本申请公开了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，涉及显示技术领域。该制备方法在依次形成第一绝缘层，第二绝缘层以及金属氧化物结构之后，可以对第一绝缘层进行加热，以使得第一绝缘层中的氢元素扩散至与该第一绝缘层接触的金属氧化物结构中的第一结构和第三结构中，以实现对该第一结构和第三结构的导体化，从而得到金属氧化物图案。本申请提供的制备方法无需设置导体化掩膜板以实现第一结构和第三结构的导体化，所需的掩膜板的数量较少，制备成本较低。制备成本较低。制备成本较低。
【技术实现步骤摘要】
氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板
[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板。
技术介绍
[0002]氧化物薄膜晶体管因其漏电流低以及透过率高等特点而在显示面板中得到了广泛的应用。其中，氧化物薄膜晶体管通常包括金属氧化物图案。
[0003]相关技术中，在制备氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物图案时，需先在衬底基板上形成金属氧化物薄膜，然后在金属氧化物薄膜远离衬底基板的一侧设置图案化掩膜板，以对金属氧化物膜层进行图案化处理得到金属氧化物结构a。之后，需采用导体化掩膜板遮挡金属氧化物结构的部分区域，并向未被导体化掩膜板遮挡的区域注入离子，实现对该未被遮挡的区域的导体化，以得到金属氧化物图案。
[0004]但是，由于上述制备方法所需的掩膜板的数量较多，制备成本较高。
技术实现思路
[0005]本申请提供了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，可以解决相关技术中制备成本较高的问题。所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：
[0007]在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料包括氢元素；
[0008]在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一过孔和多个第二过孔；
[0009]在所述第二绝缘层远离衬底基板的一侧形成金属氧化物结构，所述金属氧化物结构包括依次连接的第一结构，第二结构以及第三结构，所述第一结构的至少部分位于所述第一过孔内且与所述第一绝缘层接触，所述第三结构的至少部分位于所述第二过孔内且与所述第一绝缘层接触；
[0010]对所述第一绝缘层进行加热，使得所述第一绝缘层中的氢元素扩散至所述第一结构和所述第三结构，以对所述第一结构和所述第三结构进行导体化，得到所述氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物图案。
[0011]可选的，在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，包括：
[0012]采用硅烷和氨气反应以在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料还包括氮化硅。
[0013]可选的，在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，包括：
[0014]在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料层；
[0015]对所述绝缘材料层进行刻蚀，得到形成有所述第一过孔和所述第二过孔的第二绝缘层。
[0016]可选的，在衬底基板的一侧形成第一绝缘层之前，所述方法还包括：
[0017]在衬底基板的一侧形成第一栅极图案；
[0018]其中，所述第一栅极图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二结构在所述衬底基板上的正投影。
[0019]另一方面，提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：
[0020]提供一衬底基板；
[0021]采用如上述方面所述的方法，在所述衬底基板上形成多个氧化物薄膜晶体管。
[0022]可选的，在形成所述氧化物薄膜晶体管中的第二绝缘层之前，所述方法还包括：
[0023]在所述氧化物薄膜晶体管中第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成多个数据线；
[0024]其中，所述氧化物薄膜晶体管中第二绝缘层中的第一过孔用于露出一个所述数据线的至少部分，所述氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案中导体化后的第一结构通过所述第一过孔与所述数据线电连接。
[0025]可选的，在形成用于形成氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案的金属氧化物结构之前，所述方法还包括：
[0026]在所述衬底基板的一侧形成彩膜层；
[0027]其中，所述彩膜层包括与所述多个氧化物薄膜晶体管一一对应的不同颜色的多个色阻块，每个所述色阻块在所述衬底基板上的正投影与对应的所述氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案中导体化后的第三结构在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
[0028]可选的，在形成所述氧化物薄膜晶体管中的第一栅极图案之前，所述方法还包括：
[0029]在所述衬底基板的一侧形成沿像素行方向延伸的多个扫描线；
[0030]其中，所述第一栅极图案在所述衬底基板上的正投影沿像素列方向的长度，大于所述扫描线在所述衬底基板上的正投影沿所述像素列方向的长度。
[0031]可选的，所述衬底基板具有显示区域以及位于所述显示区域一侧的周边区域；所述阵列基板包括的所述多个氧化物薄膜晶体管位于所述显示区域；所述方法还包括：
[0032]在所述周边区域形成多个多晶硅薄膜晶体管，每个所述多晶硅薄膜晶体管包括有源图案，第二栅极图案以及源漏极图案；
[0033]其中，所述第二栅极图案与所述多个扫描线位于同层，所述源漏极图案与所述阵列基板的多个数据线位于同层，且所述源漏极图案与所述有源图案电连接。
