一种散热型碳化硅肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种散热型碳化硅肖特基二极管，包括上壳体、下壳体、碳化硅肖特基芯片、第一引脚、第二引脚，所述下壳体上端镀有一层铜箔层，所述碳化硅肖特基芯片位于所述铜箔层一端上侧，所述铜箔层另一端上侧与所述第一引脚相抵触，所述碳化硅肖特基芯片上端与所述第二引脚上端连接有金线，所述下壳体上端设有第一凹槽，所述第一凹槽内固定有导热板，所述下壳体下端设有第二凹槽，所述第二凹槽内固定有散热片，所述散热片位于所述碳化硅肖特基芯片下侧。本实用新型专利技术的碳化硅肖特基二极管，适用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中，散热性能优异。性能优异。性能优异。

【技术实现步骤摘要】
一种散热型碳化硅肖特基二极管


[0001]本技术涉及二极管
，具体涉及一种散热型碳化硅肖特基二极管。

技术介绍

[0002]碳化硅肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种金属
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半导体器件。碳化硅肖特基二极管是一种高压电力电子器件，由于其反向恢复时间短，耐高压，广泛应用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中。常规的碳化硅肖特基二极管，普遍存在散热性能较差的问题，造成碳化硅肖特基二极管在工作过程中容易过热，这一问题亟待解决。

技术实现思路

[0003]针对以上问题，本技术提供一种散热型碳化硅肖特基二极管，适用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中，散热性能优异。
[0004]为实现上述目的，本技术通过以下技术方案来解决：
[0005]一种散热型碳化硅肖特基二极管，包括上壳体、下壳体、碳化硅肖特基芯片、第一引脚、第二引脚，所述下壳体上端镀有一层铜箔层，所述碳化硅肖特基芯片位于所述铜箔层一端上侧，所述铜箔层另一端上侧与所述第一引脚相抵触，所述碳化硅肖特基芯片上端与所述第二引脚上端连接有金线，所述下壳体上端设有第一凹槽，所述第一凹槽内固定有导热板，所述下壳体下端设有第二凹槽，所述第二凹槽内固定有散热片，所述散热片位于所述碳化硅肖特基芯片下侧。
[0006]具体的，所述第一引脚上设有第一凹陷部，所述上壳体上设有供所述第一凹陷部插入的第一避让槽，所述第二引脚上设有第二凹陷部，所述上壳体上设有供所述第二凹陷部插入的第二避让槽。
[0007]具体的，所述上壳体上还连接有支柱，所述支柱位于所述碳化硅肖特基芯片与所述第二引脚之间，所述支柱上端设有供所述金线容置的第三避让槽。
[0008]具体的，所述导热板靠向所述碳化硅肖特基芯片一端还连接有延伸部。
[0009]具体的，所述上壳体上端两侧均设有散热槽。
[0010]本技术的有益效果是：
[0011]本技术的碳化硅肖特基二极管，适用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中，在下壳体上端增加了第一凹槽，第一凹槽内固定有导热板，在下壳体下端增加了第二凹槽，第二凹槽内固定有散热片，提升了碳化硅肖特基二极管的散热性能。
附图说明
[0012]图1为本技术的一种散热型碳化硅肖特基二极管的结构示意图。
[0013]附图标记为：上壳体1、下壳体2、碳化硅肖特基芯片3、第一引脚4、第二引脚5、铜箔层6、金线7、导热板8、散热片9、第一避让槽10、第二避让槽11、支柱12、延伸部13、散热槽14。
具体实施方式
[0014]下面结合实施例和附图对本技术作进一步详细的描述，但本技术的实施方式不限于此。
[0015]如图1所示：
[0016]一种散热型碳化硅肖特基二极管，包括上壳体1、下壳体2、碳化硅肖特基芯片3、第一引脚4、第二引脚5，下壳体2上端镀有一层铜箔层6，碳化硅肖特基芯片3位于铜箔层6一端上侧，铜箔层6另一端上侧与第一引脚4相抵触，碳化硅肖特基芯片3上端与第二引脚5上端连接有金线7，下壳体2上端设有第一凹槽，第一凹槽内固定有导热板8，下壳体2下端设有第二凹槽，第二凹槽内固定有散热片9，散热片9位于碳化硅肖特基芯片3下侧，碳化硅肖特基二极管在工作时，碳化硅肖特基芯片3会产生大量的热，将导热板8、散热片9设置在碳化硅肖特基芯片3周围，利用导热板8、散热片9的导热特性，能够将碳化硅肖特基芯片3产生的热量迅速导出，从而提升碳化硅肖特基二极管的散热性能。
[0017]优选的，为了降低第一引脚4、第二引脚5脱落的风险，在第一引脚4上设有第一凹陷部，上壳体1上设有供第一凹陷部插入的第一避让槽10，在第二引脚5上设有第二凹陷部，上壳体1上设有供第二凹陷部插入的第二避让槽11。
[0018]优选的，上壳体1上还连接有支柱12，支柱12位于碳化硅肖特基芯片3与第二引脚5之间，支柱12上端设有供金线7容置的第三避让槽，通过支柱12能够固定金线7的位置，避免金线7偏位。
[0019]优选的，为了使碳化硅肖特基芯片3产生的热量迅速导入导热板8中，导热板8靠向碳化硅肖特基芯片3一端还连接有延伸部13。
[0020]优选的，上壳体1上端两侧均设有散热槽14，设置有散热槽14，增大了上壳体1上端面的表面积，从而提高了碳化硅肖特基二极管的散热效率。
[0021]以上实施例仅表达了本技术的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种散热型碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括上壳体(1)、下壳体(2)、碳化硅肖特基芯片(3)、第一引脚(4)、第二引脚(5)，所述下壳体(2)上端镀有一层铜箔层(6)，所述碳化硅肖特基芯片(3)位于所述铜箔层(6)一端上侧，所述铜箔层(6)另一端上侧与所述第一引脚(4)相抵触，所述碳化硅肖特基芯片(3)上端与所述第二引脚(5)上端连接有金线(7)，所述下壳体(2)上端设有第一凹槽，所述第一凹槽内固定有导热板(8)，所述下壳体(2)下端设有第二凹槽，所述第二凹槽内固定有散热片(9)，所述散热片(9)位于所述碳化硅肖特基芯片(3)下侧。2.根据权利要求1所述的一种散热型碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述第一引脚(4)上设有第一凹陷部，所述上壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓常春，
申请(专利权)人：东莞市佳骏电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：