【技术实现步骤摘要】
一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法
本专利技术涉及一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法，尤其涉及一种温和条件下可控制备表面Al2O3为氮化铝表面覆铜方法。
技术介绍
随着电子器件的日益小型化和多功能化，大规模、超大规模集成电路的集成度越来越高，器件结构越来越复杂，功率密度也越来越高，因此散热是电子封装中的关键步骤之一。覆铜陶瓷基板是功率模块封装中连接芯片和散热衬底的关键材料，已广泛用于混合动力模块、激光二极管和聚焦型光伏封装，在高频应用方面也体现出巨大的应用价值。Al2O3作为性价比最高的陶瓷基板，主要用于中低功率范围；而氮化铝电子封装基板具有高导热性，广泛应用于大功率电力电子器件。氮化铝陶瓷基板表面覆铜是基于Al2O3表面直接覆铜(DCB)方法。在于铜封接之前，一般需要将氮化铝陶瓷基板在高温下(>1200℃)的空气气氛中氧化，以期在表面形成结构均匀且附着牢固的Al2O3层，高温氧化工艺本身比较简单，但是能耗高、周期长。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术旨在提供一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法，解...
【技术保护点】
1.一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：将氮化铝陶瓷片放置在水溶液中进行水解，然后通过热处理，使得氮化铝表面水解产物分解成为Al
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将氮化铝陶瓷片放置在水溶液中进行水解，然后通过热处理，使得氮化铝表面水解产物分解成为Al2O3陶瓷层；
步骤二：将预氧化的Cu与预处理的氮化铝表面相对贴合，在低于Cu熔点温度下烧结，生成表面覆铜的氮化铝陶瓷基板。
2.根据权利要求1所述，其特征在于：所述步骤一中，氮化铝陶瓷片为块体材料，相对密度大于97％，热导率大于150W/m·k。
3.根据权利要求1所述氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，其特征在于：所述步骤一中，水溶液为酸性或碱性水溶液；所述酸性水溶液为去离子水与酸的混合溶液，所述酸包括盐酸和/或硫酸和/或硝酸和/或醋酸；所述碱性水溶液为去离子水和碱性试剂的混合溶液，所述碱性试剂包括氢氧化钠和/或氢氧化钾和/或氨水。
4.根据权利要求1所述，其特征在于：所述步骤一中：水解条件为：水溶液pH值范围为3-13，温度范围为20-20...
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