[0034]可选的，在形成所述氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物图案之后，所述方法还包括：
[0035]在所述金属氧化物图案远离所述衬底基板的一侧形成第三绝缘层；
[0036]在所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成公共电极；
[0037]其中，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案中导体化后的第三结构在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，导体化后的所述第三结构用于作为像素电极与所述公共电极共同驱动液晶偏转。
[0038]又一方面，提供了一种氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括：沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一绝缘层，第二绝缘层，以及金属氧化物图案；
[0039]其中，所述第二绝缘层具有多个第一过孔和多个第二过孔，所述金属氧化物图案包括依次连接的导体化的第一结构，第二结构以及导体化的第三结构，所述导体化的第一
结构的至少部分位于一个所述第一过孔内且与所述第一绝缘层接触，所述导体化的第三结构的至少部分位于一个所述第二过孔内且与所述第一绝缘层接触，所述导体化的第一结构和所述导体化的第三结构的材料均包括由所述第一绝缘层扩散的氢元素。
[0040]再一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
[0041]衬底基板；
[0042]以及位于所述衬底基板的一侧的多个如上述方面所述的氧化物薄膜晶体管。
[0043]再一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：盖板，液晶层以及如上述方面所述的阵列基板；
[0044]所述液晶层位于所述盖板和所述阵列基板之间。
[0045]本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0046]本申请提供了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，该方法在依次形成第一绝缘层，第二绝缘层以及金属氧化物结构之后，可以对第一绝缘层进行加热，以使得第一绝缘层中的氢元素扩散至与该第一绝缘层接触的金属氧化物结构中的第一结构和第三结构中，以实现对该第一结构和第三结构的导体化，从而得到金属氧化物图案。也即是，本申请提供的制备方法无需设置导体化掩本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料包括氢元素；在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一过孔和多个第二过孔；在所述第二绝缘层远离衬底基板的一侧形成金属氧化物结构，所述金属氧化物结构包括依次连接的第一结构，第二结构以及第三结构，所述第一结构的至少部分位于所述第一过孔内且与所述第一绝缘层接触，所述第三结构的至少部分位于所述第二过孔内且与所述第一绝缘层接触；对所述第一绝缘层进行加热，使得所述第一绝缘层中的氢元素扩散至所述第一结构和所述第三结构，以对所述第一结构和所述第三结构进行导体化，得到所述氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物图案。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，包括：采用硅烷和氨气反应以在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料还包括氮化硅。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，包括：在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料层；对所述绝缘材料层进行刻蚀，得到形成有所述第一过孔和所述第二过孔的第二绝缘层。4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成第一绝缘层之前，所述方法还包括：在衬底基板的一侧形成第一栅极图案；其中，所述第一栅极图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二结构在所述衬底基板上的正投影。5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板；采用如权利要求1至4任一所述的方法，在所述衬底基板上形成多个氧化物薄膜晶体管。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在形成所述氧化物薄膜晶体管中的第二绝缘层之前，所述方法还包括：在所述氧化物薄膜晶体管中第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成多个数据线；其中，所述氧化物薄膜晶体管中第二绝缘层中的第一过孔用于露出一个所述数据线的至少部分，所述氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案中导体化后的第一结构通过所述第一过孔与所述数据线电连接。7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，在形成用于形成氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案的金属氧化物结构之前，所述方法还包括：在所述衬底基板的一侧形成彩膜层；其中，所述彩膜层包括与所述多个氧化物薄膜晶体管一一对应的不同颜色的多个色阻
块，每个所述色阻块在所述衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：王利忠，宁策，邸云萍，童彬彬，张震，张振宇，李付强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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