IGBT模块功率端子结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT模块功率端子结构，包括N端子导电金属、P端子导电金属、包裹N端子导电金属的第一绝缘材料层和包裹P端子导电金属且与第一绝缘材料层相接触的第二绝缘材料层，N端子导电金属具有与母排接触的第一接触面，P端子导电金属具有与母排接触的第二接触面，第一接触面从第一绝缘材料层中露出，第二接触面从第二绝缘材料层中露出。本实用新型专利技术的IGBT模块功率端子结构，极大降低了端子与母排连接结构处的回路面积，因此也降低了回路的杂散电感。回路的杂散电感。回路的杂散电感。

【技术实现步骤摘要】
IGBT模块功率端子结构


[0001]本技术属于半导体产品
，具体地说，本技术涉及一种IGBT模块功率端子结构。

技术介绍

[0002]现有IGBT模块的端子排布方式，P端子和N端子平行排布，相互之间没有叠层结构，导致模块整体回路面积增大，从而增加了模块的杂散电感。我们知道，当模块杂散电感较大时，在有大电流流过模块时，会有较高的额外的尖峰电压施加在芯片上，当尖峰电压和母线电压的和超过了芯片能耐受的最高电压时，芯片就会发生过压击穿，导致模块失效，因此模块杂散电感较大时，在使用的过程中就不得不对电流或者电压采取一定的降额措施，从而使能通过模块的功率密度降低，导致整个系统的效率下降。
[0003]对于如今的IGBT模块，内部的DBC(陶瓷覆铜板)结构十分紧凑，DBC上产生的杂散电感已经通过设计降低至了最低水平，但是对于电流等级较大的模块，整体的杂散电感依旧较高，导致模块经常无法工作在最优的条件下。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提供一种IGBT模块功率端子结构，目的是降低回路的杂散电感。
[0005]为了实现上述目的，本技术采取的技术方案为：IGBT模块功率端子结构，包括N端子导电金属、P端子导电金属、包裹N端子导电金属的第一绝缘材料层和包裹P端子导电金属且与第一绝缘材料层相接触的第二绝缘材料层，N端子导电金属具有与母排接触的第一接触面，P端子导电金属具有与母排接触的第二接触面，第一接触面从第一绝缘材料层中露出，第二接触面从第二绝缘材料层中露出。
[0006]所述第一接触面上设置让螺丝穿过的第一螺丝孔，所述第二接触面上设置让螺丝穿过的第二螺丝孔。
[0007]所述第二螺丝孔设置一个，所述第一螺丝孔设置两个，其中一个第一螺丝孔与第二螺丝孔为同轴设置。
[0008]所述第一绝缘材料层为由塑料材质制成的绝缘胶膜。
[0009]所述第二绝缘材料层为由塑料材质制成的绝缘胶膜。
[0010]本技术的IGBT模块功率端子结构，极大降低了端子与母排连接结构处的回路面积，因此也降低了回路的杂散电感。
附图说明
[0011]本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
[0012]图1是本技术IGBT模块功率端子结构的结构示意图；
[0013]图2是本技术IGBT模块功率端子结构另一角度的结构示意图；
[0014]图3是本技术IGBT模块功率端子结构的俯视图；
[0015]图4是本技术IGBT模块功率端子结构的仰视图；
[0016]图5是本技术IGBT模块功率端子结构的侧视图；
[0017]图6是本技术IGBT模块功率端子结构的正视图；
[0018]图7是本技术IGBT模块功率端子结构的部分剖面图；
[0019]图8是回路杂散电感示意图；
[0020]图中标记为：1、第一绝缘材料层；2、N端子导电金属；201、N端子第一导电部；202、N端子第二导电部；3、P端子导电金属；301、P端子第一导电部；302、P端子第二导电部；303、P端子第三导电部；4、第二绝缘材料层。
具体实施方式
[0021]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本技术的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
[0022]需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“第一”、“第二”和“第三”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系，也不代表先后的执行顺序，而仅仅是为了描述的方便。
