整流桥堆装置和半导体器件制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种整流桥堆装置及半导体器件，整流桥堆装置包括用于电连接的引出框架、层叠至所述引出框架上方的二极管芯片和连接所述引出框架与所述二极管芯片的连接线，所述二极管芯片包括分别设置于二极管芯片两侧的P电极和N电极，所述N电极通过结合材与所述引出框架相连接；所述连接线的一端与所述P电极相连接；所述连接线的另一端与所述引出框架相连接。本实用新型专利技术的整流桥堆装置不仅能使二极管芯片精准定位，而且避免结合材对P电极的不利影响。的不利影响。的不利影响。

【技术实现步骤摘要】
整流桥堆装置和半导体器件


[0001]本技术涉及半导体封装
，更具体地，涉及一种整流桥堆装置和半导体器件。

技术介绍

[0002]各种电子设备和电子计算机，都需要由稳定的直流电源供电，然而，外部电源通常为交流电，因此，需要对交流电进行整流变换成单向脉动的直流电。
[0003]整流桥堆装置是一种电子元件，内部由多个二极管芯片组成，整流的原理是利用二极管芯片的单向导向性。
[0004]现有整流桥堆装置通常包括上下层叠的两片式引出框架和位于上、下两片引出框架之间的二极管芯片，生产工艺包括以下过程：首先，在下引出框架上网印焊膏，第二，在焊膏上方层叠二极管芯片，第三，在上引出框架上的与二极管芯片对应区域网印焊膏，第四，将上、下引出框架层叠在一起，得到完成电连接的整流桥堆装置。
[0005]现有工艺有以下缺点：第一，将上、下引出框架层叠在一起时，由于二极管芯片的面积小于上、下引出框架的面积，导致层叠时不能使二极管芯片和焊膏精准定位，容易出现焊接点偏位现象，从而导致芯片损坏、焊料桥连、虚焊等问题，影响产品良率；第二，二极管芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种整流桥堆装置，其特征在于，包括用于电连接的引出框架、层叠至所述引出框架上方的二极管芯片和连接所述引出框架与所述二极管芯片的连接线，所述二极管芯片包括分别设置于所述二极管芯片两侧的P电极和N电极，所述N电极通过结合材与所述引出框架相连接，所述连接线的一端与所述P电极相连接，所述连接线的另一端与所述引出框架相连接。2.根据权利要求1所述的整流桥堆装置，其特征在于，所述连接线为铝线，所述P电极为铝电极。3.根据权利要求2所述的整流桥堆装置，其特征在于，所述连接线包括与所述P电极相连接的第一焊接部、与所述引出框架相连接的第二焊接部和连接所述第一焊接部和所述第二焊接部的连接部。4.根据权利要求3所述的整流桥堆装置，其特征在于，所述第一焊接部从所述P电极的表面向远离所述P电极的方向延伸，所述第二焊接部从所述引出框架的靠近所述二极管芯片的表面向远离所述引出框架的方向延伸，所述连接部连接所述第一焊接部的远离所述P电极的一端与所述第二焊接部的远离所述引出框架的一端。5.根据权利要求1所述的整流桥堆装置，其特征在于，所述结合材的面积小于或等于所述N电极的面积。6.根据权利要求1所述的整流桥堆装置，其特征在于，所述连接线与所述P电极的上表面中心相连接。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨旭日，赵宇，
申请(专利权)人：深圳市旭昌辉半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：