铜-陶瓷接合体、绝缘电路基板、铜-陶瓷接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法技术

本发明专利技术的铜‑陶瓷接合体通过接合由铜或铜合金构成的铜部件(22)和由铝氧化物构成的陶瓷部件(11)而成，在铜部件(22)与陶瓷部件(11)之间的陶瓷部件(11)侧形成有镁氧化物层(31)，在该镁氧化物层(31)与铜部件(22)之间，形成有Mg固溶于Cu的母相中的Mg固溶层(32)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铜-陶瓷接合体、绝缘电路基板、铜-陶瓷接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法
本专利技术涉及一种通过接合由铜或铜合金构成的铜部件和由铝氧化物构成的陶瓷部件而成的铜-陶瓷接合体、绝缘电路基板、铜-陶瓷接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法。本申请主张基于2018年8月28日于日本申请的专利申请2018-159663号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
功率模块、LED模块及热电模块设为如下结构：在将由导电材料构成的电路层形成于绝缘层的一面上的绝缘电路基板上，接合有功率半导体元件、LED元件及热电元件。例如，为了控制风力发电、电动汽车、混合动力汽车等而所使用的大功率控制用的功率半导体元件由于工作时的发热量多，因此作为搭载该功率半导体元件的基板，例如一直以来广泛使用如下绝缘电路基板：该绝缘电路基板具备由铝氧化物构成的陶瓷基板及在该陶瓷基板的一面接合导电性优异的金属板而形成的电路层。作为绝缘电路基板，也提供一种在陶瓷基板的另一面接合金属板而形成金属层的基板。例如，在专利文献1中提出有如下绝缘电路基板：将构成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜-陶瓷接合体，通过接合由铜或铜合金构成的铜部件和由铝氧化物构成的陶瓷部件而成，所述铜-陶瓷接合体的特征在于，/n在所述铜部件与所述陶瓷部件之间的所述陶瓷部件侧形成有镁氧化物层，在该镁氧化物层与所述铜部件之间，形成有Mg固溶于Cu的母相中的Mg固溶层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180828 JP 2018-1596631.一种铜-陶瓷接合体，通过接合由铜或铜合金构成的铜部件和由铝氧化物构成的陶瓷部件而成，所述铜-陶瓷接合体的特征在于，
在所述铜部件与所述陶瓷部件之间的所述陶瓷部件侧形成有镁氧化物层，在该镁氧化物层与所述铜部件之间，形成有Mg固溶于Cu的母相中的Mg固溶层。


2.根据权利要求1所述的铜-陶瓷接合体，其特征在于，
从所述陶瓷部件的接合面朝向所述铜部件侧50μm为止的区域中的金属间化合物相的面积率为15％以下。


3.一种绝缘电路基板，通过在由铝氧化物构成的陶瓷基板的表面接合由铜或铜合金构成的铜板而成，所述绝缘电路基板的特征在于，
在所述铜板与所述陶瓷基板之间的所述陶瓷基板侧形成有镁氧化物层，在该镁氧化物层与所述铜板之间，形成有Mg固溶于Cu的母相中的Mg固溶层。


4.根据权利要求3所述的绝缘电路基板，其特征在于，
从所述陶瓷基板的接合面朝向所述铜板侧50μm为止的区域中的金属间化合物相的面积率为15％以下。


5.一种铜-陶瓷接合体的制造方法，其特征在于，制造权利要求1或2所述的铜-陶瓷接合体，所述铜-陶瓷接合体的制造方法具备：
Mg配置工序，在所述铜部件与所述陶瓷部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺崎伸幸，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP