一种复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频滤波器技术

本申请提供一种复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频滤波器，其中复合衬底从下至上依次包括晶硅衬底层和第一多晶硅层，第一多晶硅层包括单晶硅融合层、第二多晶硅层以及二氧化硅层；单晶硅融合层与单晶硅衬底层一体成型；单晶硅融合层靠近第二多晶硅层的一侧形成有融合凸起；单晶硅衬底层、单晶硅融合层以及融合凸起中单晶硅的晶向相同。本申请通过在第二多晶硅层和单晶硅衬底层之间形成单晶硅融合层，提高第二多晶硅层在硅衬底上沉积的粘附性，降低在切割过程中复合薄膜在结合力较差的界面发生解键合的风险，避免功能薄膜脱落，提高复合薄膜的利用率，同时降低射频滤波器使用过程中解键合的风险，延长射频滤波器的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频滤波器
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频滤波器。
技术介绍
射频滤波器广泛应用于无线通信终端的收发链路中，允许特定频率或频带的信号通过，同时滤除不需要的干扰或杂散信号。射频滤波器主要包括声表面波滤波器(SAWFilter)和体声波滤波器(BAWFilter)，其频率范围从800到2500MHz。其中，声表面波滤波器中表面声波的能量聚焦在衬底表面上，从而使波在衬底上的无损耗传播，通过同时控制基板的线性膨胀系数和声音的速度降低频率温度系数，电极产生的热量传递到基板上，具有良好的散热性能，保证了声表面波滤波器在高温下频响稳定性。声表面波滤波器一般使用硅上的钽酸锂薄膜作为器件衬底。其中硅作为支撑衬底，二氧化硅作为隔离层，钽酸锂压电薄膜层作为功能层，形成钽酸锂薄膜晶圆。为了减小声表面波滤波器的射频损耗，提高声表面波滤波器的性能，通常在硅衬底与二氧化硅隔离层之间增加多晶硅层，以减少硅衬底与二氧化硅隔离层之间的载流子数量。在钽酸锂薄膜晶圆上加工电极，然后将加工完电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底从下至上依次包括单晶硅衬底层(110)和第一多晶硅层(170)，所述第一多晶硅层(170)包括单晶硅融合层(120)、第二多晶硅层(130)以及二氧化硅层(140)；/n其中，所述单晶硅融合层(120)与所述单晶硅衬底层(110)一体成型；所述单晶硅融合层(120)靠近所述第二多晶硅层(130)的一侧形成有融合凸起(150)；所述单晶硅衬底层(110)、单晶硅融合层(120)以及融合凸起(150)中单晶硅的晶向相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底从下至上依次包括单晶硅衬底层(110)和第一多晶硅层(170)，所述第一多晶硅层(170)包括单晶硅融合层(120)、第二多晶硅层(130)以及二氧化硅层(140)；
其中，所述单晶硅融合层(120)与所述单晶硅衬底层(110)一体成型；所述单晶硅融合层(120)靠近所述第二多晶硅层(130)的一侧形成有融合凸起(150)；所述单晶硅衬底层(110)、单晶硅融合层(120)以及融合凸起(150)中单晶硅的晶向相同。


2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述单晶硅融合层(120)通过所述第一多晶硅层(170)氧化形成。


3.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述单晶硅融合层(120)的厚度大于等于1nm、小于等于20nm。


4.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述第二多晶硅层(130)的厚度大于等于100nm、小于等于3μm。


5.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述融合凸起(150)的长度大于等于5nm、小于等于20nm；所述融合凸起(150)的宽度大于等于1nm、小于等于20nm。


6.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜从下到上依次包括如权利要求1-5任一项所述的复合衬底和功能薄膜层(160)，其中，所述复合衬底的上表面做平坦化处理，且可与所述功能薄膜层(160)键合。


7.根据权利要求6所述的复合薄膜，其特征在于，所述功能薄膜层(160)为铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、磷酸钛氧铷晶体、磷酸钛氧钾晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洋洋，李真宇，杨超，胡卉，刘阿龙，连坤，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37