半导体器件制造技术

本发明专利技术提供半导体器件，其具有第一半导体元件和第二半导体元件，各半导体元件具有元件主面和元件背面，并且具有配置在上述元件背面的元件第一电极和配置在上述元件主面的元件第二电极。另外，半导体器件包括：具有引线主面和引线背面的第一引线；覆盖上述第一引线、上述第一半导体元件和上述第二半导体元件的绝缘层；与上述第一半导体元件的上述元件第二电极导通的第一电极；和与上述第一引线导通的第二电极。上述第一半导体元件和上述第一引线以上述第一半导体元件的上述元件背面与上述引线主面相对的姿态接合在一起。上述第二半导体元件和上述第一引线以上述第二半导体元件的上述元件背面与上述引线背面相对的姿态接合在一起。在一起。在一起。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体器件。

技术介绍

[0002]搭载有多个MOSFET(metal
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oxide
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semiconductor field
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effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等的功率半导体元件，用于电源装置等的功率用半导体器件的需求正在增加。在专利文献1中公开了现有技术的半导体器件的一例。该文献中公开的半导体器件，在绝缘基板的一个面设置导体图案，使各半导体元件的背面电极与导体图案接合，将多个半导体元件搭载在绝缘基板中。
[0003]半导体器件的表面积(与厚度方向正交的面的面积)，为了能够搭载在更狭窄的区域中而被要求形成得小。因此，搭载在半导体器件的半导体元件的表面积也需要形成得小。MOSFET的情况下，存在表面积越小导通电阻越变大的问题。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2010
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245212号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]鉴于上述的情况，本专利技术的目的在于，提供能够抑制被搭载的半导体元件的表面积变小的半导体器件。
[0009]用于解决问题的技术手段
[0010]本专利技术提供的半导体器件，其具有第一半导体元件和第二半导体元件，各半导体元件具有元件主面和元件背面，并且具有配置在上述元件背面的元件第一电极和配置在上述元件主面的元件第二电极。另外，半导体器件包括：具有引线主面和引线背面的第一引线；覆盖上述第一引线、上述第一半导体元件和上述第二半导体元件的绝缘层；与上述第一半导体元件的上述元件第二电极导通的第一电极；和与上述第一引线导通的第二电极。上述第一半导体元件和上述第一引线以上述第一半导体元件的上述元件背面与上述引线主面相对的姿态接合在一起。上述第二半导体元件和上述第一引线以上述第二半导体元件的上述元件背面与上述引线背面相对的姿态接合在一起。
[0011]专利技术效果
[0012]本专利技术的半导体器件中，第一半导体元件搭载于第一引线的引线主面，第二半导体元件搭载于第一引线的引线背面。因此，与第一半导体元件和第二半导体元件排列搭载于第一引线的相同面的情况相比，能够增大各半导体元件的表面积。
[0013]本专利技术其他特征和优点，通过参照附图在以下进行的详细说明中能够更加明确。
附图说明
[0014]图1是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的立体图。
[0015]图2是图1所示的半导体器件的电路图。
[0016]图3是表示图1所示的半导体器件的示意性的截面的图。
[0017]图4是使图1所示的半导体器件的一部分透过的俯视图。
[0018]图5是使图1所示的半导体器件的一部分透过的俯视图。
[0019]图6是使图1所示的半导体器件的一部分透过的俯视图。
[0020]图7是说明图1所示的半导体器件的制造工序的俯视图。
[0021]图8是说明图1所示的半导体器件的制造工序的俯视图。
[0022]图9是表示说明图1所示的半导体器件的制造工序的示意性的截面的图。
[0023]图10是表示说明图1所示的半导体器件的制造工序的示意性的截面的图。
[0024]图11是表示说明图1所示的半导体器件的制造工序的示意性的截面的图。
[0025]图12是表示说明图1所示的半导体器件的制造工序的示意性的截面的图。
[0026]图13是表示说明图1所示的半导体器件的制造工序的示意性的截面的图。
[0027]图14是表示说明图1所示的半导体器件的制造工序的示意性的截面的图。
[0028]图15是表示本专利技术的第二实施方式的半导体器件的示意性的截面的图。
[0029]图16是表示本专利技术的第三实施方式的半导体器件的示意性的截面的图。
[0030]图17是表示本专利技术的第四实施方式的半导体器件的示意性的截面的图。
[0031]图18是表示本专利技术的第五实施方式的半导体器件的电路图。
[0032]图19是表示图18所示的半导体器件的示意性的截面的图。
