幕上的覆盖CAD图。一旦根据本专利技术进行上述同步，带有重复缺陷的特定晶圆的缺陷文件可以被装载到检查工具或复查工具中，并且被驱动到有关的特定缺陷或丢失特征处。该缺陷的绝对CAD X-Y坐标可以以标记缺陷文件或标记文件的形式被记录下来。通常，光罩板比印制的器件大4倍，是光罩区的镜像图像。在一个实施例中，可以相应转换CAD X-Y坐标以补偿光罩板和光罩区之间的差异。光罩板复查工具的结构与制造检查工具的结构相类似，其能够利用CAD X-Y坐标精确地被驱动到正确缺陷位置。一旦在光罩板上正确地发现缺陷区域，可以使用分析工具来确定该特定特征的可能问题。在一个实施例中，在对光罩板进行修复之后，为了确定修复的输出，可以进行印制测试并将晶圆检查复查工具返回到同样位置。利用这里所描述的方法也可以报告在掩模室处的光罩板上所发现的其它缺陷位置，利用绝对CAD X-Y坐标可以将晶圆制备在线检查工具驱动到那些相同的位置上。参照图1，所描述的是晶圆105，其图解了本专利技术的一个方面。在这个示例性实施例中，晶圆105可包含例如光罩区110的6个行100。利用分步重复照相平板印刷过程(photolythographic)以众所周知的方式在晶圆105上的有序图案中形成光罩区110。通常，光罩区110(与单个小片相对应)可能包含不期望的缺陷115。缺陷115可能是化学或结构异常，它们会使硅晶体结构或在光罩区110表面上驻留的淀积材料的晶体结构降级。参照图2，描述的是图1中的单个光罩区110，其图解本专利技术的一个方面。光罩区110包含缺陷115。在这个例子中，缺陷115中的一个是重复缺陷120。重复缺陷120可能在图1所述的晶圆105的某些或所有其它光罩区上重复出现。如果图1所述的晶圆105的光罩区110堆积于仅显示重复缺陷的一次光罩区照射(shot)，当检查工具横穿且向下地扫描晶圆时，会见到与检查工具所导致的离去工作台相关的扩散。例如，参照图3，描述了在不同光罩区扩散的图2中所述的重复缺陷120，图解了本专利技术的一个实施例。圆圈305表明重复缺陷120的实际位置。多个叉线正方形310表示位于晶圆不同部分的不同光罩区的相同位置中相同缺陷的单个堆积。在一个实际实施例中，当检查系统在晶圆上进行垂直和水平扫描时，工作台精度可以在每个方向(图3中的Δ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：基思·布兰科尼，大卫·M·施劳布，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：