反应装置制造方法及图纸

本申请提供了一种反应装置。该装置包括加热设备，具有加热腔，加热设备用于加热源材料形成反应物；第一管路，与加热腔连通，第一管路用于通入载气；第二管路，一端与加热设备连通；反应器，与第二管路的另一端连通，反应器用于采用加热后的反应物制备所需结构；第一流量检测设备，位于第二管路上，第一流量检测设备用于检测第二管路中的气体的流量；PID控制器，输入端与第一流量检测设备通信连接，输出端与加热设备通信连接并根据第二管路中的流量调节所述加热设备的温度以使所述第二管路中的流量处于预设范围内。该反应装置实现流量的反馈调节，进而可以调整进入到反应器的反应物的质量，从而保证了所需结构的稳定沉积，保证了其质量。

【技术实现步骤摘要】
反应装置
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种反应装置。
技术介绍
AlCl3作为沉积氧化铝层的Al源，广泛应用于半导体行业，但AlCl3是固体材料，需要在加热设备的加热腔中加热AlCl3，加热后得到的AlCl3通过Ar等惰性气体携带，在进入反应器之前，先由MFM(MassFlowMeter，气体质量流量计)来监测管路中气体的流量，检测合格后，才会控制气体进入到反应器以沉积氧化铝层。一般地，在加热腔加热的一个周期内，随着加热腔内AlCl3的量逐渐减少，Ar携带出来的AlCl3持续减少，影响反应器内氧化铝层的厚度；另外，随着3DNAND深宽比的不断增大，在一个ALD(原子层沉积)周期内，需要增加通入AlCl3的时间来保证S/C(StepCoverage)，但是载气携带AlCl3的持久性明显不行。目前，MFM只起到监测作用，并不能做出任何调节其携带均匀性的动作，一旦载气携带铝的流量下降，实际过程中，也无法调整当前流量，也难以控制氧化铝层沉积的过程，也难以保证氧化铝层的质量。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应装置，其特征在于，包括：/n加热设备，具有加热腔，所述加热设备用于加热源材料形成反应物；/n第一管路，与所述加热腔连通，所述第一管路用于通入载气；/n第二管路，一端与所述加热设备连通；/n反应器，与所述第二管路的另一端连通，所述反应器用于采用加热后的所述反应物制备所需结构；/n第一流量检测设备，位于所述第二管路上，所述第一流量检测设备用于检测所述第二管路中的气体的流量；/nPID控制器，输入端与所述第一流量检测设备通信连接，输出端与所述加热设备通信连接，所述PID控制器根据第二管路中的气体流量调节所述加热设备的温度以使所述第二管路中的气体流量处于预设范围内。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应装置，其特征在于，包括：
加热设备，具有加热腔，所述加热设备用于加热源材料形成反应物；
第一管路，与所述加热腔连通，所述第一管路用于通入载气；
第二管路，一端与所述加热设备连通；
反应器，与所述第二管路的另一端连通，所述反应器用于采用加热后的所述反应物制备所需结构；
第一流量检测设备，位于所述第二管路上，所述第一流量检测设备用于检测所述第二管路中的气体的流量；
PID控制器，输入端与所述第一流量检测设备通信连接，输出端与所述加热设备通信连接，所述PID控制器根据第二管路中的气体流量调节所述加热设备的温度以使所述第二管路中的气体流量处于预设范围内。


2.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述反应装置还包括：
流量控制结构，位于所述第一管路上，所述流量控制结构与所述PID控制器的输出端通信连接，所述流量控制结构用于控制所述第一管路中的流量。


3.根据权利要求2所述的反应装置，其特征在于，所述流量控制结构包括流量控制阀。


4.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述反应装置还包括：
第一模数转换器，一端与所述第一流量检测设备连接，另一端与所述PID控制器的输入端通信连接，所述第一模数转换器用于获取流量信号并进行模数转换。


5.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述反应装置还包括：
第二控制阀，位于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：马红霞，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42