一种半导体晶片氧化炉制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶片氧化炉，属于半导体生产技术领域。一种半导体晶片氧化炉，包括第一安装箱，所第一安装箱内开设有第一安装腔、第二安装腔和第三安装腔，所述第一安装腔内固定连接有氧化箱，所述氧化箱内滑动连接有放置板，所述氧化箱的输出端固定连接有第一气管，所述第一气管的输出端固定连接有分流箱，所述第二安装腔内固定连接有第二安装箱；本发明专利技术通过对氩气进行回收，从而防止氩气飘散到外部造成浪费，从而节省半导体晶片氧化的成本，且防止因外部空气中氩气浓度较高导致工作人员窒息，从而保证工作人员的生命安全。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶片氧化炉
本专利技术涉及半导体生产
，尤其涉及一种半导体晶片氧化炉。
技术介绍
在传统的半导体器件的制造过程中，通常在半导体晶片上形成内存器件之后，会对半导体晶片进行一道氧化制作工艺，以在半导体晶片上形成一层氧化层，并借此所形成的氧化层保护半导体晶片上的内存器件。现有技术中，在对半导体晶片进行氧化处理时，需要用到氩气等惰性气体来进行保护半导体晶片和工作人员的生命安全，也因此惰性气体的消耗量比较大，所以需要设计一种半导体晶片氧化炉。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中半导体生产中惰性气体消耗高的问题，而提出的一种半导体晶片氧化炉。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种半导体晶片氧化炉，包括第一安装箱，所第一安装箱内开设有第一安装腔、第二安装腔和第三安装腔，所述第一安装腔内固定连接有氧化箱，所述氧化箱内滑动连接有放置板，所述氧化箱的输出端固定连接有第一气管，所述第一气管的输出端固定连接有分流箱，所述第二安装腔内固定连接有第二安装箱，所述第二安装箱内开设有第四安装腔和第五安装腔，所述分流箱的第一输出端通过第二气管与第五安装腔相连通，所述分流箱的第二输出端通过第三气管与第四安装腔相连通，所述第二安装箱上设有用于吸取气体的吸气机构，所述第二安装腔内设有加压机构，所述加压机构的输入端与第四安装腔相连通，所述第二安装腔内固定连接有第三安装箱，所述第三安装箱内固定连接有电加热网，所述第三安装箱的输出端通过第十一气管与氧化箱相连通，所述加热机构的输出端通过第七气管与第三安装箱相连通，所述第五安装腔通过第六气管与氧化箱相连通，所述第二安装腔内固定连接有氧气瓶，所述氧气瓶通过第十气管与氧化箱相连通。优选的，所述吸气机构包括第一电机和第一驱动轴，所述第一电机固定连接在第三安装腔内，所述第一驱动轴固定连接在第一电机的输出端，所述第一驱动轴延伸至第五安装腔内固定连接有第一扇叶，所述第一驱动轴延伸至第五安装腔内固定连接有第二扇叶。优选的，所述加压机构包括第二电机和活塞，所述第二电机固定连接在第三安装腔内，所述活塞固定连接在第二安装腔的顶部，所述第二电机的输出端固定连接有第二驱动轴，所述第二驱动轴延伸至第二安装腔内固定连接有曲轴，所述活塞的驱动端转动连接在曲轴上。优选的，所述放置板上开设有晶板槽，所述放置板上开设有通气孔，所述放置板的侧壁固定连接有把手，所述放置板上设有密封圈，所述第一安装箱上设有用于固定放置板的锁紧机构。优选的，所述锁紧机构包括第四安装箱和第三电机，所述第四安装箱固定连接在第一安装箱上，所述第三电机固定连接在第四安装箱内，所述第三电机的输出端固定连接有第三驱动轴，所述第三驱动轴上固定连接有第二带轮，所述第四安装箱上滑动连接欧螺纹杆，所述螺纹杆上固定连接有卡合板，所述卡合板与放置板相配合，所述第四安装箱的内壁转动连接有第一带轮，所述第一带轮与第二带轮通过皮带转动连接，所述第一带轮上开设有与螺纹杆相对应的螺纹孔。优选的，所述氧化箱的内壁具体为陶瓷，所述氧化箱的外壁具体为不锈钢。优选的，所述第一安装箱的侧壁固定连接有过滤箱，所述过滤箱被固定连接有滤尘布，所述过滤箱内转动连接有第二转轴，所述第二转轴上固定连接有毛刷，所述毛刷与滤尘布相配合，所述第一安装箱的侧壁固定连接有叶轮箱，搜书叶轮箱内转动连接有第一转轴，所述第一转轴上固定连接有叶板，所述第一转轴与第二转轴通过链传动机构转动连接，所述过滤箱的输出端与叶轮箱的输入端通过第五气管相连通，所述叶轮箱的输出端通过第四气管与第二气管相连通。优选的，所述第二安装腔内固定连接有水箱，所述第六气管上固定连接有三通控制阀，所述三通控制阀的输出端通过第八气管与水箱相连通。优选的，所述水箱的顶部固定连接有除湿箱，所述除湿箱与水箱的输出端相连通，所述除湿箱的输出端通过第九气管与氧化箱相连通，所述除湿箱内滑动连接有填充盒，所述填充盒内填充有干燥剂。优选的，所述分流箱上设有第一控制阀和第三控制阀，所述第一控制阀与第三气管相配合，所述第三控制阀与第二气管相配合，所述第一气管上设有第一压力调节阀，所述第十一气管上设有第二压力调节阀，所述第十气管上设有第二控制阀，所述第一安装箱的顶部固定连接有用与控制第一控制阀、第一压力调节阀、第二压力调节阀、第二控制阀、第三控制阀和三通控制阀的控制器。与现有技术相比，本专利技术提供了一种半导体晶片氧化炉，具备以下有益效果：1、该半导体晶片氧化炉，通过锁紧机构对放置板进行固定，放置板因氧化箱内的压力过高而滑出氧化箱，进而防止氧化箱内的高温高压气体泄漏，进一步的保护工作人员的生命安全。2、该半导体晶片氧化炉，通过陶瓷减少热量的散发，从而减少热损失，通过不锈钢对陶瓷进行保护，防止陶瓷因氧化箱内的压力过高而损坏。3、该半导体晶片氧化炉，通过PLC程序控制该装置的阀门和电力设备，提高生产效率的同时，还节省的人力资源。附图说明图1为本专利技术提出的一种半导体晶片氧化炉的主视图一；图2为本专利技术提出的一种半导体晶片氧化炉的主视图二；图3为本专利技术提出的一种半导体晶片氧化炉放置板的结构示意图；图4为本专利技术提出的一种半导体晶片氧化炉的结构示意图；图5为本专利技术提出的一种半导体晶片氧化炉图2中A部分的结构示意图；图6为本专利技术提出的一种半导体晶片氧化炉图1中B部分的结构示意图；图7为本专利技术提出的一种半导体晶片氧化炉填充盒的结构示意图。图中：1、第一安装箱；101、第一安装腔；102、第二安装腔；103、第三安装腔；104、控制器；105、氧气瓶；2、氧化箱；201、不锈钢；202、陶瓷；203、放置板；2031、密封圈；2032、把手；2033、通气孔；2034、晶板槽；205、分流箱；2051、第一控制阀；2052、第一压力调节阀；2053、第二压力调节阀；2054、第二控制阀；2055、三通控制阀；2056、第三控制阀；206、叶轮箱；2061、第一转轴；2062、叶板；2063、链传动机构；207、过滤箱；2071、第二转轴；2072、毛刷；2073、滤尘布；3、第一电机；301、第一驱动轴；3011、第一扇叶；3012、第二扇叶；4、第二安装箱；401、第四安装腔；402、第五安装腔；5、第二电机；501、第二驱动轴；5011、曲轴；502、活塞；6、第三安装箱；601、电加热网；7、水箱；701、除湿箱；702、填充盒；7021、干燥剂；8、第四安装箱；801、第一带轮；802、螺纹杆；803、卡合板；804、第三电机；8041、第三驱动轴；8042、第二带轮；8043、皮带；901、第一气管；902、第二气管；903、第三气管；904、第四气管；905、第五气管；906、第六气管；907、第七气管；908、第八气管；909、第九气管；910、第十气管；911、第十一气管。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片氧化炉，包括第一安装箱(1)，所第一安装箱(1)内开设有第一安装腔(101)、第二安装腔(102)和第三安装腔(103)，其特征在于，所述第一安装腔(101)内固定连接有氧化箱(2)，所述氧化箱(2)内滑动连接有放置板(203)，所述氧化箱(2)的输出端固定连接有第一气管(901)，所述第一气管(901)的输出端固定连接有分流箱(205)，所述第二安装腔(102)内固定连接有第二安装箱(4)，所述第二安装箱(4)内开设有第四安装腔(401)和第五安装腔(402)，所述分流箱(205)的第一输出端通过第二气管(902)与第五安装腔(402)相连通，所述分流箱(205)的第二输出端通过第三气管(903)与第四安装腔(401)相连通，所述第二安装箱(4)上设有用于吸取气体的吸气机构，所述第二安装腔(102)内设有加压机构，所述加压机构的输入端与第四安装腔(401)相连通，所述第二安装腔(102)内固定连接有第三安装箱(6)，所述第三安装箱(6)内固定连接有电加热网(601)，所述第三安装箱(6)的输出端通过第十一气管(911)与氧化箱(2)相连通，所述加热机构的输出端通过第七气管(907)与第三安装箱(6)相连通，所述第五安装腔(402)通过第六气管(906)与氧化箱(2)相连通，所述第二安装腔(102)内固定连接有氧气瓶(105)，所述氧气瓶(105)通过第十气管(910)与氧化箱(2)相连通。/n...

