用于处理半导体衬底的方法及设备技术

本发明专利技术涉及适合用于修复或避免半导体衬底上的高深宽比结构的摩擦的气体输送系统和方法。气体输送系统和方法经由经加热的供给线(201)将卤化氢、汽化的溶剂、以及载气的混合物输送至衬底，以避免在气体混合物的运送期间形成液滴。气体混合物供给线优选地保持在包含清扫气体供给线(204)的导管(202)内，使得经由气体混合物供给线(201)所泄漏的任何卤化氢可被导管内的清扫气体流带走。在这样的实施方案中，清扫气体还优选地被加热并用来作为加热气体混合物供给线的分配出口的措施。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理半导体衬底的方法及设备
本专利技术涉及衬底处理方法，尤其是修复半导体衬底上的高深宽比结构或避免其摩擦的方法。本专利技术还涉及方法及进行这样的方法的设备，尤其是在表面处理中输送卤化氢的方法及设备。
技术介绍
衬底处理系统可用于在衬底(例如半导体晶片)上沉积膜或蚀刻、清理和/或以其他方式处理衬底的表面。在一些处理中，衬底可能会受到湿式处理。在这些处理中，衬底会被固定至旋转卡盘上。当旋转卡盘旋转时，流体喷嘴可用于分配流体，例如液体或气体，和/或可施加热以处理衬底。某些衬底包含高深宽比(HAR)结构，例如纳米柱、沟槽、或通孔。HAR结构具有宽度(平行于衬底表面)远小于高度(垂直于衬底表面)的结构。具有深宽比大于5：1(沟槽深度：沟槽宽度)的HAR结构是很常见的。许多先进的处理包含具有甚至更高深宽比的HAR结构。当一或多个HAR结构坍塌、相对于衬底表面横向移动、和/或与相邻HAR结构直接接触时，发生图案坍塌。图案坍塌通常在湿式清理处理后的干燥期间发生。尤其是，冲洗液体干燥的表面张力在HAR结构之间所产生的毛细力会造成相邻结构的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于将气体混合物分配至衬底上的气体输送系统，其包含：/n卤化氢(HH)供给线，其连接至HH源；/n汽化溶剂(VS)供给线，其连接至溶剂源；及/n载气(CG)供给线，其连接至一载气源；/n其中：/n所述VS供给线和所述CG供给线组合以形成VS/CG混合物供给线；/n所述VS/CG混合物供给线和所述HH供给线组合以形成HH/VS/CG混合物供给线；/n所述HH/VS/CG混合物供给线包含用于将所述HH/VS/CG混合物分配至衬底上的分配出口；以及/n所述系统包含加热器以加热使用中的所述HH/VS/CG混合物供给线。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181212 GB 1820270.51.一种用于将气体混合物分配至衬底上的气体输送系统，其包含：
卤化氢(HH)供给线，其连接至HH源；
汽化溶剂(VS)供给线，其连接至溶剂源；及
载气(CG)供给线，其连接至一载气源；
其中：
所述VS供给线和所述CG供给线组合以形成VS/CG混合物供给线；
所述VS/CG混合物供给线和所述HH供给线组合以形成HH/VS/CG混合物供给线；
所述HH/VS/CG混合物供给线包含用于将所述HH/VS/CG混合物分配至衬底上的分配出口；以及
所述系统包含加热器以加热使用中的所述HH/VS/CG混合物供给线。


2.根据权利要求1所述的气体输送系统，其中所述HH/VS/CG混合物供给线是保持在导管中的气体输送管，且其中所述导管包含清扫气体供给线，所述清扫气体供给线被配置成使所述清扫气体能经由所述导管流过所述气体输送管的外表面上方，以清扫通过在使用中的所述气体输送管的壁所逸出的任何HH。


3.根据权利要求2所述的气体输送系统，其中所述分配出口包含外壳，所述外壳容纳延伸至喷嘴出口的喷嘴管，其中所述喷嘴管与所述喷嘴出口用于将所述HH/VS/CG混合物分配至衬底，并且其中所述导管朝向所述外壳内开放以使清扫气体能够进入使用中的所述外壳中。


4.根据权利要求2或3所述的气体输送系统，其中所述清扫气体供给线沿着所述HH/VS/CG供给线的所述加热器延伸以在所述清扫气体离开所述清扫气体供给线之前加热使用中的所述清扫气体。


5.根据前述权利要求中任何一项所述的气体输送系统，其中所述分配出口包含分配出口外壳，其容纳延伸至喷嘴出口的喷嘴管，且其中用于加热所述HH/VS/CG混合物供给线的所述加热器延伸进入所述外壳中，并且优选地，其中所述分配出口安装在移动臂上，以用于在使用中使所述喷嘴出口扫描整个衬底。


6.根据权利要求2至5中任一项所述的气体输送系统，其中所述系统包含外罩，所述外罩容纳所述HH供给线的至少一部分以及选择性地容纳所述VS供给线、所述CG供给线、所述VS/CG混合物供给线、以及所述HH/VS/CG混合物供给线中的一或多者的至少一部分，且其中所述导管朝向所述外罩内开放以使清扫气体能够在流过所述气体输送管的所述外表面上方后进入使用中的所述外罩。


7.根据权利要求6所述的气体输送系统，其中所述清扫气体供给线从所述外罩插入至所述导管中。


8.根据权利要求6或7所述的气体输送系统，其还包含用于检测所述外罩中的HH的HH检测器。


9.根据权利要求2至8中任一项所述的气体输送系统，其中所述气体输送管由塑料所制成，优选由全氟烷氧基烷烃聚合物所制成。


10.根据权利要求2至9中任一项所述的气体输送系统，其中用于加热所述HH/VS/CG混合物供给线的所述加热器为保持在所述导管内的电加热器。


11.根据前述权利要求中任何一项所述的气体输送系统，其中所述分配出口包含气体混合物控制阀以控制流至具有喷嘴孔口的喷嘴出口的所述HH/VS/CG混合物的流动，且其中所述气体混合物控制阀与所述喷嘴孔口之间的距离为2至20cm，并且优选地，其中所述分配出口和气体混合物控制阀安装在移动臂上，以用于在使用中使所述喷嘴出口扫描整个衬底。


12.根据前述权利要求中任何一项所述的气体输送系统，其中所述分配出口还包含被冲洗线控制阀所控制的冲洗线。


13.根据权利要求12所述的气体输送系统，其中所述分配出口包含所述气体混合物控制阀和被冲洗线控制阀所控制的所述冲洗线两者。


14.根据前述权利要求中任何一项所述的气体输送系统，其还包含一或多个加热器以加热使用中的所述HH供给线和/或所述VS/CG混合物供给线。


15.根据权利要求1所述的气体输送系统，其中：
所述HH/VS/CG混合物供给线包含用于将所述HH/VS/CG混合物分...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·布赖恩，卡尔海因茨·霍恩沃特，伯恩哈德·洛伊德尔，赫尔穆特·洛伊，阿努尔夫·卡斯特纳，迈克尔·克莱姆，托马斯·科米特，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT