本发明专利技术提供了一种基于氮杂吡唑
【技术实现步骤摘要】
烯基、炔基、卤素、羟基、巯基、硝基、氰基、氨基、单或二烷基氨基、单或二芳基氨基、烷 氧基、芳氧基、卤代烷基、酯基、腈基、异腈基、杂芳基、烷氧基羰基、酰氨基、烷氧基羰基 氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰基氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷硫基、亚磺酰基、脲基、磷 酰胺基、亚胺基、磺基、羧基、肼基、取代的甲硅烷基、聚合的基团、或其组合；
[0010]R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地为氢、氘、烷基、烷氧基、环烷基、杂环基、 烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、卤代烷基、卤 素、羟基、巯基、硝基、氰基、氨基、羧基、磺基、肼基、脲基、炔氧基、酯基、酰胺基、磺 酰基、亚磺酰基、磺酰基胺基、磷酰基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、甲硅烷基、 烷基胺基、双烷基胺基、单芳基胺基、双芳基胺基、亚脲基、亚胺基或其组合，R1、R2、R3、 R4、R5、R6和R7中的两个或者多个可以相连形成稠环，所述稠环还可以与其它环稠合。
[0011]进一步地，所述通式(1)的结构式包括但不限于：
[0012][0013][0014]进一步地，一种基于氮杂吡唑
‑
咔唑的6/6/6并环四齿环金属铂(II)配合物磷光材料，如通 式(2)所示：
[0015][0016]其中，Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6和Y7各自独立地为C或N；
[0017]A为O、S、S＝O或O＝S＝O；
[0018]R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地为氢、氘、烷基、烷氧基、环烷基、杂环基、烯基、 取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、卤代烷基、卤素、羟 基、巯基、硝基、氰基、氨基、羧基、磺基、肼基、脲基、炔氧基、酯基、酰胺基、磺酰基、 亚磺酰基、磺酰基胺基、磷酰基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、甲硅烷基、烷基胺 基、双烷基胺基、单芳基胺基、双芳基胺基、亚脲基、亚胺基或其组合，R1、R2、R3、R4、 R5、R6和R7中的两个或者多个可以相连形成稠环，所述稠环还可以与其它环稠合。
[0019]进一步地，所述通式(2)的结构式包括但不限于：
[0020][0021][0022]进一步地，基于氮杂吡唑
‑
咔唑的6/6/6并环四齿环金属铂(II)配合物磷光材料在有机发光 元件中的应用。所述有机发光元件为有机发光二极管、发光二极管或发光电化学电池。
[0023]进一步地，所述有机发光元件包括第一电极、第二电极及设置于所述第一电极和所述第二 电极之间的至少一个有机层；所述有机层包括基于氮杂吡唑
‑
咔唑的6/6/6并环四齿环金属铂(II) 配合物。
[0024]本专利技术的有益效果是：基于氮杂吡唑
‑
咔唑的6/6/6并环四齿环金属铂(II)配合物磷光材料 最低激发单线态和最低激发三线态的能级差ΔE
S1
‑
T1
，以及最低激发单线态和第二激发三线态的 能级差ΔE
S1
‑
T1
易于调控。Pt(ACzCz
‑
1)和Pt(ACzCz
‑
2)都有很小的ΔE
S1
‑
T1
和ΔE
S1
‑
T2
，尤其是 Pt(ACzCz
‑
1)分别为0.048eV和0.018eV，且T1和T2态的电荷转移类型与S1匹配，可增加系间 窜越的途径，利于提高系间窜越的速率。
附图说明
[0025]图1为Pt(ACzCz
‑
1)和Pt(ACzCz
‑
2)在2
‑
甲基四氢呋喃中77K下的发射光谱图；
[0026]图2为Pt(ACzCz
‑
1)和Pt(ACzCz
‑
2)在二氯甲烷溶液中室温下的发射光谱图；
[0027]图3为Pt(ACzCz
‑
1)和Pt(ACzCz
‑
2)在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中室温下的发射光谱图；
[0028]图4为通过密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(DT
‑
DFT)计算得到的Pt(ACzCz
‑
1) 和Pt(ACzCz
‑
2)的优化分子结构、前线轨道能级及其分布、最低三线态的自旋密度分布图，其 中，HOMO或H为最高占据分子轨道，LUMO或L为最高占据分子轨道，Spin Density为自旋密 度，T1为最低三线态；
[0029]图5为有机发光元件的结构示意图；
[0030]图6为Pt(ACzCz
‑
2)作为掺杂发光材料OLED器件的电致发射光谱图；
[0031]图7为Pt(ACzCz
‑
2)作为掺杂发光材料OLED器件的电流
‑
电压
‑
亮度曲线图；
具体实施方式
[0032]以下对本专利技术的内容进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明有时是基于本专利技术的代 表性实施方式或具体例而成，但本专利技术并不限定于此种实施方式或具体例。
[0033]本专利技术基于氮杂吡唑
‑
咔唑的6/6/6并环四齿环金属铂(II)配合物磷光材料中所包含的化合 物具有下述通式(1)或(2)的结构。
[0034][0035]通式(1)和(2)中配合物合成路线如下所示：
[0036][0037][0038]实施例1：四齿环金属铂(II)配合物磷光材料Pt(ACzCz
‑
1)合成路线如下所示：
[0039][0040](1)中间体ACzbPhNO2的合成：向带有磁力转子的干燥封管中依次加入4'
‑
碘
‑2‑
硝基
‑ꢀ
1,1'
‑
联苯(500mg,4.46mmol,1.5当量)，氮杂咔唑(1.45g,2.97mmol,1.0当量)，碘化亚铜(566 mg,2.97mmol,10mol％)，反式
‑
1,2
‑
环己二胺(339mg,2.97mmol,10mol％)和叔丁醇钠(600 mg,6.24mmol,2.1当量)，然后抽换氮气三次，在氮气保护下加入二甲基亚砜(13mL)。重复 上述操作三次。将四个封管分别在110℃的油浴锅中搅拌反应1天，冷却至室温，四个反应液 混合，加入乙酸乙酯萃取，有机层用水洗涤两次，水层用乙酸乙酯萃取三次。合并有机相，无 水硫酸钠干燥，过滤，减压蒸馏除去溶剂。所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：石油醚 /二氯甲烷/乙酸乙酯＝8:2:1，得到产物ACzbPhNO2，黄色固体2.07g，收率48％。1H NMR(500 MHz,CDCl3):δ7.29(dd,J＝8.0Hz,1H),7.38(t,J＝7.5Hz,1H),7.51
‑
7.61(m,6H),本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于氮杂吡唑
‑
咔唑的6/6/6并环四齿环金属铂(II)配合物磷光材料，其特征在于，其化学式如通式(1)所示：其中，Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9和Y
10
各自独立地为C或N；A选自B、CH、CD、CR
a
、SiH、SiD、SiR
a
、GeH、GeD、GeR
d
、P、P＝O、As、As＝O、Bi或Bi＝O；R
a
、R
b
、R
c
和R
d
各自独立地为氢、氘、芳基、环烷基、环烯基、杂环基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、卤素、羟基、巯基、硝基、氰基、氨基、单或二烷基氨基、单或二芳基氨基、烷氧基、芳氧基、卤代烷基、酯基、腈基、异腈基、杂芳基、烷氧基羰基、酰氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰基氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷硫基、亚磺酰基、脲基、磷酰胺基、亚胺基、磺基、羧基、肼基、取代的甲硅烷基、聚合的基团、或其组合；R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地为氢、氘、烷基、烷氧基、环烷基、杂环基、烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、卤代烷基、卤素、羟基、巯基、硝基、氰基、氨基、羧基、磺基、肼基、脲基、炔氧基、酯基、酰胺基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰基胺基、磷酰基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、甲硅烷基、烷基胺基、双烷基胺基、单芳基胺基、双芳基胺基、亚脲基、亚胺基或其组合。2.根据权利要求1所述的基于氮杂吡唑
‑
【专利技术属性】
技术研发人员：李贵杰，佘远斌，许克伟，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：
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