【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体模块和半导体组件。
技术介绍
1、通常，已知形成有作为主晶体管的一种的功率晶体管的分立型的半导体装置(例如参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2018-82011号公报。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、在此，当主晶体管的漏极-源极间电压急剧变化时，主晶体管的栅极-源极间电压上升，有可能发生主晶体管误成为导通状态的误导通。
3、用于解决问题的技术手段
4、作为本专利技术的一个方式的半导体模块，其具有：第一芯片，其包含主晶体管，所述主晶体管包含主漂移层；第二芯片，其包含有源钳位电路的至少一部分，所述有源钳位电路包含基于所述主晶体管的漏极-源极间电压的上升而进行动作的副晶体管；连接部件，其将所述主晶体管与所述有源钳位电路电连接；和密封树脂，其密封所述第一芯片、所述第二芯片和所述连接部件，所述副晶体管包含由与所述主漂移层不同的材料构成的副漂移层。
...【技术保护点】
1.一种半导体模块，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的半导体模块，其特征在于：
7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
8.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
9.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体模块，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体模块，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的半导体模块，其特征在于：
7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
8.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
9.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
10.根...
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