发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光元件，包含半导体叠层具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；第一绝缘层位于半导体叠层上，包含开口以露出第二半导体层；反射结构位于第二半导体层上且与第二半导体层电连接；第二绝缘层位于该反射结构上，包含一第二绝缘层开口以露出反射结构；第一焊垫与第一半导体层电连接；第二焊垫与第二半导体层电连接；第一接触层位于第二半导体层及第一焊垫之间；以及第二接触层位于第二半导体层及第二焊垫之间并形成于第二绝缘层开口中以与反射结构接触，其中第二绝缘层包含中央部及边缘部通过第二绝缘层开口与中央部隔开，第二焊垫于半导体叠层上具有投影面积，中央部位于投影面积内。

【技术实现步骤摘要】
发光元件本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201710133334.X，申请日：2017年03月08日，专利技术名称：发光元件)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光元件，且特别是涉及一种发光元件，其包含一半导体叠层及一焊垫位于半导体叠层上。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。
技术实现思路
发光元件包含半导体叠层具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；第一绝缘层位于半导体叠层上，包含开口以露出第二半导体层；反射结构位于第二半导体层上且与第二半导体层电连接；第二绝缘层位于该反射结构上，包含一第二绝缘层开口以露出反射结构；第一焊垫与第一半导体层电连接；第二焊垫与第二半导体层电连接；第一接触层位于第二半导体层及第一焊垫之间；以及第二接触层位于第二半导体层及第二焊垫之间并形成于第二绝缘层开口中以与反射结构接触，其中第二绝缘层包含中央部及边缘部通过第二绝缘层开口与中央部隔开，第二焊垫于半导体叠层上具有投影面积，中央部位于投影面积内。发光元件包含半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；反射结构，位于第二半导体层上，且与第二半导体层电连接；绝缘层，位于半导体叠层及反射结构上，包含一开口以露出反射结构；电极层，位于绝缘层上，经由开口与反射结构电连接；金属层位于绝缘层上，与电极层电性绝缘，其中在发光元件的上视图上，金属层与电极层相隔一间距，且金属层具有凹部，电极层具有凸部，凸部伸入凹部中。附图说明图1～图9B为本专利技术一实施例中所揭示的一发光元件1的制造方法及发光元件1的结构的示意图；图10A为本专利技术一实施例中所揭示的一发光元件2的上视图；图10B为本专利技术一实施例中所揭示的一发光元件2的剖视图；图11为本专利技术一实施例的发光装置3的结构示意图；图12为本专利技术一实施例的发光装置4的结构示意图。符号说明1，2发光元件3，4发光装置11a基板10a半导体叠层101a第一半导体层102a第二半导体层103a活性层100a孔部102s表面1011a第一表面1012a第二表面111a环绕部20a第一绝缘层200a第一绝缘层环绕区201a第一绝缘层覆盖区202a第一绝缘层开口203a第一绝缘层开口30a透明导电层301a透明导电层外缘40a反射层401a反射层外缘41a阻障层411a阻障层外缘50a第二绝缘层501a，502a第二绝缘层开口60a接触层600a顶针区601a第一接触层602a第二接触层70a第三绝缘层701a，702a第三绝缘层开口80a，80b第一焊垫90a，90b第二焊垫801a，902a侧边811b第一凸部812b第一凹部911b第一凹部7000a连接部分7011a第一部分7022a第二部分70001，70002边70111第一边70222第二边912b第二凹部1000a半导体结构1001a第二外侧壁1002a内侧壁1003a第一外侧壁51封装基板511第一垫片512第二垫片53绝缘部54反射结构602灯罩604反射镜606承载部608发光单元610发光模块612灯座614散热片616连接部618电连接元件具体实施方式为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，请参照下列实施例的描述并配合相关图示。但是，以下所示的实施例是用于例示本专利技术的发光元件，并非将本专利技术限定于以下的实施例。又，本说明书记载于实施例中的构成零件的尺寸、材质、形状、相对配置等在没有限定的记载下，本专利技术的范围并非限定于此，而仅是单纯的说明而已。且各图示所示构件的大小或位置关系等，会由于为了明确说明有加以夸大的情形。更且，在以下的描述中，为了适切省略详细说明，对于同一或同性质的构件用同一名称、符号显示。图1～图9B是本专利技术一实施例中所揭示的一发光元件1的制造方法及结构。如图1所示，发光元件1的制造方法包含形成一半导体叠层10a的步骤，其包含提供一基板11a；以及形成半导体叠层10a于基板11a上，其中半导体叠层10a包含一第一半导体层101a，一第二半导体层102a，以及一活性层103a位于第一半导体层101a及第二半导体层102a之间。在本专利技术的一实施例中，基板11a为一成长基板，包括用以成长磷化铝镓铟(AlGaInP)的砷化镓(GaAs)晶片，或用以成长氮化铟镓(InGaN)的蓝宝石(Al2O3)晶片、氮化镓(GaN)晶片或碳化硅(SiC)晶片。在本专利技术的一实施例中，通过有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相沉积法(HVPE)、物理气相沉积法(PVD)或离子电镀方法以于基板11a上形成具有光电特性的半导体叠层10a，例如发光(light-emitting)叠层，其中物理气象沉积法包含溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evoaporation)法。第一半导体层101a和第二半导体层102a，可为包覆层(claddinglayer)或限制层(confinementlayer)，两者具有不同的导电型态、电性、极性，或依掺杂的元素以提供电子或空穴，例如第一半导体层101a为n型电性的半导体，第二半导体层102a为p型电性的半导体。活性层103a形成在第一半导体层101a和第二半导体层102a之间，电子与空穴于一电流驱动下在活性层103a复合，将电能转换成光能，以发出一光线。通过改变半导体叠层10a中一层或多层的物理及化学组成以调整发光元件1发出光线的波长。半导体叠层10a的材料包含Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，例如AlxInyGa(1-x-y)N或AlxInyGa(1-x-y)P，其中0≤x，y≤1；(x+y)≤1。依据活性层103a的材料，当半导体叠层10a材料为AlInGaP系列材料时，可发出波长介于610nm及650nm之间的红光，波长介于530nm及570nm之间的绿光，当半导体叠层10a材料为InGaN系列材料时，可发出波长介于450nm及490nm之间的蓝光，或是当半导体叠层10a材料为AlGaN系列或AlInGaN系列材料时，可发出波长介于400nm及250nm之间的紫外光。活性层103a可为单异质结构(singleheterost本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：/n半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；/n第一绝缘层，位于该半导体叠层上，包含开口以露出该第二半导体层；/n反射结构，位于该第二半导体层上，且与该第二半导体层电连接；/n第二绝缘层，位于该反射结构上，包含第二绝缘层开口以露出该反射结构；/n第一焊垫，与该第一半导体层电连接；/n第二焊垫，与该第二半导体层电连接；/n第一接触层，位于该第二半导体层及该第一焊垫之间；以及/n第二接触层，位于该第二半导体层及该第二焊垫之间并形成于该第二绝缘层开口中以与该反射结构接触，其中该第二绝缘层包含中央部及边缘部通过该第二绝缘层开口与该中央部隔开，该第二焊垫于该半导体叠层上具有投影面积，该中央部位于该投影面积内。/n

【技术特征摘要】
20160628 TW 1051202631.一种发光元件，其特征在于，包含：
半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；
第一绝缘层，位于该半导体叠层上，包含开口以露出该第二半导体层；
反射结构，位于该第二半导体层上，且与该第二半导体层电连接；
第二绝缘层，位于该反射结构上，包含第二绝缘层开口以露出该反射结构；
第一焊垫，与该第一半导体层电连接；
第二焊垫，与该第二半导体层电连接；
第一接触层，位于该第二半导体层及该第一焊垫之间；以及
第二接触层，位于该第二半导体层及该第二焊垫之间并形成于该第二绝缘层开口中以与该反射结构接触，其中该第二绝缘层包含中央部及边缘部通过该第二绝缘层开口与该中央部隔开，该第二焊垫于该半导体叠层上具有投影面积，该中央部位于该投影面积内。


2.一种发光元件，其特征在于，包含：
半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；
反射结构，位于该第二半导体层上，且与该第二半导体层电连接；
绝缘层，位于该半导体叠层及该反射结构上，包含一开口以露出该反射结构；
电极层，位于该绝缘层上，经由该开口与该反射结构电连接；
金属层，位于该绝缘层上，与该电极层电性绝缘，其中在该发光元件的上视图上，该金属层与该电极层相隔一间距，且该金属层具有凹部，该电极层具有凸部，该凸部伸入该凹部中。


3.如权利要求1或2所述的发光元件，包含多个孔部穿过该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭兴，王佳琨，庄文宏，曾咨耀，吕政霖，许启祥，蒋宗勋，胡柏均，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71