陶瓷-铜复合体、陶瓷-铜复合体的制造方法、陶瓷电路基板及功率模块技术

平板状陶瓷‑铜复合体，其具备陶瓷层、铜层、和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层。其中，将该陶瓷‑铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时，至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上100μm以下，所述区域P1为区域P中的、从陶瓷层与钎料层的界面起在铜层侧的50μm以内的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷-铜复合体、陶瓷-铜复合体的制造方法、陶瓷电路基板及功率模块
本专利技术涉及陶瓷-铜复合体、陶瓷-铜复合体的制造方法、陶瓷电路基板及功率模块。
技术介绍
在制造功率模块时，有时使用在氧化铝、氧化铍、氮化硅、氮化铝等陶瓷材料上接合金属板的陶瓷-金属复合体。近年来，随着功率模块的高输出化、高集成化，来自功率模块的放热量一直在增加。为了使该放热高效地散发，倾向于使用具有高绝缘性和高热传导性的氮化铝烧结体、氮化硅烧结体的陶瓷材料。作为一例，专利文献1记载了下述金属-陶瓷接合体，其具有陶瓷基板、和介由钎料而接合在该陶瓷基板上的金属板。在该接合体中，从金属板的底面突出的钎料的长度大于30μm且为250μm以下。作为另一例，专利文献2记载了下述陶瓷电路基板，其在陶瓷基板的至少一面形成有沿着多个电路图案的钎料层，介由该钎料层来接合金属板，对该金属板的不需要的部分进行蚀刻处理而形成由金属板形成的电路图案，并且形成从金属板的外缘突出的、由钎料层形成的突出部。该陶瓷电路基板中，突出部的最大表面粗糙度Rmax为5至50μm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.陶瓷-铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于所述陶瓷层与所述铜层之间的钎料层的平板状陶瓷-铜复合体，/n将该陶瓷-铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时，/n至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上且100μm以下，所述区域P1为所述区域P中的、从所述陶瓷层与所述钎料层的界面起在所述铜层侧的50μm以内的区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181122 JP 2018-2189641.陶瓷-铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于所述陶瓷层与所述铜层之间的钎料层的平板状陶瓷-铜复合体，
将该陶瓷-铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时，
至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上且100μm以下，所述区域P1为所述区域P中的、从所述陶瓷层与所述钎料层的界面起在所述铜层侧的50μm以内的区域。


2.根据权利要求1所述的陶瓷-铜复合体，其中，
将所述区域P整体中的铜晶体的平均晶体粒径设为D2时，
D2/D1的值为0.5以上且2.0以下。


3.根据权利要求1或2所述的陶瓷-铜复合体，其中，
至少一部分存在于所述区域P1中的铜晶体中，不含粒径超过350μm的晶体。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷-铜复合体，其中，
在所述切断面中，将不同于所述区域P的、长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P'时，
至少一部分存在于区域P1'中的铜晶体的平均晶体粒径D1'为30μm以上且100μm以下，所述区域P1'为...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤浅晃正，中村贵裕，森田周平，西村浩二，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP