【技术实现步骤摘要】
集成组合件内的基础支撑件
集成组合件。集成组合件内的基础支撑件。
技术介绍
存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器,且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如,现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例,对于计算机及其它装置来说,在固态驱动器中利用快闪存储器来代替常规硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又一实例,快闪存储器在无线电子装置中很流行,因为其使制造商能够在新通信协议标准化时支持所述通信协议,且提供远程地升级所述装置以增强特征的能力。NAND可为快闪存储器的基本架构,且可经配置以包括垂直堆叠式存储器单元。在具体地描述NAND之前,更一般地描述集成布置内的存储器阵列的关系可能是有帮助的。图1展示包含存储器阵列1002的现有技术装置1000的框图,所述存储器阵列1002具有以行及列布置的多个存储器单元1003连同存取线1004(例如,用于传导信号WL0到WLm的字线)及第一数据线1006(例如,用于传导信号BL0到BLn的位线)。存取线1004及第一数据线1006可用于将信 ...
【技术保护点】
1.一种集成组合件,其包括:/n基底;/n存储器单元,其在所述基底上面且沿着沟道材料柱;/n导电结构,其在所述存储器单元与所述基底之间;所述沟道材料柱与所述导电结构耦合;以及/n基础结构,其延伸到所述基底中且向上突出到所述导电结构上方的层级;所述基础结构将所述导电结构锁定到所述基底以对所述导电结构提供基础支撑。/n
【技术特征摘要】
20200110 US 16/739,3321.一种集成组合件,其包括:
基底;
存储器单元,其在所述基底上面且沿着沟道材料柱;
导电结构,其在所述存储器单元与所述基底之间;所述沟道材料柱与所述导电结构耦合;以及
基础结构,其延伸到所述基底中且向上突出到所述导电结构上方的层级;所述基础结构将所述导电结构锁定到所述基底以对所述导电结构提供基础支撑。
2.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基础结构包括绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的集成组合件,其中所述基础结构包括氮化硅、二氧化硅及氧化铝中的一或多者。
4.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基础结构包括导电材料。
5.根据权利要求4所述的集成组合件,其中所述基础结构包括钨、钛、氮化钨、硅化钨、氮化钛及硅化钛中的一或多者。
6.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基础结构包括半导体材料。
7.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述基础结构包括硅及锗中的一或两者。
8.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基础结构穿透所述导电结构。
9.根据权利要求8所述的集成组合件,其中所述基础结构经配置为支柱。
10.根据权利要求9所述的集成组合件,其中所述支柱具有圆形俯视横截面。
11.根据权利要求9所述的集成组合件,其中所述支柱仅包括单种均质组合物。
12.根据权利要求9所述的集成组合件,其中所述支柱包括两种或更多种不同组合物的叠层。
13.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述导电结构穿透所述基础结构。
14.根据权利要求13所述的集成组合件,其中所述基础结构经配置为壁。
15.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基底包括单晶硅,且其中所述基础结构延伸到所述基底的所述单晶硅中。
16.根据权利要求15所述的集成组合件,其中所述单晶硅是单晶硅晶片的块状单晶硅。
17.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基础结构延伸到所述基底中到至少约50nm的深度。
18.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基础结构延伸到所述基底中到至少约100nm的深度。
19.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基础结构延伸到所述基底中到至少约500nm的深度。
20.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述基础结构延伸到所述基底中到在从约50nm到约1微米的范围内的深度。
21.一种集成组合件,其包括:
基底;
导电源结构,其在所述基底上面;
存储器层级,其在所述导电源结构上面且包括沿着沟道材料柱的存储器单元;所述沟道材料柱与所述导电源结构耦合;以及
基础支撑销,其延伸到所述基底中且向上突出穿过所述导电源结构;所述基础支撑销将所述导电源结构锁定到所述基底以对所述导电源结构提供基础支撑。
22.根据权利要求21所述的集成组合件,其中所述基础支撑销是第一基础支撑销,且所述集成组合件包括至少一个第二基础支撑销,所述至少一个第二基础支撑销将所述存储器层级锚固到所述导电源结构,但不延伸到所述基底中。
23.根据权利要求21所述的集成组合件,其中所述存储器单元沿着包含栅极结构及布线结构的导电层级;且所述集成组合件进一步包括:
第一电路系统层级,其在所述基底与所述导电源结构之间,所述第一电路系统层级包括字线驱动器电路系统及感测放大器电路系统;
位线,其与所述沟道材料柱耦合;且
所述布线结构与所述字线驱动器电路系统耦合且所述位线与所述感测放大器电路系统耦合。
24.根据权利要求21所述的集成组合件,其中所述基础支撑销仅包括单种均质组合物。
25.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·A·克朗皮特,M·J·金,J·D·霍普金斯,M·J·巴克利,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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