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片氧化炉，包括第一安装箱(1)，所第一安装箱(1)内开设有第一安装腔(101)、第二安装腔(102)和第三安装腔(103)，其特征在于，所述第一安装腔(101)内固定连接有氧化箱(2)，所述氧化箱(2)内滑动连接有放置板(203)，所述氧化箱(2)的输出端固定连接有第一气管(901)，所述第一气管(901)的输出端固定连接有分流箱(205)，所述第二安装腔(102)内固定连接有第二安装箱(4)，所述第二安装箱(4)内开设有第四安装腔(401)和第五安装腔(402)，所述分流箱(205)的第一输出端通过第二气管(902)与第五安装腔(402)相连通，所述分流箱(205)的第二输出端通过第三气管(903)与第四安装腔(401)相连通，所述第二安装箱(4)上设有用于吸取气体的吸气机构，所述第二安装腔(102)内设有加压机构，所述加压机构的输入端与第四安装腔(401)相连通，所述第二安装腔(102)内固定连接有第三安装箱(6)，所述第三安装箱(6)内固定连接有电加热网(601)，所述第三安装箱(6)的输出端通过第十一气管(911)与氧化箱(2)相连通，所述加热机构的输出端通过第七气管(907)与第三安装箱(6)相连通，所述第五安装腔(402)通过第六气管(906)与氧化箱(2)相连通，所述第二安装腔(102)内固定连接有氧气瓶(105)，所述氧气瓶(105)通过第十气管(910)与氧化箱(2)相连通。


