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本申请提供一种复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频滤波器，其中复合衬底从下至上依次包括晶硅衬底层和第一多晶硅层，第一多晶硅层包括单晶硅融合层、第二多晶硅层以及二氧化硅层；单晶硅融合层与单晶硅衬底层一体成型；单晶硅融合层靠近第二多晶硅层的一...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。

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