[0023]如图1至图8所示，本技术提供了一种IGBT模块功率端子结构，包括N端子导电金属2、P端子导电金属3、包裹N端子导电金属2的第一绝缘材料层1和包裹P端子导电金属3且与第一绝缘材料层1相接触的第二绝缘材料层4，N端子导电金属2具有与母排接触的第一接触面，P端子导电金属3具有与母排接触的第二接触面，第一接触面从第一绝缘材料层1中露出，第二接触面从第二绝缘材料层4中露出，第一接触面和第二接触面为相平行的平面。
[0024]具体地说，如图1至图7所示，第一接触面上设置让螺丝穿过的第一螺丝孔，第二接触面上设置让螺丝穿过的第二螺丝孔。第二螺丝孔设置一个，第一螺丝孔设置两个，其中一个第一螺丝孔与第二螺丝孔为同轴设置。
[0025]P端子和N端子设计成了叠层端子的形式，同时与母排连接的方式也进行了优化，P端子导电金属3和N端子导电金属2都用绝缘材料包裹，并且紧密接触，保证了绝缘性的同时减小了缝隙，意味着减小了回路面积；在端子与母排连接的地方，绝缘材料层并不覆盖，并且还开了螺丝孔，以便端子与母排更好的接触。这样的端子结构以及与母排的连接方式，极大降低了端子与母排连接结构处的回路面积，因此也降低了回路的杂散电感。
[0026]作为优选的，第一绝缘材料层1为由塑料材质制成的绝缘胶膜，第二绝缘材料层4为由塑料材质制成的绝缘胶膜，N端子导电金属2和P端子导电金属3为紫铜，焊盘可根据打线需求采用不同的材料：打铜线可采用紫铜或纯铜，打铝线可采用铜覆铝，也可直接超声压焊，对于封装的可实施性也大大提升。
[0027]如图1至图7所示，N端子导电金属2为L形结构，N端子导电金属2包括相连接的N端子第一导电部201和N端子第二导电部202，N端子第一导电部201的一端与N端子第二导电部202的一端固定连接且N端子第一导电部201的长度方向与N端子第二导电部202的长度方向相垂直。第一接触面位于N端子第一导电部201上，第一绝缘材料层1包裹N端子第一导电部201上除第一接触面外所有的外表面，第一绝缘材料层1包裹N端子第二导电部202的所有外表面。
[0028]如图1至图7所示，P端子导电金属3为Z形结构，P端子导电金属3包括P端子第一导电部301、P端子第二导电部302和P端子第三导电部303，P端子第一导电部301的长度方向上的一端与P端子第二导电部302的长度方向上的一端固定连接且P端子第一导电部301的长度方向与P端子第二导电部302的长度方向相垂直，P端子第三导电部303的长度方向上的一端与P端子第二导电部302的长度方向上的另一端固定连接且P端子第三导电部303的长度方向与P端子第一导电部301的长度方向相平行。P端子第一导电部301的长度方向与N端子第一导电部201的长度方向相平行且P端子第一导电部301的长度小于N端子第一导电部201的长度，P端子第一导电部301层叠在N端子第一导电部201上，第二接触面位于P端子第一导电部301上，第二绝缘材料层4包裹P端子第一导电部301上除第二接触面外所有的外表面。第二绝缘材料层4包裹P端子第二导电部302的所有外表面，P端子第二导电部302的长度方向与N端子第二导电部202的长度方向相平行，P端子第二导电部302层叠在N端子第二导电部202上。
[0029]以上结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.IGBT模块功率端子结构，其特征在于：包括N端子导电金属、P端子导电金属、包裹N端子导电金属的第一绝缘材料层和包裹P端子导电金属且与第一绝缘材料层相接触的第二绝缘材料层，N端子导电金属具有与母排接触的第一接触面，P端子导电金属具有与母排接触的第二接触面，第一接触面从第一绝缘材料层中露出，第二接触面从第二绝缘材料层中露出。2.根据权利要求1所述的IGBT模块功率端子结构，其特征在于：所述第一接触面上设置让螺丝穿过的第一螺丝孔，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：温世达，高远，曹新明，
申请(专利权)人：安徽瑞迪微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：