【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加热器
[0001]本技术涉及半导体
,特别涉及一种晶圆加热器。
技术介绍
[0002]集成电路晶圆生产是在晶圆表面上和表面内制造出半导体器件的一系列生产过程,在该生产过程中,多个阶段需要对晶圆进行加热处理。
[0003]现有的晶圆加热器通常具有一加热盘和位于加热盘底部用于固定加热盘的固定基座,所述加热盘的上表面承载晶圆,所述加热盘的内部排布有加热丝,从而对晶圆进行加热。但是这种结构受加热丝排布影响,容易存在晶圆受热不够均匀,同时加热盘的热量双向传递(靠近晶圆的方向和远离晶圆的方向)会造成热量损失,导致加热器的热量利用率低。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种晶圆加热器。
[0005]本技术要解决的是现有技术中存在的晶圆受热不够均匀,加热器整体的热量利用率低的问题。
[0006]为实现本技术的目的,本技术采用的技术方案是:
[0007]一种晶圆加热器,其包括加热盘组件和用于固定所述加热盘组件的固定基座,所述加热盘组件包含金属盘和连接加热源的陶瓷盘,所述金 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆加热器,其特征在于:包括加热盘组件和用于固定所述加热盘组件的固定基座,所述加热盘组件包含金属盘和连接加热源的陶瓷盘,所述金属盘的下表面与所述陶瓷盘的上表面相连接,所述陶瓷盘的下方设有隔热件,所述固定基座具有供所述加热盘组件容置的容置腔。2.根据权利要求1所述的晶圆加热器,其特征在于:所述金属盘具有第一厚度,所述陶瓷盘具有第二厚度,所述隔热件具有第三厚度,所述第一厚度大于所述第二厚度,所述第二厚度大于所述第三厚度。3.根据权利要求1所述的晶圆加热器,其特征在于:所述隔热件与所述陶瓷盘的下表面粘接,所述隔热件为锡箔纸。4.根据权利要求3所述的晶圆加热器,其特征在于:所述锡箔纸的厚度为0.4mm
‑
1mm。5.根据权利要求1所述的晶圆加热器,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:许志雄,
申请(专利权)人:芯米厦门半导体设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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