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一种半导体晶片氧化炉制造技术
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下载一种半导体晶片氧化炉的技术资料
文档序号:29451844
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本发明公开了一种半导体晶片氧化炉,属于半导体生产技术领域。一种半导体晶片氧化炉,包括第一安装箱,所第一安装箱内开设有第一安装腔、第二安装腔和第三安装腔,所述第一安装腔内固定连接有氧化箱,所述氧化箱内滑动连接有放置板,所述氧化箱的输出端固定连...
该专利属于高兵所有,仅供学习研究参考,未经过高兵授权不得商用。
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