【技术实现步骤摘要】
一种氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法
本专利技术涉及一种氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，尤其涉及一种在烧结时一步达成水解产物分解、Cu表面氧化及氮化铝表面覆铜的氮化铝陶瓷基板的方法。
技术介绍
覆铜陶瓷基板是功率模块封装中连接芯片和散热衬底的关键材料，已广泛用于混合动力模块、激光二极管和聚焦型光伏封装，在高频应用方面也体现出巨大的应用价值。Al2O3作为性价比最高的陶瓷基板，主要用于中低功率范围；而AlN电子封装基板具有高导热性，广泛应用于大功率电力电子器件。氮化铝陶瓷基板表面覆铜是基于Al2O3表面直接覆铜(DCB)方法，铜封接之前需要将氮化铝陶瓷基板在高温下(>1200℃)的空气气氛中氧化，以期在表面形成结构均匀且附着牢固的Al2O3层，这种高温氧化方法操作简单，但是能耗高，周期长。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术旨在提供一种氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，利用其水解产物与Cu的反应，可一步完成Cu表面氧化和氮化铝表面覆铜，为氮化铝表面覆铜提供一种高效节能的方法。技术方案：本专利技术所...
【技术保护点】
1.一种氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：将氮化铝陶瓷基片置于水溶液中进行水解处理，使氮化铝陶瓷片表面形成一层用于结合Cu的AlOOH或Al(OH)
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将氮化铝陶瓷基片置于水溶液中进行水解处理，使氮化铝陶瓷片表面形成一层用于结合Cu的AlOOH或Al(OH)3薄膜产物；
步骤二：将Cu与水解处理后氮化铝陶瓷片表面相对贴合，在低于Cu熔点温度下烧结，得到表面覆铜的氮化铝陶瓷基板。
2.根据权利要求1所述氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，其特征在于：所述步骤一中，氮化铝陶瓷片为块体材料，相对密度大于97％，热导率大于150W/m·k。
3.根据权利要求1所述氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，其特征在于：所述步骤一中，水解过程中水溶液pH为3-13，水解温度范围为20-200℃，水解时间为0.5-24小时。
4.根据权利要求1所述氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，其特征在于：所述步骤一中，水解生成的AlOOH或Al(OH)3厚度为0.1-10μm。
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