2.根据权利要求1所述的半导体晶片氧化炉，其特征在于，所述吸气机构包括第一电机(3)和第一驱动轴(301)，所述第一电机(3)固定连接在第三安装腔(103)内，所述第一驱动轴(301)固定连接在第一电机(3)的输出端，所述第一驱动轴(301)延伸至第五安装腔(402)内固定连接有第一扇叶(3011)，所述第一驱动轴(301)延伸至第五安装腔(402)内固定连接有第二扇叶(3012)。


3.根据权利要求1所述的半导体晶片氧化炉，其特征在于，所述加压机构包括第二电机(5)和活塞(502)，所述第二电机(5)固定连接在第三安装腔(103)内，所述活塞(502)固定连接在第二安装腔(102)的顶部，所述第二电机(5)的输出端固定连接有第二驱动轴(501)，所述第二驱动轴(501)延伸至第二安装腔(102)内固定连接有曲轴(5011)，所述活塞(502)的驱动端转动连接在曲轴(5011)上。


4.根据权利要求1所述的半导体晶片氧化炉，其特征在于，所述放置板(203)上开设有晶板槽(2034)，所述放置板(203)上开设有通气孔(2033)，所述放置板(203)的侧壁固定连接有把手(2032)，所述放置板(203)上设有密封圈(2031)，所述第一安装箱(1)上设有用于固定放置板(203)的锁紧机构。


5.根据权利要求4所述的半导体晶片氧化炉，其特征在于，所述锁紧机构包括第四安装箱(8)和第三电机(804)，所述第四安装箱(8)固定连接在第一安装箱(1)上，所述第三电机(804)固定连接在第四安装箱(...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：高兵，
类型：发明
国别省市：湖南;43