[0033]图20是使图18所示的半导体器件的一部分透过的俯视图。
[0034]图21是使图18所示的半导体器件的一部分透过的俯视图。
[0035]图22是表示本专利技术的第六实施方式的半导体器件的电路图。
[0036]图23是表示图22所示的半导体器件的示意性的截面的图。
[0037]图24是表示本专利技术的第七实施方式的半导体器件的电路图。
[0038]图25是表示本专利技术的第八实施方式的半导体器件的电路图。
[0039]图26是表示本专利技术的第九实施方式的半导体器件的示意性的截面的图。
具体实施方式
[0040]以下，参照附图具体地说明本专利技术的优选的实施方式。
[0041]基于图1～图6，关于本专利技术的第一实施方式的半导体器件A1进行说明。半导体器件A1包括第一引线11、第三引线13、第四引线14、通孔211～214、221～225、配线图案311、312、321～324、第一电极41、第二电极42、第三电极43、第五电极45、导电性接合层51、半导体元件6a、6b、绝缘层7和绝缘膜8。
[0042]图1是表示半导体器件A1的立体图。图2是表示半导体器件A1的电路图。图3是表示半导体器件A1的示意性的截面的图，以容易理解导通路径的方式表示了各部材。此外，实际上，各通孔与各配线图案形成一体，在图3中为了区别，作为不同的部件标注了不同的斜线。图4～图6是表示半导体器件A1的俯视图，分别使一部分透过。在图4中，使上侧(图3中的上侧)的绝缘膜8透过。在图5中，使上侧的绝缘膜8、配线图案311、312和绝缘层7透过。在图6
中，使上侧的绝缘膜8、配线图案311、312、绝缘层7、通孔211～214、第一引线11、第三引线13和第四引线14透过。
[0043]在这些图中表示的半导体器件A1是被表面安装于各种设备的电路基板。半导体器件A1的厚度方向看的形状为矩形形状。为了说明的方便，设半导体器件A1的厚度方向为z方向，与z方向正交的沿着半导体器件A1的一个边的方向为x方向，与z方向和x方向正交的方向为y方向。在以下的图中也是同样的。半导体器件A1的各尺寸没有特别的限定，在本实施方式中，例如x方向尺寸为2～6mm程度，y方向尺寸为2～6mm程度、z方向尺寸为0.5～1mm程度。
[0044]第一引线11支承半导体元件6a、6b，并且与半导体元件6a、6b导通。第三引线13与半导体元件6a导通。第四引线14与半导体元件6a、6b导通。第一引线11、第三引线13和第四引线14通过对金属板实施冲孔加工或蚀刻处理等而形成。第一引线11、第三引线13和第四引线14由金属构成，优选由Cu和Ni的任意者、或者它们的合金或42合金等构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体元件和第二半导体元件，该第一半导体元件和第二半导体元件各自具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的元件主面和元件背面、配置在所述元件背面的元件第一电极以及配置在所述元件主面的元件第二电极；第一引线，其具有在所述厚度方向上彼此朝向相反侧的引线主面和引线背面；覆盖所述第一引线、所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的绝缘层；与所述第一半导体元件的所述元件第二电极导通的第一电极；和与所述第一引线导通的第二电极，所述第一半导体元件和所述第一引线以所述第一半导体元件的所述元件背面与所述引线主面相对的姿态接合在一起，所述第二半导体元件和所述第一引线以所述第二半导体元件的所述元件背面与所述引线背面相对的姿态接合在一起。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：在还具有配线图案和通孔的结构中，所述绝缘层具有在所述厚度方向上彼此朝向相反侧的绝缘层主面和绝缘层背面，所述配线图案形成于所述绝缘层主面和绝缘层背面的至少一者，所述通孔在所述绝缘层主面或者所述绝缘层背面开口，所述第一半导体元件的所述元件第二电极与所述第一电极的导通路径以及所述第一引线与所述第二电极的导通路径，由所述配线图案和所述通孔构成。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极配置在所述绝缘层背面。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：在还具有与所述第二半导体元件的所述元件第二电极导通的第三电极的结构中，所述第一半导体元件的所述元件第一电极和所述第二半导体元件的所述元件第一电极与所述第一引线电连接。5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：在还具有与所述第二半导体元件的所述元件第一电极电连接的第二引线和与所述第二引线导通的第四电极的结构中，所述第一半导体元件的所述元件第一电极与所述第一引线电连接。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述第一半导体元件经由导电性的接合层接合于所述第一引线，并且经由绝缘性...

【专利技术属性】
技术研发人员：那须贤太郎，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：