【技术实现步骤摘要】
顶针机构和除气腔室本申请是申请日为2015年1月28日、申请号为201510045397.0、专利技术名称为“顶针机构和除气腔室”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体加工设备领域,具体地,涉及一种顶针机构和一种包括该顶针机构的除气腔室。
技术介绍
在对晶圆进行刻蚀或沉积等加工工艺时,需要先对晶圆进行除气处理(degas)。具体地,将晶圆设置在除气腔室中,然后将晶圆加热至预定温度(通常可以为350℃),以去除晶圆上的水蒸汽以及其他易挥发的杂质。进行除气处理后,可以利用机械手将半导体基板从除气腔室中取出。图1中所示的是一种常见的除气腔室示意图,如图1中所示,除气腔室包括加热件100和顶针机构。如图中所示,顶针机构包括升降装置201、升降托架202和设置在升降托架上的顶针203。升降托架202与升降装置201的驱动轴相连,并且能够在升降装置201的驱动下升起或降落。升降装置201的驱动轴穿过除气腔室的底壁伸入所述除气腔室内部。加热件100上设置有沿竖直方向贯穿该加热件100的通孔,顶针203能够穿过 ...
【技术保护点】
1.一种用于除气腔室的顶针机构,所述除气腔室包括用于在进行除气工艺时承载并加热晶圆的加热件,所述顶针机构用于从所述加热件上顶起晶圆或向所述加热件上放置晶圆,其特征在于,所述顶针机构包括多个顶针、升降托架和升降装置,其中,所述升降装置的输出轴与所述升降托架相连,多个所述顶针间隔地设置在所述升降托架上,所述升降装置用于驱动所述顶针做升降运动;每个所述顶针均包括朝向所述升降托架的中部延伸的支撑部和向上延伸的限位部,所述支撑部用于在所述顶针机构从所述加热件上顶起晶圆时支撑承载所述晶圆,所述限位部用于在所述顶针机构从所述加热件上顶起晶圆时对所述支撑部承载的所述晶圆进行位置限定和位置调整。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于除气腔室的顶针机构,所述除气腔室包括用于在进行除气工艺时承载并加热晶圆的加热件,所述顶针机构用于从所述加热件上顶起晶圆或向所述加热件上放置晶圆,其特征在于,所述顶针机构包括多个顶针、升降托架和升降装置,其中,所述升降装置的输出轴与所述升降托架相连,多个所述顶针间隔地设置在所述升降托架上,所述升降装置用于驱动所述顶针做升降运动;每个所述顶针均包括朝向所述升降托架的中部延伸的支撑部和向上延伸的限位部,所述支撑部用于在所述顶针机构从所述加热件上顶起晶圆时支撑承载所述晶圆,所述限位部用于在所述顶针机构从所述加热件上顶起晶圆时对所述支撑部承载的所述晶圆进行位置限定和位置调整。
2.根据权利要求1所述的顶针机构,其特征在于,每个所述顶针的所述支撑部包括支撑部本体和形成在所述支撑部本体上的支撑销,所述支撑销的上端部低于所述限位部的上端面,所述支撑销用于支撑所述晶圆。
3.根据权利要求2所述的顶针机构,其特征在于,所述支撑销的上端部呈圆顶形。
4.根据权利要求1所述的顶针机构,其特征在于,每个所述顶针的所述限位部均包括一自内而外向上倾斜的斜面,多个所述斜面用于在所述顶针机构从所述加热件上顶起晶圆时调整所述晶圆的位置。
5.根据权利要求1所述的顶针机构,其特征在于,所述顶针还包括连接部和设置在所述连接部上的安装部,所述安装部与所述升降托架固定...
【专利技术属性】
技术研发人员:张伟,邱国庆,李强,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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