一种氮化硅结合碳化硅坩埚制造技术

本实用新型专利技术涉及一种氮化硅结合碳化硅坩埚，包括：氮化硅结合碳化硅烧结的坩埚底和坩埚环壁，坩埚底和坩埚环壁插接后形成由坩埚底部至顶部敞口逐渐增大的圆筒体；圆筒体内壁以底部为中心向外发散延伸有多条导流线。本实用新型专利技术由于坩埚底和坩埚环壁插接后形成由坩埚底部至顶部敞口逐渐增大的圆筒体，方便石英坩埚换埚时取出，以底部为中心向外发散延伸有多条导流线和采用氮化硅结合碳化硅烧结形成了导热性好，线膨胀系数小、耐磨、耐腐蚀、方便分离的坩埚，进而石英坩埚换埚时方便取出，不易损坏，提高了坩埚的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅结合碳化硅坩埚
本技术涉及坩埚
，更具体的说是涉及一种氮化硅结合碳化硅坩埚。
技术介绍
碳碳坩埚是采用高强度碳纤维和碳基质构成的复合材料制备而成，在使用过程中，由于石英坩埚是一次性工装，必须逐炉更换，拆炉会存在碳碳坩埚和石英坩埚粘贴太紧，每次需花很长的时间用铁锤敲打，才能把石英坩埚取出，这不仅增加了员工劳动强度，也严重的影响了碳碳坩埚的使用寿命。为了解决上述问题，现有技术中出现了分体式碳碳坩埚，虽然相对整体式碳碳坩埚能够方便取出石英坩埚，但是由于坩埚内径与石英坩埚外径配合紧密，取出依然对碳碳坩埚造成损坏，因此，如何提供一种氮化硅结合碳化硅坩埚是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
为此，本技术的目的在于提出一种氮化硅结合碳化硅坩埚，解决现有分体碳碳坩埚与石英坩埚分离时容易损坏的问题。本技术提供的一种氮化硅结合碳化硅坩埚，包括：氮化硅结合碳化硅烧结的坩埚底和坩埚环壁，坩埚底和坩埚环壁插接后形成由坩埚底部至顶部敞口逐渐增大的圆筒体；圆筒体内壁以底部为中心向外发散延伸有多条导流线。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本技术公开提供了一种氮化硅结合碳化硅坩埚，由于坩埚底和坩埚环壁插接后形成由坩埚底部至顶部敞口逐渐增大的圆筒体，方便石英坩埚换埚时取出，以底部为中心向外发散延伸有多条导流线和采用氮化硅结合碳化硅烧结形成了导热性好，线膨胀系数小、耐磨、耐腐蚀、方便分离的坩埚，进而石英坩埚换埚时方便取出，不易损坏，提高了坩埚的使用寿命。进一步地，坩埚环壁具有多个，均呈圆环状，其顶部均具有第一插接部，底部均具有第二插接部；相邻的坩埚环壁之间通过第一插接部和第二插接部插接，坩埚底顶端设有与对应配合的坩埚环壁的第二插接部插接配合的第三插接部。多个坩埚环壁插接，更容易更换石英坩埚，制备时，体积小，更容易生产。坩埚局部损坏可以更换局部即可。进一步地，第一插接部和第三插接部为凸沿或环形槽；第二插接部对应为环形槽或凸沿。进一步地，凸沿顶部和环形槽槽底均为弧形，安装定位方便，即使从侧边敲击翘曲坩埚环壁插接处也不容易损坏。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1附图为本技术提供的一种氮化硅结合碳化硅坩埚的结构示意图；图2附图示出了本技术提供的一种氮化硅结合碳化硅坩埚的剖视图；图3附图示出了插接处的局部放大示意图；图中：100-坩埚底，101-第三插接部，200-坩埚环壁，201-第一插接部，202-第二插接部，300-导流线。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。参见附图1和2，本技术实施例公开了一种氮化硅结合碳化硅坩埚，包括：氮化硅结合碳化硅烧结的坩埚底100和坩埚环壁200，坩埚底100和坩埚环壁200插接后形成由坩埚底部至顶部敞口逐渐增大的圆筒体；圆筒体内壁以底部为中心向外发散延伸有多条导流线300。本技术公开提供了一种氮化硅结合碳化硅坩埚，由于坩埚底和坩埚环壁插接后形成由坩埚底部至顶部敞口逐渐增大的圆筒体，方便石英坩埚换埚时取出，以底部为中心向外发散延伸有多条导流线和采用氮化硅结合碳化硅烧结形成了导热性好，线膨胀系数小、耐磨、耐腐蚀、方便分离的坩埚，进而石英坩埚换埚时方便取出，不易损坏，提高了坩埚的使用寿命。有利的是，参见附图1，在本实用提供的一个实施例中，坩埚环壁200具有多个，均呈圆环状，其顶部均具有第一插接部201，底部均具有第二插接部202；相邻的坩埚环壁200之间通过第一插接部201和第二插接部202插接，坩埚底100顶端设有与对应配合的坩埚环壁200的第二插接部202插接配合的第三插接部101。多个坩埚环壁插接，更容易更换石英坩埚，制备时，体积小，更容易生产。坩埚局部损坏可以更换局部即可。在上述实施例中，第一插接部201和第三插接部101为凸沿或环形槽；第二插接部202对应为环形槽或凸沿。有利的是，参见附图3，凸沿顶部和环形槽槽底均为弧形，由此安装定位方便，即使从侧边敲击翘曲坩埚环壁插接处也不容易损坏。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅结合碳化硅坩埚，其特征在于，包括：氮化硅结合碳化硅烧结的坩埚底(100)和坩埚环壁(200)，所述坩埚底(100)和所述坩埚环壁(200)插接后形成由坩埚底部至顶部敞口逐渐增大的圆筒体；圆筒体内壁以底部为中心向外发散延伸有多条导流线(300)。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅结合碳化硅坩埚，其特征在于，包括：氮化硅结合碳化硅烧结的坩埚底(100)和坩埚环壁(200)，所述坩埚底(100)和所述坩埚环壁(200)插接后形成由坩埚底部至顶部敞口逐渐增大的圆筒体；圆筒体内壁以底部为中心向外发散延伸有多条导流线(300)。


2.根据权利要求1所述的一种氮化硅结合碳化硅坩埚，其特征在于，所述坩埚环壁(200)具有多个，均呈圆环状，其顶部均具有第一插接部(201)，底部均具有第二插接部(202)；相邻的所述坩埚环壁(200)之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘得顺，方怀毅，李治桐，
申请(专利权)人：唐山正益科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13